Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.48 грн
167+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBFInternational Rectifier8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7496IR09+
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TR
Код товару: 109125
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,4 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15, Qg, нКл = 8 @ 4,5 В, Rds = 135 мОм @ 1,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: MICRO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
100+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 2.4A Micro 8
на замовлення 21116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH DUAL 20V 2.4A MICRO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+66.99 грн
8000+61.22 грн
12000+57.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+62.53 грн
8000+57.14 грн
12000+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRInternational RectifierTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 222mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRF7503 TIRF7503
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 2.4A Micro 8
на замовлення 31029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504PBFInfineon / IRMOSFET MICRO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRIORDC05 TSSOP8
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.7A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBFInternational RectifierDual MOSFET, P Channel, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Surface Mount Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.7A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBF
Код товару: 76998
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: 8-TSSOP
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 1,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Монтаж: SMD
у наявності: 113 шт
  • 29 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 63 шт
  • 63 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+14.00 грн
10+12.50 грн
100+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 1.7A Micro 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506IR07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506TRIR04+ SOP8
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7506TRPBF - IRF7506 30V DUAL P-CHANNEL HEXFET POWER
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.7A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL 30V 1.7A MICRO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7506TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 1.7A Micro 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507IRSO-8
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507International Rectifier2 сил. MOSFET P-кан. -20V, 0.27Ом, N-кан. 20V, 0.135Ом, -50...+150, Micro-8 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 2,4 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15, Qg, нКл = 8 @ 4,5 В, Rds = 140 мОм @ 1,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, Id2 = 1,7 А,... Транзистори Корпус: M
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507PBF
Код товару: 27069
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 2,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,135 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 260/5,3
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507PBFInfineon / IRMOSFET MICRO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.4A Micro 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBF
Код товару: 45759
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509IRSO-8
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 2,7 А, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 210 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 110 мОм @ 1,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 2 А,... Транзистори Корпус: MICRO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFInternational RectifierMOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8
на замовлення 6954 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF
Код товару: 32320
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: Micro-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 2,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,11; 0,2 Ом
Примітка: N- та P-канал
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 2,7 A, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 210 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 110 мОм @ 1,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 9,7 нс, td(off)+tf = 19 нс,
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+22.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521D1PBFInfineon / IRMOSFET 20V FETKY 12 VGS 200 RDS 2.7VmOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521D1TR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521D1TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT w/Schttky 2.4A 35mOhm 5.3nC Micro 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7521TRMSOP8
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7523
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7523D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7523D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7523D1TRPBF
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7523D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7524
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7524DIOR
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7524D1GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A 8USMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-uSMD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7524D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7524D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7524D1TRIRMSOP-8
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]