Продукція > Si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4933DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4933DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4933DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4933DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4933DYT1E3VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4934
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4935VISHAY
на замовлення 66200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4935DY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4935DY-T1-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936SISOP-8
на замовлення 24180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ASI
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936AA
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADV
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADYVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4936ADY-T1-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-E1
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1
на замовлення 606 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 5.9A 2W
на замовлення 10773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.40 грн
10+125.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 5.9A 2.0W 36mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936ADYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDYVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-EVISHAY08+ SOT23-5
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30 Volt 6.9 Amp 2.8W
на замовлення 22504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.46 грн
142+99.95 грн
200+98.06 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-E3
Код товару: 169655
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 6.9A 2.8W 35mohm @ 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-TI-E3
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N SI4936CDY-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY TSI4936cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.95 грн
10+43.75 грн
100+28.57 грн
500+20.66 грн
1000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+40.60 грн
500+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 16352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.54 грн
10+44.44 грн
50+32.80 грн
100+27.24 грн
500+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.59 грн
7500+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DSISOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DT-T1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DYFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+99.15 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DYON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4936DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DYON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DY-T
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DY-T1SILOSOP-8
на замовлення 50908 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DY-T1 SOP-8VISHAY
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DY-T1 SOP8VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DY-T1SOP-8
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DY-T1SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DYADY-T1-E3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4939DY-T1-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4940SISOP-8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4940DYVISHAY09+
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4940DY-E3
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4940DY-T1
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4940DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4940DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4940DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4940DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4940DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4941DY
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4941EDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4941EY-T1-E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4941EYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942SIEMENS01+ SOP
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DYVishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DYVISHAY09+
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI4288DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI42
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-E3VISHAY1015+ SOP8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-E3
Код товару: 200889
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-E3pb
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4288DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DYT1E3VISHAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943SISOP-8
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.89 грн
10+119.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]