Продукція > SiR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIR323-5Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Part Status: Active
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Viewing Angle: 35°
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Orientation: Top View
Type: Infrared (IR)
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 875nm
Package / Case: Radial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR330DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR330DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333-AEVERLIGHT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333-AEVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; blue; 20°; λp max: 875nm; THT; 20mA; 7.8mW/sr
Type of diode: IR transmitter
LED diameter: 5mm
LED lens: blue
Viewing angle: 20°
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
LED current: 20mA
radiant intensity: 7.8mW/sr
Operating voltage: 1.3V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333-AEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 7.8mW/sr @ 20mA
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Viewing Angle: 20°
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Orientation: Top View
Type: Infrared (IR)
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 875nm
Package / Case: Radial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333-A/TR1(R)EVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; blue; 20°; λp max: 875nm; 20mA; 7.8mW/sr
Type of diode: IR transmitter
LED diameter: 5mm
LED lens: blue
Viewing angle: 20°
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
LED current: 20mA
radiant intensity: 7.8mW/sr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333/H19-R11EVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; blue; 20°; 1.3÷1.6VDC; 875nm; THT; 20mA; 20mW/sr
Type of diode: IR transmitter
LED lens: blue
Viewing angle: 20°
Operating voltage: 1.3...1.6V DC
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
Mounting: THT
LED current: 20mA
radiant intensity: 20mW/sr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333/H19/F51-R11EverlightInfrared Emitters
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333/H19/F51-R11Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V, 2.6V
Viewing Angle: 15°
Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 15mW/sr @ 50mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333/H19/F51-R11 S7440EVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; blue; 20°; 1.3÷1.6VDC; 875nm; THT; 20mA; 20mW/sr
Type of diode: IR transmitter
LED lens: blue
Viewing angle: 20°
Operating voltage: 1.3...1.6V DC
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
Mounting: THT
LED current: 20mA
radiant intensity: 20mW/sr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333CEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 7.8mW/sr @ 100mA
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Viewing Angle: 20°
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V, 2.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Orientation: Top View
Type: Infrared (IR)
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 875nm
Package / Case: Radial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR333CEverlightInfrared Emitters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR341STA49
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR341STA9
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR36150Brady CorporationDescription: (RUG) SIR36150, INDUSTRIAL RUG,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR383Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR383
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR383EverlightInfrared Emitters Infrared LED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR383CEverlightInfrared Emitters Infrared LED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR383CEverlight Electronics CO., LTDInfrared Emitter 875nm 950mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR383CEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Part Status: Active
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 11mW/sr @ 20mA
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Viewing Angle: 20°
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Orientation: Top View
Type: Infrared (IR)
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 875nm
Package / Case: Radial
Packaging: Bulk
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.23 грн
11+28.44 грн
100+20.56 грн
500+15.99 грн
1000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR3850A
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.47 грн
10+74.77 грн
50+56.01 грн
100+46.88 грн
500+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 39W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 310nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.76 грн
9000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 9938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 6000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 6000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.92 грн
10+122.02 грн
50+93.02 грн
100+78.52 грн
500+63.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -40A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 56.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 7315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.66 грн
10+64.29 грн
50+47.95 грн
100+40.03 грн
500+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 114967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V
на замовлення 30671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.72 грн
10+128.03 грн
50+97.80 грн
100+82.62 грн
500+66.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR404DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.70 грн
9000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR406DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2083 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR408DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR410DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR410DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR410DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR410DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR410DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.47 грн
10+74.54 грн
100+49.81 грн
500+36.76 грн
1000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR412DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR412DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR412DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 12902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V
на замовлення 5034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.31 грн
10+110.84 грн
100+75.53 грн
500+56.70 грн
1000+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR414DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4156LDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.89 грн
10+88.57 грн
100+59.66 грн
500+44.36 грн
1000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR418DP-T1-E3VISHAYQFN 10+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.35 грн
6000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 11014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.88 грн
10+78.93 грн
100+53.14 грн
500+39.51 грн
1000+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418M000S041NextGen ComponentsDescription: 418MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035
Frequency: 418 MHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency Tolerance: ±50kHz
Height: 0.059" (1.50mm)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: SAW
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418M000S042NextGen ComponentsDescription: 418MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 418 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422 21VDC
Код товару: 128096
Додати до обраних Обраний товар
Реле
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR422DP-T1-E3
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.83 грн
6000+41.05 грн
9000+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.87 грн
10+76.31 грн
100+51.14 грн
500+37.86 грн
1000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 24489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+55.96 грн
257+55.01 грн
291+48.59 грн
294+46.39 грн
500+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3
Код товару: 101557
Додати до обраних Обраний товар

8542399000
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 22.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.06 грн
5+91.64 грн
10+80.51 грн
25+65.95 грн
100+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 13561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.20 грн
6000+41.40 грн
9000+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.07 грн
14+55.96 грн
25+55.01 грн
100+46.86 грн
250+42.95 грн
500+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 41.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]