Продукція > NTH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTHD3101FT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3101FT3ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3101FT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CON
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.78 грн
17+44.70 грн
25+43.95 грн
100+31.31 грн
250+28.03 грн
500+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1GonsemiMOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary
на замовлення 50740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.43 грн
10+61.53 грн
100+41.63 грн
500+35.35 грн
1000+28.79 грн
3000+27.06 грн
6000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.5/-4.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.6W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 37/83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8/6.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1G
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3103FT1G
на замовлення 10090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3133PFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD3133PFT1G - NTHD3133PFT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 52717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3133PFT1GON0748NO
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3133PFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 52717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 1480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3133PFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3133PFT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1onsemiMOSFET -20V -4.1A Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.52 грн
500+30.51 грн
1500+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GONSOT-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 16191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.06 грн
10+67.68 грн
100+45.08 грн
500+33.23 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1G
Код товару: 109267
Додати до обраних Обраний товар
ONSТранзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.28 грн
50+56.94 грн
100+47.52 грн
500+30.51 грн
1500+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.51 грн
6000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GonsemiMOSFETs -20V -4.1A Dual P-Channel
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.18 грн
10+59.94 грн
100+40.59 грн
500+34.38 грн
1000+28.03 грн
3000+26.30 грн
6000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1GOn SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 2.9A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT3GonsemiMOSFET PFET 20V 4.8A 80M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 2219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4401PT1 - NTHD4401PT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1GON09+
на замовлення 675018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
на замовлення 1173045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4401PT1G - Leistungs-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.13 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1173045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT3onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4401PT3G - NTHD4401PT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT3GON09+
на замовлення 9918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4401PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
на замовлення 95300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502N
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 640mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4502NT1 - NTHD4502NT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 124515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 2049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1GonsemiMOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.92 грн
10+95.27 грн
100+64.96 грн
500+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 640mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1G
на замовлення 31450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 640mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.63 грн
23+34.02 грн
25+33.88 грн
100+28.17 грн
250+25.57 грн
500+22.69 грн
1000+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4502NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4504N
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.09 грн
11+79.25 грн
100+57.34 грн
500+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1G
Код товару: 133952
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.13W
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.62 грн
100+54.52 грн
500+48.37 грн
1000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GonsemiMOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel
на замовлення 16499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.20 грн
100+82.56 грн
500+60.61 грн
1000+49.36 грн
3000+32.45 грн
6000+30.79 грн
9000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.13W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.61 грн
261+54.51 грн
500+48.37 грн
1000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
на замовлення 17635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
594+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 594 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4508NTIG
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4902FTIG
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02F
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 910mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 910mW (Tj)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1ON1206-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4N02FT1 - NTHD4N02FT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1GON Semiconductor
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 910mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 238219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 1480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4N02FT1G - NTHD4N02FT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 238219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4N02FT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 910mW (Tj)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P01FT1-D
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P01FT1GON08+ MSOP8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02F
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1onsemiDescription: MOSFET/SCHOTTKY P-CH 20V CHIPFET
Packaging: Bulk
на замовлення 20955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 2664 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4P02FT1 - NTHD4P02FT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
10+89.67 грн
100+60.91 грн
500+45.59 грн
1000+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GON SemiconductorTrans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.74 грн
17+46.30 грн
100+42.57 грн
500+37.95 грн
1000+33.41 грн
3000+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GonsemiMOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.20 грн
10+96.06 грн
100+64.82 грн
500+55.37 грн
1000+45.08 грн
3000+41.77 грн
6000+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GON SemiconductorTrans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.32 грн
6000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GONSOT23-8
на замовлення 9678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1GON SemiconductorTrans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.32 грн
6000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02PMOSS689SAGEMN/A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5902T1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5902T1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD5903T1
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]