Продукція > SI2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
Si2300DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.85 грн
6000+9.55 грн
9000+9.09 грн
15000+8.05 грн
21000+7.76 грн
30000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 18360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.66 грн
11+30.21 грн
100+16.86 грн
500+12.75 грн
1000+11.43 грн
3000+9.68 грн
6000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 10008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.64 грн
26+31.29 грн
100+20.00 грн
500+16.61 грн
1000+13.93 грн
5000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.32 грн
20+20.97 грн
25+18.28 грн
100+15.35 грн
250+14.01 грн
500+12.92 грн
1000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+27.99 грн
553+25.61 грн
599+23.63 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3
Код товару: 72682
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.12 грн
6000+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 69916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+28.08 грн
100+17.99 грн
500+12.80 грн
1000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 7061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.22 грн
25+44.46 грн
50+39.02 грн
100+31.10 грн
250+23.97 грн
500+19.23 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.17 грн
6000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: N 30V 3.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300DS-TI-E3
на замовлення 5639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300S-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2300S-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max): 970mW (Tj)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BORNP-Channel -20V 3A 1V @ 250uA 110m? @ 3A,4.5V 1.25W SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs  SI2301 SOT23-3 BORN TSI2301 BORN
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301Microdiode ElectronicsSI2301
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301HOTTECHPodobny do: HT2301ARTZ; SL2301; SI2301 TSI2301 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301Micro Commercial Components (MCC)MOSFETs -20V -2.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301GOODWORKDescription: 20V 3A 55m@4.5V SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.08Ohm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301SI09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301HOTTECHP-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; SI2301 SOT23 HOTTECH TSI2301 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301 VISHAYVISHAYSOT-23
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301 3Akuu semiconductorTransistor P-MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; SI2301 3A KUU TSI2301 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301(016H)KJX09+
на замовлення 11018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301(A016)
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301(A017)
на замовлення 3341 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301(A17K)
на замовлення 6688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301(A1SGB)
на замовлення 10189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301(A1STB)
на замовлення 115305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301(POSPC)
на замовлення 47469 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301-3A---MOSFET SOT-23 P Channel 20V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301-3AMDDDescription: MOSFET SOT-23 P Channel 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301-DS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301-MLMOSLEADERDescription: 20V 2.2A 700mW P Channel SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
6000+5.72 грн
9000+5.42 грн
15000+4.77 грн
21000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301-TP
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2301-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.42 грн
51+16.09 грн
100+10.08 грн
500+9.13 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V
на замовлення 21745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.19 грн
100+8.89 грн
500+6.18 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2301-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.08 грн
500+9.13 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301-TP
Код товару: 190375
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CH -20V -2.8A 8S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301-TP SI2301MCC Corp.MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301.A1SHB
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301/2302
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301/A1
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301/KIA2301
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301/M21N/A09+ SOT-23
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301AUMWDescription: 20V 2.8A 400MW 142MR@2.5V,2A 1V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301AUMWDescription: 20V 2.8A 400MW 142MR@2.5V,2A 1V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
31+10.04 грн
35+8.85 грн
100+7.10 грн
250+6.52 грн
500+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-13PMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2301A-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.39 грн
28+29.10 грн
100+18.61 грн
500+13.13 грн
1000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-Ch -20Vds -2.8A 8Vgs -10A 1.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.48 грн
6000+12.26 грн
9000+10.81 грн
24000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-TP
Код товару: 210892
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.52 грн
13+33.13 грн
16+27.76 грн
17+24.74 грн
75+15.85 грн
100+14.84 грн
500+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A-TP-B014Micro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301A1SHB
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301ADSVIAHAY05+
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301ADS-EVEVVODescription: P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOS F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 503 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301ADS-EVEVVODescription: P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOS F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 503 pF @ 10 V
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.76 грн
100+5.42 грн
500+3.71 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301ADS-T1VISHAY09+
на замовлення 299018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301ADS-T1-E3
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301AHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301AHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301AHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 438 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.4A, 4.5V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BUMWDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BUMWDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDSVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SI2301CDS-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1VISHAYSOT23
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P CHAN 2.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3
Код товару: 28285
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
748+18.91 грн
776+18.24 грн
1000+17.64 грн
2500+16.51 грн
5000+14.88 грн
10000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 748 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3 L1..VishayTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301BDS TSI2301bds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3 Si2301BDSVishay SiliconixP-Channel 20V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3/VISHAY_VISHAY08+;
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3Pb-free
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.87 грн
10+33.01 грн
100+18.95 грн
500+14.84 грн
1000+13.52 грн
3000+11.57 грн
6000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 Si2301BDSVishay SiliconixP-Channel 20V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-TI
на замовлення 9000000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-TI-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDST1E3VISHAY
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]