Продукція > DMG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG3406L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.09 грн
51+16.18 грн
117+6.97 грн
500+6.07 грн
1500+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A
на замовлення 18794 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.57 грн
6000+5.16 грн
9000+5.09 грн
15000+4.62 грн
21000+4.19 грн
30000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1675+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 1675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7DiodesMOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
28+15.43 грн
50+10.58 грн
100+8.95 грн
500+6.23 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.57 грн
6000+5.16 грн
9000+5.09 грн
15000+4.62 грн
21000+4.19 грн
30000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V
на замовлення 14071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.47 грн
100+9.69 грн
500+6.75 грн
1000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 768000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.57 грн
6000+5.16 грн
9000+5.09 грн
15000+4.62 грн
21000+4.19 грн
30000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.57 грн
6000+5.16 грн
9000+5.09 грн
15000+4.62 грн
21000+4.19 грн
30000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 770mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DMG3406L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.07 грн
1500+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.57 грн
6000+5.16 грн
9000+5.09 грн
15000+4.62 грн
21000+4.19 грн
30000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.56 грн
6000+4.84 грн
9000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7-MLMOSLEADERDescription: N 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.61 грн
1000+2.46 грн
3000+2.29 грн
6000+2.11 грн
15000+2.04 грн
30000+1.96 грн
75000+1.81 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SC59
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 72mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.30 грн
6000+8.23 грн
9000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
14+21.66 грн
100+13.77 грн
500+9.70 грн
1000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.30 грн
6000+8.23 грн
9000+7.32 грн
24000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.62 грн
6000+7.55 грн
9000+6.71 грн
24000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 717000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.41 грн
36+22.60 грн
100+11.95 грн
500+9.74 грн
1000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 3174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 723000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V
на замовлення 725961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
13+24.61 грн
100+14.79 грн
500+12.85 грн
1000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 705000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.95 грн
500+9.74 грн
1000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V
на замовлення 723000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.90 грн
6000+8.22 грн
9000+7.39 грн
30000+6.84 грн
75000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3414U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 780mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.37 грн
50+29.42 грн
100+23.25 грн
500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UDIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 4.2A 25mΩ 780mW DMG3414U Diodes TDMG3414u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.09 грн
6000+9.78 грн
9000+9.32 грн
15000+8.27 грн
21000+7.98 грн
30000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 612 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 612 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7DiodesN-Channel 20 V 4.2A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
на замовлення 99029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+29.21 грн
100+18.77 грн
500+13.41 грн
1000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7
Код товару: 197913
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM
на замовлення 10822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.39 грн
500+12.15 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 21640 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+22.49 грн
100+14.34 грн
500+10.15 грн
1000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.77 грн
33+25.04 грн
100+17.39 грн
500+12.15 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
6000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH DFN-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes Inc./ZetexP-Channel 20V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
на замовлення 57534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
16+19.17 грн
100+12.11 грн
500+8.49 грн
1000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 8812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.84 грн
6000+8.84 грн
9000+8.77 грн
15000+7.43 грн
21000+6.82 грн
30000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7
Код товару: 138016
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.70 грн
9000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.07 грн
6000+6.17 грн
9000+5.85 грн
15000+5.15 грн
21000+4.95 грн
30000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 4A 39mΩ 900mW DMG3415U Diodes TDMG3415u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281.9 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET P-CHAN.
на замовлення 5763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4QDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.46 грн
100+18.28 грн
500+13.01 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
836+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 836 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
на замовлення 11203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.51 грн
500+14.49 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.52 грн
6000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.35W
Case: X2-DFN2015-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
Pulsed drain current: -12A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.04 грн
6000+9.72 грн
9000+9.25 грн
15000+8.19 грн
21000+7.90 грн
30000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
836+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 836 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.78 грн
29+28.37 грн
100+19.51 грн
500+14.49 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.35 грн
15+29.69 грн
100+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.57 грн
25+33.08 грн
100+21.30 грн
500+15.02 грн
1000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 777045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.29 грн
100+18.81 грн
500+13.40 грн
1000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2874000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.30 грн
500+15.02 грн
1000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 777000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.38 грн
6000+10.03 грн
9000+9.55 грн
15000+8.46 грн
21000+8.16 грн
30000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 11599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418LDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.64 грн
30000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]