Продукція > NSB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSBC115EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors RSTR XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 292000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2262+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 2262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 254 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Bulk
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5010+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 5010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Base (R1): 100kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 666141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3366+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 3366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.55 грн
8000+4.84 грн
12000+4.59 грн
20000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 3684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 254 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123EF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 469000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 254 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Bulk
на замовлення 317000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3297+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 3297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 6662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123EPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors SSP SOT563 DUAL 2.2/2.2K
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 55925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
14+23.10 грн
100+14.66 грн
500+10.33 грн
1000+9.23 грн
2000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.38 грн
16000+4.73 грн
24000+4.50 грн
40000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 9499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.55 грн
8000+4.84 грн
12000+4.59 грн
20000+4.03 грн
28000+3.87 грн
40000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 51750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.08 грн
100+10.10 грн
500+7.04 грн
1000+6.25 грн
2000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 54608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
на замовлення 119831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 4438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 183831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 254 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Bulk
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3527+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 3527 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 4789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 254 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
на замовлення 87360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.57 грн
100+9.13 грн
500+6.34 грн
1000+5.62 грн
2000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.25 грн
16000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5GonsemiDigital Transistors BRT COMPLEMENTARY
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1591000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.25 грн
100+9.56 грн
500+6.66 грн
1000+5.91 грн
2000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7955+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 7955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5413+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 5413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123TF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 254 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 254 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Bulk
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 254 mW
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3602+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 3602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Bulk
на замовлення 261500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 3847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123TPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Bulk
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4013+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 4013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.25 грн
100+9.56 грн
500+6.66 грн
1000+5.91 грн
2000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 4438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3865+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.55 грн
100+12.41 грн
500+8.72 грн
1000+7.77 грн
2000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 254 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+19.70 грн
100+12.49 грн
500+8.79 грн
1000+7.85 грн
2000+7.05 грн
5000+6.08 грн
10000+5.56 грн
50000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDX
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 211695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 211695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 6662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.