Продукція > RJ1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RJ13SR103Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 10KOHM 0.75W PC PIN SIDE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR104Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 100K OHM 0.75W PC PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR105Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 1M OHM 0.75W PC PIN SIDE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR200Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 20 OHM 0.75W TH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR201Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 200 OHM 0.75W TH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR202Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 2K OHM 0.75W TH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR203Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 20K OHM 0.75W TH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR204Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 200K OHM 0.75W PC PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR205Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 2M OHM 0.75W TH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR253Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 25K OHM 0.75W TH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR254Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 250K OHM 0.75W TH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR500Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 50 OHM 0.75W TH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR501Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 500OHM 0.75W PC PIN SIDE
Part Status: Active
Resistive Material: Cermet
Termination Style: PC Pins
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: Rectangular - 0.535" x 0.492" Face (13.60mm x 12.50mm)
Adjustment Type: Side Adjustment
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Tolerance: ±10%
Power (Watts): 0.75W, 3/4W
Packaging: Bulk
Number of Turns: 1
Resistance: 500 Ohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR502Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 5K OHM 0.75W PC PIN SIDE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR503Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 50KOHM 0.75W PC PIN SIDE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR504Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 500K OHM 0.75W PC PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ13SR505Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 5M OHM 0.75W PC PIN SIDE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14TE ConnectivityAluminium Die-cast Enclosure
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10455.63 грн
3+10122.60 грн
5+9484.58 грн
10+8560.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14 вилка 6P4C (KLS12-RJ12-6P4C - KLS)
Код товару: 143400
Додати до обраних Обраний товар
KLSРоз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Функціональний опис: Вилка 6P4C
Тип: RJ14
Вилка/гніздо: Вилка
...C (к-сть контактів): 6P4C
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+20.00 грн
10+2.00 грн
100+1.00 грн
1000+0.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1/4W-1.5K?F\R-25FTE52????\????0408\0782
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1/4W-100?±1%N/AN/A
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1/4W-100k?±1%N/An/a
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1/4W-10LKN/AN/A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1/4W-130k?±2%N/An/a
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1/4W-2.4K?F??????????
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1/4W-2.7k?±2%N/AN/A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1/4W-22k?±1%N/AN/A
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1/4W-27.1K?F??????????
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1/4W-2k?±1%N/AN/A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1/4W-3.01K?F????
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1/4W-33k?±1%N/An/a
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1/4W-4.7K?F\R-25FTE52-4K7????\????0642
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1/4W-6.8k?±2%N/AN/A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1/4W-9.1k?±2%N/An/a
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-10
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-100
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-100K
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-10K
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1102-FT52NWY01+
на замовлення 5255 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-15K
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-1K
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-2.2K
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-2.7K
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-200
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-2002-FT52?????04+
на замовлення 11005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-2402-FT52NANWUN/A
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-4.7K
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-4702-FT52??????????
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ14-51R1-FT52NANWUSHIYIN/A
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ15RAYCHEM RPGCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 160mm; Y: 160mm; Z: 90mm; ALUEIN-RJ; grey
Type of enclosure: multipurpose
Manufacturer series: ALUEIN-RJ
Dimension X: 160mm
Dimension Y: 160mm
Dimension Z: 90mm
Enclosure material: aluminium
Body colour: grey
IP rating: IP66
Mechanical impact resistance: IK09
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2686.00 грн
3+2328.09 грн
5+2309.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ15-1002-FT52????????05+
на замовлення 4013 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ15-14-N-5M X2XGXXXDPepperl+Fuchs, Inc.Description: INDUCTIVE NAMUR
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJ15-153-JT52?????N/A
на замовлення 9405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1632FR005CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.005 OHM 1% 1W 1206 WIDE
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 1206 (3216 Metric), 0612
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1632
Height - Seated (Max): 0.028" (0.71mm)
Resistance: 5 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1632FR005CSSamsung Electro-MechanicsRes Thick Film 0612 0.005 Ohm 1% 1W ±100ppm/°C Sulfur Resistant Wide Terminal SMD T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1632FR010CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 10M OHM 1% 1W 1206 WIDE
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 1206 (3216 Metric), 0612
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1632
Height - Seated (Max): 0.028" (0.71mm)
Resistance: 10 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1632FR010CSSamsung Electro-MechanicsThick Film Wide Terminal Type Current Sensing Resistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1632FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1W 1206 WIDE
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 1206 (3216 Metric), 0612
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1632
Height - Seated (Max): 0.028" (0.71mm)
