Продукція > SUP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SUP85N03-04PVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUP85N03-3M6P-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N03-04P-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUP85N03-3M6P-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N03-04P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N03-07PVishay / SiliconixMOSFET 30V 85A 107W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N03-07P
на замовлення 43322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N03-3M6P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3535 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 78.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N03-3M6P-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30 Volts 85 Amps 78.1 Watts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N04
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N04-03SILCONIXTO220 00+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N04-03-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 85A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N04-04
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N06
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N06-05Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUP90N06-6M0P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N06-05
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N06-05-E3Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUP90N06-5M0P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N08-08
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
sup85n10
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SUP85N10-10-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10VISHAY05+ QFP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+244.89 грн
75+190.37 грн
100+188.95 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 85A N-CH MOSFET
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+442.22 грн
37+382.82 грн
50+378.86 грн
100+337.32 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; 250W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 105nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+376.62 грн
10+239.02 грн
25+206.31 грн
50+204.63 грн
100+189.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.41 грн
10+190.78 грн
100+189.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.21 грн
50+208.91 грн
100+207.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+303.33 грн
60+238.08 грн
100+218.09 грн
500+175.94 грн
1000+157.43 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUP85N10-10-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.33 грн
50+238.08 грн
100+218.09 грн
500+175.94 грн
1000+157.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.32 грн
50+206.92 грн
100+205.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0105 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.23 грн
10+237.35 грн
100+232.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+109.86 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+489.74 грн
50+384.14 грн
100+352.46 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 240A
Drain current: 85A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+346.81 грн
10+264.17 грн
50+207.15 грн
100+190.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+110.03 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10P-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N15VISHAY09+
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N15-21
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N15-21-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+397.93 грн
39+365.47 грн
50+313.77 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N15-21-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V 85A 300W 21mohm @ 10V
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N15-21-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N15-21-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N15-21-E3
Код товару: 59017
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N15-21-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+434.02 грн
36+392.91 грн
100+328.98 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N15-21-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+434.02 грн
10+392.91 грн
100+328.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N15-21-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUP85N15-21-E3 - N CH MOSFET
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2.4
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N15-21-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+226.96 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 150A; Idm: 250A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP90100E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 150 A, 0.0109 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+387.73 грн
10+256.05 грн
100+182.08 грн
500+138.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 150A N-CH MOSFET
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 100 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90140E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90140E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.57 грн
10+191.83 грн
100+148.75 грн
500+117.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90140E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 90A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90140E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90140E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90140E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4132 pF @ 100 V
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.09 грн
50+141.22 грн
100+128.23 грн
500+98.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90140E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
на замовлення 37620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31200 pF @ 100 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.17 грн
50+139.15 грн
100+126.31 грн
500+97.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.61 грн
70+202.53 грн
76+187.45 грн
100+171.21 грн
500+156.93 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP90142E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 90
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ThunderFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.61 грн
10+202.53 грн
25+187.45 грн
100+171.21 грн
500+156.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90220E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.48 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90220E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90220E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP90220E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 64 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 64
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 230
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ThunderFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90220E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.48 грн
10+142.00 грн
100+123.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90220E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90220E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90220E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90220E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 64A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90330E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90330E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
50+68.49 грн
100+61.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90330E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 35.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90330E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35.8A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35.8A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90330E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP90330E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.8 A, 0.0312 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 35.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0312
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N03-03-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 28.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N04
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N04-3M3P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5286 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N04-3M3P-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40 Volts 90 Amps 125 Watts
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-05
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-05L
на замовлення 10006 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-05L-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 90A 300W 4.9mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-5M0P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Strip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-6M0P-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 90A 272W 6.0mohm @ 10V
на замовлення 4194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-6M0P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-6M0P-E3
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-6M0P-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 272W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-6M0P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-6M0P-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUP90N06-6M0P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.61 грн
10+233.29 грн
100+128.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-6M0P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-6M0P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.43 грн
8+103.62 грн
10+100.11 грн
100+94.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N08
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]