Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC6688PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6696PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6696P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6890NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
702+50.43 грн
1000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 702 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6890NZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.92W, 1.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm
Part Status: Active
на замовлення 14330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
766+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 766 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6890NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
702+50.43 грн
1000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 702 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6890NZonsemi / FairchildMOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6890NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
702+50.43 грн
1000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 702 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6890NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
702+50.43 грн
1000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 702 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200onsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+39.78 грн
100+27.34 грн
500+21.45 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200onsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 12817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.19 грн
10+59.10 грн
100+39.41 грн
500+28.86 грн
1000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200SonsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7200SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.38 грн
6000+22.66 грн
9000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7208SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7208SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7208Sonsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7208SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.90 грн
10+117.22 грн
100+80.20 грн
500+60.39 грн
1000+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7208SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7208SonsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.40 грн
10+138.23 грн
25+136.15 грн
100+129.20 грн
250+117.69 грн
500+111.21 грн
1000+109.35 грн
3000+107.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; Idm: 120A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SonsemiMOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+97.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570S
Код товару: 167040
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+166.42 грн
102+138.70 грн
121+117.20 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570Sonsemi / FairchildMOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.42 грн
10+138.70 грн
100+117.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
10000+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.40 грн
103+138.23 грн
104+136.15 грн
106+129.20 грн
250+117.69 грн
500+111.21 грн
1000+109.35 грн
3000+107.49 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.96 грн
10+178.43 грн
100+125.20 грн
500+96.15 грн
1000+89.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
500+146.15 грн
1000+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
500+146.15 грн
1000+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
500+146.15 грн
1000+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
500+146.15 грн
1000+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7572SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+162.65 грн
500+146.15 грн
1000+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7582Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7582Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN
на замовлення 300015000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7582Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN
на замовлення 300015000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7582ON Semiconductor / FairchildMOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.21 грн
6000+62.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.03 грн
10+100.76 грн
100+68.76 грн
500+51.68 грн
1000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 9518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+108.37 грн
500+97.53 грн
1000+89.94 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 41W
Gate charge: 86nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+108.37 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.21 грн
6000+62.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660DConsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 8116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.06 грн
500+104.45 грн
1000+96.33 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.06 грн
500+104.45 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.06 грн
500+104.45 грн
1000+96.33 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+94.42 грн
100+69.15 грн
500+53.07 грн
1000+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.06 грн
500+104.45 грн
1000+96.33 грн
10000+82.82 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 41W; Power33
Mounting: SMD
Case: Power33
Technology: PowerTrench®
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3.1mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 41W
Gate charge: 66nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
418+84.75 грн
500+76.27 грн
1000+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 590 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SonsemiMOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
на замовлення 5457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+88.76 грн
50+67.01 грн
100+56.29 грн
500+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
418+84.75 грн
500+76.27 грн
1000+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660S-TEON SemiconductorFDMC7660S-TE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+71.86 грн
547+64.67 грн
1000+59.65 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7664ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7664ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7664ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7664ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+62.14 грн
1000+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7664ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7664ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+62.14 грн
1000+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+56.72 грн
1000+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V
на замовлення 11181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+59.10 грн
100+45.97 грн
500+36.57 грн
1000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672onsemi / FairchildMOSFETs N-Chan 30/20V PowerTrench
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+56.72 грн
1000+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.03 грн
6000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672onsemiMOSFETs N-Chan 30/20V PowerTrench
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 33W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 33W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672SonsemiMOSFETs 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+60.53 грн
100+47.11 грн
500+37.48 грн
1000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 36W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 36W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7672S-F126onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.