Продукція > FQP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQP7N40onsemiMOSFETs 400V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N40
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N60FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N60BONS/FAI=SSP7N60B TO220 XPB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N60CFAIRCHILDTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N65CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 25372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+79.18 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
на замовлення 11244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+143.27 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N80onsemi / FairchildMOSFET NCh/800V/6.6a/1.5Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N80FSC
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N80Consemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.60 грн
10+184.18 грн
100+115.98 грн
500+100.10 грн
1000+95.96 грн
2000+92.51 грн
5000+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.15 грн
10+189.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+90.96 грн
500+81.87 грн
1000+75.50 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P06FairchildTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 410mOhm; 7A; 45W; -55°C ~ 175°C; FQP7P06 TFQP7p06
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P06onsemiMOSFETs 60V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP7P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.70 грн
10+120.00 грн
100+93.43 грн
500+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P06
Код товару: 205268
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 46307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+90.96 грн
500+81.87 грн
1000+75.50 грн
10000+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P06Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+64.40 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P20onsemi / FairchildMOSFET 200V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P20Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.87 грн
2000+119.26 грн
5000+115.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 42.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.57 грн
10+206.18 грн
100+171.55 грн
500+130.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06
Код товару: 163330
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.59 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.05 грн
10+227.98 грн
25+224.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60CONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60ConsemiMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.76 грн
10+149.25 грн
100+99.41 грн
500+82.84 грн
1000+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60CFAIRCHILD06+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60CFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 5143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+77.85 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60CONSEMIDescription: ONSEMI - FQP8N60C - MOSFET, N, TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+110.94 грн
500+99.85 грн
1000+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60CLF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60C_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60C_Qonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
840+212.46 грн
Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.15 грн
50+134.69 грн
100+122.20 грн
500+94.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80CONSEMIDescription: ONSEMI - FQP8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.89 грн
10+148.19 грн
100+142.56 грн
500+107.69 грн
1000+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80CON Semiconductor
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+149.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80ConsemiMOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.53 грн
10+144.49 грн
100+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N90Consemi / FairchildMOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.10 грн
10+198.47 грн
25+163.61 грн
100+141.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N90CON Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8P10ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V P-Channel QFET
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8P10onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8P10.ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP8P10. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.14 грн
10+100.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP90N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 71A TO220-3
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 35.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP90N10V2fsc09+
на замовлення 45200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP90N10V2onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO220-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP90N10V2onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel Adv QFET V2 Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP90N10V2_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP95N03Lonsemi / FairchildMOSFETs TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N08LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 5169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N25Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 533 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N25onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N25Consemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N25C
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N25ConsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N25CTSTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N25CTSTUonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N25CTSTU_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N25C_Qonsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N30Fairchild SemiconductorDescription: Power Field-Effect Transistor, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N30ON Semiconductor / FairchildMOSFET 300V N-Channel QFET
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.12 грн
10+122.80 грн
100+98.68 грн
500+76.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N50ONS/FAI500V 9A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N50FAIRCHILD2004 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N50ConsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N50Consemi / FairchildMOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N50CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.51 грн
10+83.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N50C(мікросхема)
Код товару: 60149
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N50C/FSCFSC08+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N50C_Qonsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Ch QFET Advane C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.24 грн
10+444.49 грн
50+242.44 грн
100+212.24 грн
250+194.55 грн
500+156.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C
Код товару: 117719
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90CONS/FAI900V 8A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90CONSEMIDescription: ONSEMI - FQP9N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 205W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12ohm
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.93 грн
10+210.21 грн
100+177.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90CFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]