Продукція > FDB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDB3682onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel Pwr Trench
на замовлення 7224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.74 грн
10+140.52 грн
100+96.65 грн
500+95.96 грн
800+69.03 грн
2400+65.51 грн
4800+63.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682onsemiMOSFETs 100V N-Channel Pwr Trench
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.04 грн
10+137.34 грн
100+82.84 грн
500+78.70 грн
800+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.82 грн
500+81.52 грн
1000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3860Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3860Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3860Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30UonsemiMOSFETs UF 300V 120MOHM U DPAK
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.80 грн
10+213.56 грн
100+131.16 грн
500+105.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30UONSEMIDescription: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.39 грн
10+215.85 грн
100+153.83 грн
500+121.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30UonsemiDescription: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.79 грн
1600+98.64 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30UONSEMIDescription: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.83 грн
500+121.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30UonsemiDescription: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.21 грн
10+198.48 грн
100+140.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.03 грн
10+129.31 грн
100+89.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15Aonsemi / FairchildMOSFETs 150V NCHAN PwrTrench
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.43 грн
10+138.14 грн
100+83.53 грн
800+59.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15AONS/FAIN-Ch MOSFET 150V, 27A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15AonsemiMOSFETs 150V NCHAN PwrTrench
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.85 грн
10+137.34 грн
100+84.91 грн
500+71.11 грн
800+65.93 грн
2400+62.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3P50fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4010Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 40C BKR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4020Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch Spec Enhance MODE FIELD EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4020Pfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4020PONSEMIDescription: ONSEMI - FDB4020P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+69.43 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4020PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 5926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4030Lfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4030LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+61.84 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4035A06Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB Breaker 4 P 35A With AUX SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4035A13S10Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB Breaker 4 P 35A With Aux SW & S/T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4060Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 40C BKR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4060LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 40C BKR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4070LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 40C BKR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4090Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 40C BKR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB42AN15A0onsemi / FairchildMOSFETs Discrete Auto N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB42AN15A0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB42AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB42AN15A0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET TO263_03, SINGLE, N-CH, 150V, 42MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB42AN15A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB42AN15A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 35A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB42AN15A0_SN00093onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMonsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.87 грн
10+150.84 грн
100+91.12 грн
800+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.98 грн
1600+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
785+197.28 грн
Мінімальне замовлення: 785 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.069 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMonsemiMOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.28 грн
10+156.40 грн
100+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 10324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.53 грн
10+151.52 грн
100+105.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 307W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
на замовлення 533 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.86 грн
10+132.12 грн
20+120.49 грн
100+105.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+117.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.16 грн
1600+68.25 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+117.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMonsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Ch MOSFET
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.39 грн
10+119.88 грн
100+82.84 грн
500+80.08 грн
800+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.049 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.16 грн
10+140.94 грн
100+111.14 грн
500+94.23 грн
1000+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.23 грн
10+136.86 грн
100+95.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5645ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+283.50 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5645Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 30 V
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+273.17 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5645fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5680Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 7838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+129.50 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5680FAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5685fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5690fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 21703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5690Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.06 грн
10+166.92 грн
100+117.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800On SemiconductorMOSFET N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+146.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET
на замовлення 6097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.51 грн
10+179.42 грн
100+112.53 грн
800+93.20 грн
9600+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800
Код товару: 176853
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.47 грн
10+202.96 грн
100+142.56 грн
500+126.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+95.01 грн
1600+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800_F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6021PRochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 21255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+55.98 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6021Pfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6030fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6030BLRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 82680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6030BLON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6030LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB
на замовлення 22487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
614+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 614 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6030Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035A
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035ALfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035ALFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 172289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+104.70 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035ALonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035ALONSEMIDescription: ONSEMI - FDB6035AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 172284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+124.84 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035AL_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+249.93 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035LONSEMIDescription: ONSEMI - FDB6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+370.48 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6035Lfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB603ALfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB603ALFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 39200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+94.75 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6530AFAIRTO252
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6644fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB6644SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]