Продукція > IPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 92W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm | на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 92W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 92W Case: TO247 On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125CP Код товару: 143316
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R125CP | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R125CP | Infineon Technologies | Description: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R125CPFKSA1 - IPW60R125 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125P6 Код товару: 169145
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R125P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125P6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 219W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 187 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon | N-MOSFET 30A 600V 219W 0.125Ω IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6 TIPW60r125p6 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V | на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | на замовлення 99993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R145CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R160C6 | Infineon Technologies | Description: 23.8A, 600V, 0.16OHM, N-CHANNEL Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R160C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R160C6 | Infineon technologies | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 162 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 Код товару: 206426
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R160P6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R160P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | на замовлення 844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R160P6 | Infineon | на замовлення 31680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R160P6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | на замовлення 352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R165CP | Infineon technologies | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R165CP | Infineon Technologies | Description: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Power Dissipation (Max): 192W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R165CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R165CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 192W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R165CPFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R165CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R170CFD7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180P7 | Infineon | на замовлення 54960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R180P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R180P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | на замовлення 579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 72W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 24439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 132960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 25200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R190C6 Код товару: 133423
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R190C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

