Продукція > SI4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4931DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.72 грн
10+71.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.35 грн
10+95.54 грн
100+64.84 грн
500+48.52 грн
1000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.24 грн
10+87.72 грн
25+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4932DY-T1-E3
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4932DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 13586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.46 грн
10+84.59 грн
100+57.03 грн
500+42.45 грн
1000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4932DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
на замовлення 20549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4932DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.78 грн
5000+34.80 грн
7500+33.51 грн
12500+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4932DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4933DY
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4933DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4933DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4933DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4933DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4933DYT1E3VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4934
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4935VISHAY
на замовлення 66200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4935DY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4935DY-T1-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936SISOP-8
на замовлення 24180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ASI
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936AA
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADV
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADYVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4936ADY-T1-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-E1
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1
на замовлення 606 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.21 грн
10+118.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 5.9A 2W
на замовлення 10773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 5.9A 2.0W 36mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDYVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-EVISHAY08+ SOT23-5
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30 Volt 6.9 Amp 2.8W
на замовлення 22504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-E3
Код товару: 169655
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.82 грн
142+100.17 грн
200+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.9A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2.8W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 6.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 51mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 6.9A 2.8W 35mohm @ 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-TI-E3
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N SI4936CDY-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY TSI4936cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.65 грн
10+42.37 грн
100+27.67 грн
500+20.01 грн
1000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.3W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 40mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.33 грн
11+38.29 грн
38+24.81 грн
104+23.50 грн
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+40.69 грн
500+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.65 грн
10+42.15 грн
50+31.10 грн
100+25.83 грн
500+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 19351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DSISOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DT-T1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DYFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+96.02 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4936DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DYON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.66 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DYON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.66 грн
500+121.67 грн
1000+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DY-T
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DY-T1SOP-8
на замовлення 50908 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DY-T1 SOP-8VISHAY
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DY-T1 SOP8VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DY-T1SOP-8
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DY-T1SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DYADY-T1-E3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4939DY-T1-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4940SISOP-8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4940DYVISHAY09+
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4940DY-E3
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4940DY-T1
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4940DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4940DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4940DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4940DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4940DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4941DY
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4941EDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4941EY-T1-E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4941EYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942SIEMENS01+ SOP
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DYVISHAY09+
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DYVishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.