Продукція > si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 59 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4942DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI4288DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-E3
Код товару: 200889
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI4288DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-E3VISHAY1015+ SOP8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-E3pb
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4288DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4942DYT1E3VISHAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943SISOP-8
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.27 грн
10+115.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 8.4A 2W
на замовлення 31705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 8.4A 2.0W 19mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943BDYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.42 грн
10+106.81 грн
100+72.89 грн
500+54.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.19 грн
10+107.11 грн
100+73.15 грн
500+55.01 грн
1000+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4943CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0275 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0275ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+84.78 грн
180+78.22 грн
182+77.43 грн
198+68.74 грн
250+62.97 грн
500+60.35 грн
1000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.78 грн
10+78.22 грн
25+77.43 грн
100+68.74 грн
250+62.97 грн
500+60.35 грн
1000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943DYVISHAY09+
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943DY-T1VISHAYSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943DY-T1 SOP-8VISHAY
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4943DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943DY-T1SOP-
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943DY-T1SOP-8VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943DYT1E3VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4944
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4944DY
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4944DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4944DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4944DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4944DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4202DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4944DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4944DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4944DYT-T1-E3
на замовлення 98300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4944DYT1E3VISHAY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946SIEMENS01+ SOP
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946-3
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946AEYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-E3
Код товару: 128848
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4946BEY-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1VishayMOSFT 2 N-Ch 60V 6.5A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3Vishay Semiconductor2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,7, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3
Код товару: 196051
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 6.5A 3.7W
на замовлення 37511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3SiliconixTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3VishayMOSFET 2 N-Ch 60V 4.4A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4946BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+199.50 грн
111+127.38 грн
200+123.63 грн
500+84.26 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 5.3A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4946BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3Vishay Siliconix2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 30, Qg, нКл = 10, Rds = 40,9 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 2,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.1A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 25A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946DY
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946DY-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946DY-T1-E3
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946EYVishay / SiliconixMOSFETs 60V 4.5A 2.4W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946EYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946EY-T1VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946EY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946EYT1VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946EYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947SI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947ASIO6
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4947ADYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 42 48 54 59 60 61 62 63 64 65 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]