Resistance: 20 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1632FR020CSSamsung Electro-MechanicsThick Film Wide Terminal Type Current Sensing Resistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1632FR050CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 50M OHM 1% 3/4W 1206 WIDE
Power (Watts): 0.75W, 3/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 1206 (3216 Metric), 0612
Size / Dimension: 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1632
Height - Seated (Max): 0.028" (0.71mm)
Resistance: 50 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ18TE ConnectivityAluminium Die-cast Enclosure
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+13204.09 грн
3+12788.27 грн
5+11989.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ18RAYCHEM RPGCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 230mm; Y: 330mm; Z: 110mm; ALUEIN-RJ
Type of enclosure: multipurpose
Manufacturer series: ALUEIN-RJ
Dimension X: 230mm
Dimension Y: 330mm
Dimension Z: 110mm
Enclosure material: aluminium
Body colour: grey
IP rating: IP66
Mechanical impact resistance: IK09
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6632.81 грн
3+5774.10 грн
5+5346.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1A60D90EPCarlo Gavazzi Computing SolutionsRJ1A60D90EP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1C-12SWorld Products Inc.RJ1C-12S
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+448.35 грн
60+284.46 грн
111+127.65 грн
260+98.57 грн
500+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1C-24SWorld Products Inc.RJ1C-24S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+747.95 грн
50+387.90 грн
100+170.05 грн
250+145.61 грн
500+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G04BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 130A, TO-263AB, Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G08CGNTLLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.47 грн
10+118.58 грн
100+81.70 грн
500+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G08CGNTLLROHM SemiconductorMOSFETs RJ1G08CGN is a power MOSFET with low-on resistance and High power small mold package (LPTL), suitable for switching.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G08CGNTLLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G08CGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.89 грн
100+152.74 грн
250+146.61 грн
500+136.27 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G10BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RJ1G10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1430 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+505.59 грн
10+353.59 грн
100+259.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G10BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 280A, TO-263AB, Power MOSFET : RJ1G10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G10BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RJ1G10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1430 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+353.59 грн
100+259.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G12BGNTLLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: LPTL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+171.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G12BGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+334.99 грн
45+320.60 грн
50+308.38 грн
100+287.28 грн
250+257.93 грн
500+240.88 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G12BGNTLLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: LPTL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 20 V
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.34 грн
10+268.48 грн
100+217.17 грн
500+181.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G12BGNTLLROHM SemiconductorMOSFETs RJ1G12BGN is a Power MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching.
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L04BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RJ1L04BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.20 грн
10+208.09 грн
100+147.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L04BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 100A, TO-263AB, Power MOSFET
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L04BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RJ1L04BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L08CGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.09 грн
85+166.50 грн
100+160.84 грн
250+150.39 грн
500+135.47 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L08CGNTLLROHM SemiconductorMOSFETs RJ1G08CGN is a power MOSFET with low-on resistance and High power small mold package, suitable for switching.
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L08CGNTLLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L08CGNTLLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
10+175.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L10BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 240A, TO-263AB, Power MOSFET : RJ1L10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L10BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RJ1L10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1850 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+525.10 грн
10+355.21 грн
100+261.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L12BGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+271.42 грн
55+261.09 грн
100+252.23 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L12BGNTLLROHM SemiconductorMOSFETs LPTL N CHAN 60V
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L12BGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+271.42 грн
55+261.09 грн
100+252.23 грн
250+235.84 грн
500+212.43 грн
1000+198.95 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L12BGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+248.86 грн
66+216.40 грн
100+206.78 грн
500+182.00 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L12CGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L12CGNTLLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 120A POWER MOSFET: RJ1L1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+250.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L12CGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.10 грн
66+216.53 грн
100+209.17 грн
250+195.59 грн
500+176.17 грн
1000+164.99 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L12CGNTLLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 120A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1L12CGNTLLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 120A POWER MOSFET: RJ1L1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.21 грн
10+409.70 грн
100+335.68 грн
500+268.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1N04BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1N04BBHTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1N04BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.62 грн
10+192.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1N10BBHTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 80V 235A, TO-263AB, Power MOSFET
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P04BBHTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 40A, TO-263AB, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.82 грн
10+177.22 грн
100+124.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]