Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7422D2TRPBF | IOR | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7422TR | IR | 09+ | на замовлення 3460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7422TRPBF | IR | SOP8 07+08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7423 | IOR | 09+ SO-8 | на замовлення 1040 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7423TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7424 | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4030 @ 25, Qg, нКл = 110, Rds = 13.5 мОм, Ugs(th) = 10, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 4000 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7424 | International Rectifier | P-MOSFET 11A 30V 2.5W 13.5mΩ IRF7424 TIRF7424 кількість в упаковці: 95 шт | на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7424GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7424PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7424PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 13.5mOhms 75nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7424PBF Код товару: 39774
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Id,A: 11 A Rds(on),Om: 0,0135 Ohm Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRF7424PBF | International Rectifier | MOSFET P-Ch, 30V, 11A, SOIC-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7424PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7424PBF - IRF7424 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7424PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7424PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7424TR | IR | 04+ | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7424TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7424TRPBF Код товару: 54104
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7424TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm | на замовлення 11195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7424TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 11903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7424TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V | на замовлення 12785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7424TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7424TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC Транзистори | на замовлення 174 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7424TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7424TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -30V -11A 13.5mOhm 75nC | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7424TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 285 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7425 | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7425 | TECH PUBLIC | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425 | TECH PUBLIC | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425PBF | IRF7425PBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7425PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 15 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15, Qg, нКл = 130 @ 4,5 В, Rds = 8,2 мОм @ 15 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 95 шт | на замовлення 33 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7425PBF | Infineon Technologies | MOSFET 20V 1 P-CH HEXFET 8.2mOhms 87nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7425PBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7425PBF Код товару: 20322
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Id,A: 15 A Rds(on),Om: 0,0082 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 7980/87 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRF7425PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7425TR | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 17mOhm; 14A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7425; IRF7425TR; SP001563588; SP001555316; IRF7425TR JSMICRO TIRF7425 JSM кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7425TR | International Rectifier | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7220; IRF7220; IRF7425TR; IRF7425; IRF7425-GURT; IRF7425TR-VB; IRF7425; IRF7425TR-VB; IRF7425TR TIRF7425 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3715 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TR | International Rectifier | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7220; IRF7220; IRF7425TR; IRF7425; IRF7425-GURT; IRF7425TR-VB; IRF7425; IRF7425TR-VB; IRF7425TR TIRF7425 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 34 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TR-CN | CHIPNOBO | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 20A; 10W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7425; IRF7425TR; SP001563588; SP001555316; IRF7425TR-CN CHIPNOBO TIRF7425 CNB кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TR-VB | VBsemi | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4Ohm; 13,5A; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7425TR-VB; IRF7425TR; IRF7425 TIRF7425 c кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -20V -15A 8.2mOhm 87nC | на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -15A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | на замовлення 4439 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF Код товару: 172358
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm | на замовлення 1012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 15, Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15, Qg, нКл = 130, Rds = 8,2 мОм, Ugs(th) = 1.2 В @ 250мкА, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 95 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V | на замовлення 3133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm | на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon | SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 27725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2900 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7426TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta) Supplier Device Package: 8-SO Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF743 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433HR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433PBF | Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 24mOhms 20nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433PBF Код товару: 172872
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 12 V Id,A: 8,9 A Rds(on),Om: 24 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1877/20 Примітка : Ultra Low On-Resistance Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRF7433PBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433TRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -12V -8.9A 24mOhm 20nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7433TRPBF Код товару: 190632
Додати до обраних
Обраний товар
| VBSEMI | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 12 V Id,A: 8,9 A Rds(on),Om: 24 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1877/20 Монтаж: SMD | у наявності: 81 шт
|
| ||||||||||||||
| IRF7433TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7435 | IOR | 01+ SOP | на замовлення 203 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF744 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Chan 450V 8.8 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF744 Код товару: 83522
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF744 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF744L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 450V 8.8A I2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: I2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF744L | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF744PBF | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Chan 450V 8.8 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF744PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 170mOhm; 2,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7450 TIRF7450 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7450PBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450PBF Код товару: 32457
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 200 V Idd,A: 2,5 A Rds(on), Ohm: 0,17 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 940/26 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRF7450PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 170mOhms 26nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ, Vdss В 200, Id 2.5, Ptot, Вт 2.5,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 95 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450TRPBF | International Rectifier | SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 200V 2.5A 170mOhm 26nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7450TRPBF | IR | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7450TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7451 | IR | SO-8 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 95 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 665 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 3.6A 90mOhm 28nC | на замовлення 6130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | на замовлення 7451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |

