Продукція > DMG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMG3414UDIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 4.2A 25mΩ 780mW DMG3414U Diodes TDMG3414u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 612 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7
Код товару: 197913
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.78W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 37mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 612 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7DiodesN-Channel 20 V 4.2A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Gate charge: 9.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 37mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Gate charge: 9.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 37mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 42640 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UGOODWORKDescription: 4A20V50m@4.5VSOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH DFN-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
на замовлення 70119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.53 грн
25+17.06 грн
50+13.95 грн
100+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 18171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.84 грн
6000+8.84 грн
9000+8.77 грн
15000+7.43 грн
21000+6.82 грн
30000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes Inc./ZetexP-Channel 20V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.70 грн
9000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
на замовлення 70119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.59 грн
9000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7
Код товару: 138016
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 4A 39mΩ 900mW DMG3415U Diodes TDMG3415u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281.9 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET P-CHAN.
на замовлення 5763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4QDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.52 грн
6000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
836+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 836 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.35W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -16V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: X2-DFN2015-3
On-state resistance: 65mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
836+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 836 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
на замовлення 9195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.70 грн
25+26.45 грн
50+21.72 грн
100+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2874000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.33 грн
9000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 71mΩ
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.87 грн
14+32.12 грн
100+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 26034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418LDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 900mW; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 5.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.64 грн
30000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W
на замовлення 16619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1337+10.58 грн
1598+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 1337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V
на замовлення 50250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.35 грн
9000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W
на замовлення 78184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 70mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V
на замовлення 50640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+20.00 грн
25+16.58 грн
50+13.53 грн
100+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
877+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 877 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.32 грн
6000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+3.16 грн
12000+2.94 грн
18000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7
Код товару: 155587
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes Inc./ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
19+16.68 грн
25+13.83 грн
50+11.28 грн
100+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4011+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 4011 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 5.47A 29mΩ 740mW DMG3420U-7 Diodes TDMG3420u
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.82 грн
9000+2.79 грн
30000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL
на замовлення 6829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7DIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 5.47A 29mΩ 740mW DMG3420U-7 Diodes TDMG3420u
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.08 грн
6000+6.66 грн
9000+5.90 грн
30000+5.47 грн
75000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3N60SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3N60SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (Type TH)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3N60SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3N60SJ3Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4406LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4406LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1281 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.