Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7379TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7379TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 5.8A/4.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.8/-4.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45/90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF737LCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF737LCIRTO-220AB
на замовлення 35965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF737LCLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF737LCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF737LCSVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF737LCSTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF737LCSTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380
Код товару: 32210
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380PBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7380PBF - IRF7380 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 80V DUAL N-CH HEXFET 73mOhm VGS 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380QTRPBFIOR
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+104.90 грн
4001+93.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRInfineonN-MOSFET 3.6A 80V 2W 0.073Ω IRF7380 smd TIRF7380
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TR-CNCHIPNOBOTransistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7380; IRF7380TR; SP001555280; SP001574936; IRF7380TR-CN CHIPNOBO TIRF7380 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TR-MLMOSLEADERTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7380; IRF7380TR; SP001555280; SP001574936; IRF7380TR-ML MOSLEADER TIRF7380 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFIRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 80V 3.6A
на замовлення 17912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.91 грн
10+67.61 грн
100+46.02 грн
500+38.96 грн
1000+31.77 грн
2000+29.75 грн
4000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInfineonMOSFET 2N-CH 80V 3.6A SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.39 грн
50+73.64 грн
250+62.48 грн
1000+41.53 грн
2000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF
Код товару: 43150
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFIRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+48.57 грн
8000+45.30 грн
12000+43.64 грн
20000+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.64 грн
250+62.48 грн
1000+41.53 грн
2000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.70 грн
10+49.62 грн
100+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF .09= QFN
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin DSO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7381IR03+
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7381TRPBFIOR
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7388TRPBFIR
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389PBF
Код товару: 25148
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3/5,3A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 33 шт
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+16.00 грн
10+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRInfineonN/P-MOSFET HEXFET 7.3A, 5.3A 30V 2.5W 0.058Ω IRF7389 TIRF7389
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRUMWTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 7,3A/5,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7389; IRF7389TR; SP001574944; SP001554234; IRF7389TR UMW TIRF7389 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBIR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.87 грн
8000+34.31 грн
12000+33.37 грн
20000+30.78 грн
28000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+34.13 грн
1000+32.46 грн
2000+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
741+47.87 грн
1000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.09 грн
50+66.23 грн
250+43.99 грн
1000+29.12 грн
2000+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 41087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.84 грн
10+64.75 грн
100+43.01 грн
500+31.59 грн
1000+28.77 грн
2000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+34.13 грн
1000+32.47 грн
2000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.87 грн
8000+34.31 грн
12000+33.37 грн
20000+30.77 грн
28000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.99 грн
8000+24.20 грн
12000+23.29 грн
20000+20.89 грн
28000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 13710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+94.03 грн
228+62.44 грн
500+48.87 грн
1000+42.90 грн
2000+36.44 грн
4000+32.34 грн
8000+30.11 грн
12000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
на замовлення 5269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.53 грн
10+66.81 грн
100+38.61 грн
500+30.24 грн
1000+27.51 грн
2000+25.28 грн
4000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.56 грн
250+48.88 грн
1000+32.38 грн
2000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400 Volt 10 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STM(MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740
Код товару: 18286
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+23.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740VishayTransistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+54.31 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740-ML MOSLEADER TIRF740 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 20V 8.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.14 грн
25+137.02 грн
100+78.44 грн
500+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401PBFInternational RectifierHEXFET SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401PBF
Код товару: 47551
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/48
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+15.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 8.7A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 12A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR JSMICRO TIRF7401 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRIR0449+
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRUMWDescription: MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TR-VBVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: YFW4406AS; IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TR-JSM; IRF7401TR TIRF7401 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRPBFInternational RectifierHEXFET SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 20V 8.7A 22mOhm 32nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8.7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7401TRPBF - IRF7401 MOSFET N-CHANNEL SINGLE 20V 8.7
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
744+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 744 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 8.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7402IRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7402PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]