Продукція > SSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3J110TU
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J111TU
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=-30V Id=-1.1A 3Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.1A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 8773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
16+19.37 грн
50+14.00 грн
100+11.49 грн
500+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID=-1.1A VDSS=-30V
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.1A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1793+7.91 грн
1924+7.37 грн
1946+7.29 грн
2000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 1793 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF(TTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -30V; -1.1A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -1.1A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TULF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TUTE85L
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J113TU
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J113TUToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J113TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=-20V Id=-1.7A 3Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J113TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 11582 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(T5L,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(T5L,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
на замовлення 5158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J115TUTOSHIBASOT23
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU(TE85L)ToshibaMOSFETs Vds=-30V Id=-2A 3Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU(TE85L) транзистор
Код товару: 99554
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
14+21.61 грн
50+15.63 грн
100+12.85 грн
500+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU,LFToshibaMOSFETs Vds=-30V Id=-2A 3Pin
на замовлення 9845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 2A 3-Pin UFM
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+14.96 грн
983+14.42 грн
1017+13.95 грн
2500+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=-30V Id=-1.4A 3Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-1.4A VDSS=-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.27 грн
50+14.67 грн
100+12.06 грн
500+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TUTOSHIBA09+
на замовлення 74988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=-20V Id=-4A 3Pin
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1484 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1484 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(T5L,T)ToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.137Ohm -4.6A -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TUTOS
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU(TE85L)ToshibaMOSFET Single P-ch 20V 4.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.40 грн
6000+9.24 грн
9000+8.85 грн
15000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 104998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
13+23.86 грн
100+16.20 грн
500+11.90 грн
1000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V
на замовлення 4068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J130TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.0258 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+66.04 грн
440+32.25 грн
480+29.53 грн
482+28.37 грн
595+21.30 грн
1000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU (транзистор)
Код товару: 48079
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshibaMOSFET P-CH 12V 5.4A UFM Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.43 грн
6000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 5.4A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V
на замовлення 7801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 5.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.24 грн
22+35.29 грн
25+34.98 грн
100+25.03 грн
250+23.09 грн
500+17.82 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 7233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
12+25.95 грн
100+17.70 грн
500+13.04 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 5.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+34.98 грн
547+25.96 грн
549+25.86 грн
682+20.05 грн
1045+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J132TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.4 A, 0.017 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 57692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
13+23.11 грн
100+14.76 грн
500+10.45 грн
1000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET P-Channel
на замовлення 16140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
502+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 502 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.17 грн
6000+7.50 грн
9000+6.31 грн
15000+5.84 грн
21000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.51 грн
27+28.27 грн
100+18.64 грн
250+16.72 грн
500+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.64 грн
25+31.39 грн
100+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+25.63 грн
574+24.70 грн
1000+23.90 грн
2500+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
839+16.90 грн
846+16.77 грн
883+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 839 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J133TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.0298 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TUToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
14+22.81 грн
100+13.66 грн
500+11.87 грн
1000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V
на замовлення 13744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+22.96 грн
641+22.13 грн
1000+21.40 грн
2500+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LF(BToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J134TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.093 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
872+16.26 грн
878+16.15 грн
920+15.42 грн
1000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 872 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-3.0A, RDS(ON)=0.103Ohm @ 4.5V, in UFM package
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.