Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF740LCPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.48 грн
10+188.03 грн
50+145.76 грн
100+124.03 грн
500+101.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCS
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCSVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCSTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCSTRR
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCSTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740NIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740NPBFIR08+ QFP
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 17010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.09 грн
167+84.84 грн
500+74.14 грн
1000+67.42 грн
2000+57.63 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 6029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.48 грн
10+95.66 грн
100+89.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF
Код товару: 162988
2 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 631 шт
  • 557 шт - склад
  • 52 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+35.00 грн
10+31.90 грн
100+28.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+150.42 грн
10+92.27 грн
40+79.57 грн
50+77.88 грн
100+71.11 грн
250+63.49 грн
500+59.26 грн
1000+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,125W,400V,10A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 17019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.94 грн
10+93.09 грн
100+85.77 грн
500+72.28 грн
1000+63.12 грн
2000+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 6449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.60 грн
10+145.29 грн
50+111.55 грн
100+94.49 грн
500+76.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+144.88 грн
101+140.93 грн
111+127.76 грн
250+110.50 грн
500+95.26 грн
1000+84.67 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+129.48 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF
Код товару: 24032
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Монтаж: THT
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+42.00 грн
10+38.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBFVishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF
Код товару: 181684
Додати до обраних Обраний товар
КитайТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+25.00 грн
10+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 3311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.92 грн
10+162.12 грн
50+125.02 грн
100+106.10 грн
500+86.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.50 грн
2000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF740PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 10A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+164.64 грн
94+151.47 грн
104+136.98 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 4562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.50 грн
2000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.15 грн
10+101.58 грн
25+90.58 грн
50+83.80 грн
100+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PFB
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SSiliconixTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF740STR IRF740STRL IRF740STRR IRF740S IRF740S VISHAY TIRF740s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SSTM(MFET,N-CH,125W,400V,10A, D2PACK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740S2515HARRISIRF740S2515
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.75 грн
500+97.87 грн
1000+90.26 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740S2515Harris CorporationDescription: 10A, 400V, 0.55OHM, N-CHANNEL, P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+80.25 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.83 грн
83+171.24 грн
100+154.32 грн
500+111.72 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF
Код товару: 154285
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: SMD
у наявності: 23 шт
  • 22 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+85.00 грн
10+77.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.71 грн
10+192.31 грн
50+173.48 грн
100+150.76 грн
500+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.49 грн
10+175.84 грн
50+136.02 грн
100+115.60 грн
500+94.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF
Код товару: 32580
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,48 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/35
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+62.00 грн
10+57.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+246.14 грн
10+158.30 грн
25+133.75 грн
50+117.67 грн
100+106.66 грн
150+100.73 грн
250+94.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+288.45 грн
59+242.35 грн
67+213.37 грн
100+186.70 грн
150+163.46 грн
250+146.76 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+81.96 грн
100+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRL
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF740STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.60 грн
2400+109.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.49 грн
10+175.84 грн
50+136.02 грн
100+115.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.60 грн
2400+109.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.32 грн
2400+85.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF740STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.86 грн
2400+97.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+97.58 грн
2400+96.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRRPBFIR09+ MSOP-8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF741Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+103.08 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF741HARRISIRF741
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.94 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410
Код товару: 30165
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,007 Ом
товару немає в наявності
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410GTRPBFInfineonMOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410GTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7410GTRPBF - IRF7410 16A, 12V, 0.007OHM, P-CHANNEL P
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
788+44.82 грн
1000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 788 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 91nC
на замовлення 8160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 16A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.68 грн
50+36.88 грн
100+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -12V HEXFET 7mOhms 91nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRInfineonP-MOSFET 16A 12V 2.5W 0.007Ω IRF7410 smd TIRF7410
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13mOhm; 14A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7410; IRF7410GTR; IRF7410TR; SP001555300; SP001565508; SP001559852; IRF7410TR JSMICRO TIRF7410 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 91nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+54.98 грн
1000+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+50.02 грн
1000+44.81 грн
2000+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+50.60 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7411IR09+
на замовлення 4266 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]