Продукція > FDB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDB3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+200.15 грн
100+182.96 грн
250+172.91 грн
800+159.85 грн
1600+143.08 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 10562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632ONS/FAIMOSFET N-CH 100V 80A 310W D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+243.98 грн
500+233.37 грн
1000+220.40 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+243.98 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3632. - MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632_SB82115onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 150W
Gate charge: 53nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 61A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.76 грн
5+140.05 грн
10+122.44 грн
25+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.28 грн
10+130.43 грн
100+90.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.57 грн
1600+87.78 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652
Код товару: 155755
1 Додати до обраних Обраний товар
VBSemiТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 61 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,016 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2880/41
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
  • 4 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+75.00 грн
10+69.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.43 грн
1600+87.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3652-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652SB82059ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3652SB82059 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652SB82059ON SemiconductorFDB3652SB82059
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+264.01 грн
500+249.87 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652SB82059Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+202.67 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+145.89 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3672-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 44
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.55 грн
10+135.11 грн
100+93.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672-F085onsemi / FairchildMOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 10213200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672_F085/BKNonsemiDescription: FDB3672_F085/BKN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682onsemiMOSFETs 100V N-Channel Pwr Trench
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel Pwr Trench
на замовлення 7224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.31 грн
10+142.20 грн
100+98.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3860Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3860Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3860Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30UonsemiMOSFETs UF 300V 120MOHM U DPAK
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30UonsemiDescription: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.15 грн
1600+102.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30UONSEMIDescription: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30UONSEMIDescription: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30UonsemiDescription: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.28 грн
10+206.58 грн
100+146.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.47 грн
10+137.37 грн
100+94.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15Aonsemi / FairchildMOSFETs 150V NCHAN PwrTrench
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.58 грн
1600+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15AONS/FAIN-Ch MOSFET 150V, 27A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15AonsemiMOSFETs 150V NCHAN PwrTrench
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3P50fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4010Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 40C BKR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4015LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 40C BKR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4020PONSEMIDescription: ONSEMI - FDB4020P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4020Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch Spec Enhance MODE FIELD EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4020PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 5926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4020Pfairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4030LFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4030Lfairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4035A06Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB Breaker 4 P 35A With AUX SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4035A13S10Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB Breaker 4 P 35A With Aux SW & S/T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4060Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 40C BKR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4060LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 40C BKR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4070LEaton ElectricalCircuit Breakers FDB 40C BKR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB4090Eaton ElectricalCircuit Breakers FDB 40C BKR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB42AN15A0onsemi / FairchildMOSFETs Discrete Auto N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB42AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB42AN15A0fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB42AN15A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB42AN15A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 35A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB42AN15A0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET TO263_03, SINGLE, N-CH, 150V, 42MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB42AN15A0_SN00093onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
785+196.84 грн
Мінімальне замовлення: 785 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.28 грн
1600+75.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMonsemiMOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 4077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.069 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 9393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.88 грн
10+162.05 грн
50+124.98 грн
100+106.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMonsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: UniFET™
Drain current: 26.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 69mΩ
Power dissipation: 307W
Gate charge: 61nC
на замовлення 533 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.41 грн
10+133.35 грн
20+121.60 грн
100+106.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.049 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.86 грн
1600+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]