Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPW60R120P7Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+211.24 грн
480+174.81 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.69 грн
10+258.99 грн
100+238.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 95W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 95W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+255.59 грн
10+170.25 грн
30+157.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+211.07 грн
480+174.67 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+455.69 грн
55+258.99 грн
100+238.05 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6
Код товару: 182612
2 Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,11 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2127/96
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+245.00 грн
10+227.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6Infineon technologies
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.39 грн
30+200.19 грн
120+166.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+299.11 грн
57+249.06 грн
120+239.69 грн
510+228.82 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1InfineonIPW60R125C6FKSA1 IPW60R125C6 MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R125C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 219W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+258.12 грн
500+243.98 грн
1000+231.01 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.86 грн
30+249.69 грн
120+240.31 грн
510+229.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+285.48 грн
60+239.29 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.53 грн
30+216.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CFD7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 92W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 92W
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+221.58 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPInfineon TechnologiesDescription: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CP
Код товару: 143316
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+379.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+378.09 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+363.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+312.34 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R125CPFKSA1 - IPW60R125 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6
Код товару: 169145
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.07 грн
30+175.66 грн
120+145.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.44 грн
30+163.19 грн
120+157.73 грн
510+150.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+219.22 грн
500+207.44 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1InfineonN-MOSFET 30A 600V 219W 0.125Ω IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6 TIPW60r125p6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+362.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+178.98 грн
87+162.77 грн
120+157.33 грн
510+150.14 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+231.21 грн
10+197.08 грн
30+179.47 грн
120+153.47 грн
150+150.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R145CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 99993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+144.20 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R145CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R145CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R145CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R145CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R145CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6Infineon technologies
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6Infineon TechnologiesDescription: 23.8A, 600V, 0.16OHM, N-CHANNEL
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.31 грн
10+258.76 грн
25+256.16 грн
50+244.50 грн
100+191.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1
Код товару: 206426
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+222.76 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.37 грн
10+223.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+451.53 грн
56+253.47 грн
57+241.94 грн
100+189.88 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+222.76 грн
500+210.97 грн
1000+199.19 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+259.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6Infineon
на замовлення 31680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+285.70 грн
55+261.18 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.80 грн
30+154.91 грн
120+127.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPInfineon technologies
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPInfineon TechnologiesDescription: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R165CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.29 грн
30+223.94 грн
120+185.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R170CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  Наступна Сторінка >> ]