Продукція > NTT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTTFS5CS73NLTWG | onsemi | Description: T6 60V NCH LL IN U8FL Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFS5CS73NLTWG | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS5D1N06HLTAG | onsemi | MOSFETs 60V T8 IN U8FL HEFET | на замовлення 3370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS5D1N06HLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/78A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 30 V | на замовлення 3385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFS5D1N06HLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/78A 8WDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 78A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFS5D9N08HTWG | onsemi | MOSFETs T8 80V DFN POWER CLIP 3X3 | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS5D9N08HTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 40 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS5D9N08HTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS5D9N08HTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS5D9N08HTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 40 V | на замовлення 2009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFS6H850N | onsemi | MOSFETs TRENCH 8 80V NFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H850NLTAG | onsemi | MOSFETs 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel | на замовлення 6762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H850NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H850NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H850NLTAG Код товару: 205954
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTTFS6H850NLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H850NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFS6H850NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFS6H850NTAG | ON Semiconductor | NTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H850NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H850NTAG | ON Semiconductor | NTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFS6H850NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFS6H850NTAG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 68A; Idm: 300A; 53W; WDFN8 Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 53W Gate charge: 19nC Polarisation: unipolar Drain current: 68A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: WDFN8 On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H850NTAG | ON Semiconductor | NTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFS6H850NTAG | onsemi | MOSFETs TRENCH 8 80V NFET | на замовлення 8991 шт: термін постачання 210-219 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H850NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H854NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFS6H854NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET T8 80V LL U8FL | на замовлення 977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H854NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFS6H854NLTAG | onsemi | MOSFET T8 80V LL U8FL | на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H854NTAG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 175A; 34W; WDFN8 Pulsed drain current: 175A Power dissipation: 34W Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Drain current: 44A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: WDFN8 On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H854NTAG | onsemi | Description: TRENCH 8 80V NFET Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H854NTAG | onsemi | MOSFET TRENCH 8 80V NFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H854NTAG | onsemi | Description: TRENCH 8 80V NFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H860NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFS6H860NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET T8 80V LL U8FL | на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H860NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V | на замовлення 12629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFS6H860NLTAG | onsemi | MOSFETs T8 80V LL U8FL | на замовлення 886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H860NLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTTFS6H860NLTAG - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H860NTAG | onsemi | Description: TRENCH 8 80V NFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H860NTAG | onsemi | MOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 33A, 21.1mohm | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H880NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V | на замовлення 7327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFS6H880NLTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFS6H880NLTAG | onsemi | MOSFETs T8 80V LL U8FL | на замовлення 4414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H880NTAG | onsemi | Description: T8 80V U8FL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H880NTAG | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 22A, 32mohm | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H880NTAG | onsemi | Description: T8 80V U8FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H888NLTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 14A, 50mohm | на замовлення 3114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H888NTAG | onsemi | Description: T8 80V U8FL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS6H888NTAG | onsemi | Description: T8 80V U8FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS8D1N08HTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 14A/61A 8WDFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFS8D1N08HTAG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 61A; Idm: 216A; 63W; WDFN8 Mounting: SMD Pulsed drain current: 216A Power dissipation: 63W Gate charge: 23nC Polarisation: unipolar Drain current: 61A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: WDFN8 On-state resistance: 8.3mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFSC4821NTAG | onsemi | Description: MOSFET 30V 57A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFSC4821NTAG | onsemi | Description: MOSFET 30V 57A 8WDFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) | на замовлення 10874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFSC4823NTAG | onsemi | Description: MOSFET 30V 50A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFSC4823NTAG | onsemi | Description: MOSFET 30V 50A 8WDFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFSC4937NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 50A U8FL | на замовлення 187500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 670 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFSC4937NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 50A U8F | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFSC4937NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 50A U8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFSC4937NTAG | onsemi | IGBT Transistors NFET U8FL 30V 50A 17 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFSS002N04HL | onsemi | MOSFETs 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE | на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFSS1D1N02P1E | onsemi | Description: 25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 