Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC6683onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6683PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6683PZonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6683PZFairchild SemiconductorDescription: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL ,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6683_Ponsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6686PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.29 грн
10+113.98 грн
100+78.16 грн
500+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6686PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.64 грн
10+124.03 грн
100+107.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6686PON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8P 20/8V ER PQFN33
на замовлення 10729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6686PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6686PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -377A; 40W; Power33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -56A
Power dissipation: 40W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -377A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6686PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+59.48 грн
1000+54.86 грн
10000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+59.48 грн
1000+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 11150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+59.48 грн
1000+54.86 грн
10000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+59.48 грн
1000+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PON Semiconductor
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+59.48 грн
1000+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6688PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6696PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6696P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1602+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 1602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6890NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
702+50.54 грн
1000+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 702 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6890NZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.92W, 1.78W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
на замовлення 14330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
766+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 766 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6890NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
702+50.54 грн
1000+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 702 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6890NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
702+50.54 грн
1000+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 702 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6890NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
702+50.54 грн
1000+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 702 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6890NZonsemi / FairchildMOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.18 грн
10+65.34 грн
100+44.32 грн
500+36.59 грн
1000+28.93 грн
3000+26.92 грн
9000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200onsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.96 грн
10+50.49 грн
100+28.86 грн
500+22.02 грн
1000+19.54 грн
3000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+39.41 грн
100+27.09 грн
500+21.25 грн
1000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200onsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.18 грн
10+42.71 грн
100+25.75 грн
500+21.54 грн
1000+18.29 грн
3000+16.08 грн
6000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.43 грн
10+51.13 грн
100+30.79 грн
500+24.65 грн
1000+22.64 грн
3000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 12817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+58.56 грн
100+39.05 грн
500+28.60 грн
1000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.14 грн
6000+22.45 грн
9000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7208SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7208SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.86 грн
10+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7208Sonsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.86 грн
10+103.21 грн
100+73.18 грн
250+67.45 грн
500+61.03 грн
1000+52.19 грн
3000+48.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7208SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.17 грн
10+116.14 грн
100+79.46 грн
500+59.84 грн
1000+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7208SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7208SonsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.75 грн
500+87.07 грн
1000+80.31 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.71 грн
10+138.54 грн
25+136.46 грн
100+129.49 грн
250+117.96 грн
500+111.46 грн
1000+109.59 грн
3000+107.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SonsemiMOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570S
Код товару: 167040
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.75 грн
500+87.07 грн
1000+80.31 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.75 грн
500+87.07 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.75 грн
500+87.07 грн
1000+80.31 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; Idm: 120A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+166.79 грн
102+139.01 грн
121+117.46 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.75 грн
500+87.07 грн
1000+80.31 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570Sonsemi / FairchildMOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.81 грн
10+100.82 грн
100+61.16 грн
500+51.50 грн
1000+48.25 грн
3000+47.84 грн
6000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.79 грн
10+139.01 грн
100+117.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.75 грн
500+87.07 грн
1000+80.31 грн
10000+69.04 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.71 грн
103+138.54 грн
104+136.46 грн
106+129.49 грн
250+117.96 грн
500+111.46 грн
1000+109.59 грн
3000+107.73 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.36 грн
10+176.80 грн
100+124.05 грн
500+95.27 грн
1000+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
500+146.48 грн
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
500+146.48 грн
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
500+146.48 грн
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+87.76 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
500+146.48 грн
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+163.01 грн
500+146.48 грн
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7582Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7582Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN
на замовлення 300015000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7582Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN
на замовлення 300015000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7582ON Semiconductor / FairchildMOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.35 грн
6000+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.91 грн
50+95.84 грн
100+73.45 грн
500+54.30 грн
1500+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 9518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.03 грн
10+98.44 грн
100+56.61 грн
500+50.19 грн
1000+48.46 грн
3000+47.01 грн
6000+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.54 грн
10+99.84 грн
100+68.13 грн
500+51.20 грн
1000+50.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+108.61 грн
500+97.75 грн
1000+90.14 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.45 грн
500+54.30 грн
1500+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.35 грн
6000+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660DConsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 8116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.20 грн
10+99.24 грн
100+63.51 грн
500+51.50 грн
1000+47.43 грн
3000+47.36 грн
6000+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.32 грн
500+104.69 грн
1000+96.54 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.32 грн
500+104.69 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660DCON Semiconductor
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.32 грн
500+104.69 грн
1000+96.54 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+93.56 грн
100+68.52 грн
500+52.59 грн
1000+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.32 грн
500+104.69 грн
1000+96.54 грн
10000+83.01 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660S
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
418+84.94 грн
500+76.44 грн
1000+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 9685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+60.37 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
590+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 590 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SonsemiMOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
на замовлення 5647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.00 грн
10+95.27 грн
100+55.78 грн
500+44.53 грн
1000+36.24 грн
3000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
418+84.94 грн
500+76.44 грн
1000+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660S-TEON SemiconductorFDMC7660S-TE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+72.02 грн
547+64.82 грн
1000+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]