9-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 264A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFSS1D1N02P1E | onsemi | Description: 25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 9-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 264A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFSS1D1N02P1E | onsemi | MOSFETs 25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFSSCH0D7N02X | onsemi | Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTFSSCH0D7N02X | onsemi | Description: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFSSCH1D3N04XL | onsemi | MOSFETs T10S 40V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 210-219 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTFSSCH4D0N08XLTWG | ONN | на замовлення 3714 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NTTP01AF-BO | BlueOptics by CBO GmbH | Description: Compatible SFP SX | на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP01AF-C | Amphenol ProLabs | Fibre Optic Transceivers TAA 1000Base-SX SFP Transceiver (MMF, 850nm, 550m, LC, DOM) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTP01AF-C | ATGBICS | Description: Compatible SFP 1000Mb Part Status: Active Data Rate: 1000Mbps Applications: Networking, General Purpose Voltage - Supply: 3.3V Mounting Type: Pluggable, SFP Wavelength: 850nm Connector Type: LC Duplex Packaging: Retail Package | на замовлення 3989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP01CF-BO | BlueOptics by CBO GmbH | Description: Compatible 1.25G SFP LX | на замовлення 2699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP01CF-C | ATGBICS | Description: Compatible SFP 1000Mb Part Status: Active Data Rate: 1000Mbps Applications: Networking, General Purpose Voltage - Supply: 3.3V Mounting Type: Pluggable, SFP Wavelength: 1310nm Connector Type: LC Duplex Packaging: Retail Package | на замовлення 3557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP01CFE6-C | ATGBICS | Description: Compatible SFP 1000Mb Part Status: Active Data Rate: 1000Mbps Applications: Networking, General Purpose Voltage - Supply: 3.3V Mounting Type: Pluggable, SFP Wavelength: 850nm Connector Type: LC Duplex Packaging: Retail Package | на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP01CFE6-C | Amphenol ProLabs | Fibre Optic Transceivers TAA 1000Base-SX SFP Transceiver (MMF, 850nm, 550m, LC, DOM) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTP02AD-C | ATGBICS | Description: Compatible SFP 155Mb Packaging: Tray Connector Type: LC Duplex Wavelength: 1310nm Mounting Type: Pluggable, SFP Voltage - Supply: 3.3V Applications: Networking, General Purpose Data Rate: 100Mbps | на замовлення 6988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP02BF-C | ATGBICS | Description: Compatible SFP 155Mb Packaging: Tray Connector Type: LC Duplex Wavelength: 1310nm Mounting Type: Pluggable, SFP Voltage - Supply: 3.3V Applications: Networking, General Purpose Data Rate: 100Mbps | на замовлення 6705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP03FFE6-C | ProLabs | Description: Ciena NTTP03FFE6 Compatible TAA Packaging: Retail Package Part Status: Active | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP03FFE6-C | Amphenol ProLabs | Fibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Ciena NTTP03FFE6 Compatible TAA OC-48-LR2 SFP Transceiver (SMF, 1550nm, 80km, LC) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTP05EF-C | ATGBICS | Description: SFP 1000Base-EX 1310nm 40K Packaging: Tray Connector Type: LC Duplex Wavelength: 1310nm Mounting Type: Pluggable, SFP Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V Applications: Ethernet Data Rate: 1.25Gbps | на замовлення 6847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP06AF-IO | Integra Optics | Description: SFP 1G SX CIENA Packaging: Bulk Connector Type: LC Wavelength: 850nm Mounting Type: Pluggable, SFP Voltage - Supply: 3.3V Applications: Ethernet Data Rate: 1Gbps | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP06AFE6-C | ATGBICS | Description: FIBER TXRX SFP 1GBPS 850NM Packaging: Retail Package Part Status: Active Data Rate: 1Gbps Applications: Ethernet Voltage - Supply: 3.3V Mounting Type: Pluggable, SFP Wavelength: 850nm Connector Type: LC | на замовлення 4136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP06CF-C | ATGBICS | Description: 1000BASE-LX SFP 1310nm 10km Packaging: Tray Connector Type: LC Wavelength: 1310nm Mounting Type: Pluggable, SFP Voltage - Supply: 3.3V Applications: General Purpose Data Rate: 1Gbps | на замовлення 7817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP06CF-E6-C | ATGBICS | Description: SFP 1000Base-LX 1310nm 10km Packaging: Tray Connector Type: LC Wavelength: 1310nm Mounting Type: Pluggable, SFP Voltage - Supply: 3.3V Applications: Ethernet, Networking Data Rate: 1000Mbps | на замовлення 9458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP06CFE6-C | ATGBICS | Description: 1000BASE-LX SFP 1310nm 10km Packaging: Tray Connector Type: LC Wavelength: 1310nm Mounting Type: Pluggable, SFP Voltage - Supply: 3.3V Applications: General Purpose Data Rate: 1Gbps | на замовлення 8914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP06CFE6-C | Amphenol ProLabs | Fibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Ciena NTTP06CFE6 Compatible TAA Compliant 1000Base-LX SFP Transceiver (SMF, 1310nm, 10km, LC, DOM) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTP07FFE6-IO | Integra Optics | Description: SFP 1G ZX CIENA Packaging: Bulk Connector Type: LC Wavelength: 1550nm Mounting Type: Pluggable, SFP Voltage - Supply: 3.3V Applications: Ethernet Data Rate: 1Gbps | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP51BD-IO | Integra Optics | Description: SFP 1G LX CIENA Packaging: Bulk Connector Type: LC Wavelength: 1310nm Mounting Type: Pluggable, SFP Voltage - Supply: 3.3V Applications: Ethernet Data Rate: 1Gbps | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP58BD-C | Amphenol ProLabs | Fibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Ciena NTTP58BD Compatible TAA 1000Base-BX SFP Transceiver (SMF, 1310nmTx/1490nmRx, 10km, LC, DOM) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTP80BA-C | ATGBICS | Description: 10GBASE XFP 1310nm 10km Data Rate: 10Gbps Applications: Ethernet Voltage - Supply: 3.3V Mounting Type: Pluggable, XFP Wavelength: 1310nm Connector Type: LC Packaging: Retail Package | на замовлення 4152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTP80BA-IO | Integra Optics | Description: XFP 10G LR CIENA | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTS2P02 | ON | 07+ Micro-8 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTS2P02R2 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTS2P02R2 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTTS2P02R2 - NTTS2P02R2, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTS2P02R2 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTS2P02R2G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8 | на замовлення 19960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NTTS2P02R2G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTS2P03 | ON | 07+ Micro-8 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTS2P03R2 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTTS2P03R2 | NO | 04+ SOP | на замовлення 43549 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

