Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 90 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3J129TU(T5L,T)ToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.137Ohm -4.6A -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TUTOS
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU(TE85L)ToshibaMOSFET Single P-ch 20V 4.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 104998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
13+24.08 грн
100+16.35 грн
500+12.01 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.49 грн
6000+9.33 грн
9000+8.93 грн
15000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J130TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.0258 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.97 грн
25+33.33 грн
100+21.62 грн
500+15.25 грн
1000+12.68 грн
5000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+65.89 грн
440+32.18 грн
480+29.47 грн
482+28.30 грн
595+21.26 грн
1000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU (транзистор)
Код товару: 48079
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.54 грн
6000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 5.4A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V
на замовлення 7801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 7233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
12+26.19 грн
100+17.87 грн
500+13.16 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 5.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.15 грн
22+35.21 грн
25+34.91 грн
100+24.98 грн
250+23.04 грн
500+17.78 грн
1000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshibaMOSFET P-CH 12V 5.4A UFM Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 5.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+34.91 грн
547+25.90 грн
549+25.81 грн
682+20.00 грн
1045+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J132TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.4 A, 0.017 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.81 грн
25+33.57 грн
100+21.70 грн
500+14.11 грн
1000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET P-Channel
на замовлення 9389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
502+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 502 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.25 грн
6000+7.56 грн
9000+6.37 грн
15000+5.89 грн
21000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.44 грн
27+28.21 грн
100+18.59 грн
250+16.69 грн
500+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.56 грн
25+31.32 грн
100+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 57692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
13+23.32 грн
100+14.90 грн
500+10.55 грн
1000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+25.57 грн
574+24.65 грн
1000+23.85 грн
2500+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
839+16.86 грн
846+16.74 грн
883+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 839 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J133TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.0298 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.58 грн
31+26.34 грн
100+17.23 грн
500+11.93 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TUToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
14+23.02 грн
100+13.79 грн
500+11.98 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LF(BToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+22.91 грн
641+22.08 грн
1000+21.36 грн
2500+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
872+16.23 грн
878+16.11 грн
920+15.39 грн
1000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 872 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J134TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J134TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.093 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.86 грн
32+25.60 грн
100+16.26 грн
500+11.40 грн
1000+9.41 грн
5000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-3.0A, RDS(ON)=0.103Ohm at 4.5V, in UFM package
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J135TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.103 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.77 грн
35+23.65 грн
100+15.20 грн
500+10.57 грн
1000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J13TTOSHIBA
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J13T(TE85L)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J13T(TE85L.F)
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J13T(TE85LF)
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J13T TOSHIBASOT-23 07+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.17 грн
19+39.92 грн
100+30.93 грн
500+23.96 грн
1000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
11+29.36 грн
100+20.42 грн
500+14.96 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHFToshibaMOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J140TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A
на замовлення 6601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.68 грн
48+15.99 грн
100+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
на замовлення 5275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
12+26.95 грн
100+18.34 грн
500+12.91 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHFToshibaMOSFET SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J143TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
11+28.15 грн
100+18.64 грн
500+13.51 грн
1000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1117+12.66 грн
1904+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 1117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.05 грн
60+12.66 грн
102+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LF
Код товару: 173097
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
12+26.04 грн
100+17.75 грн
500+12.50 грн
1000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J144TU,LXHFToshibaMOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
на замовлення 5827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
14+22.19 грн
100+15.12 грн
500+10.64 грн
1000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A
на замовлення 3455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.31 грн
70+10.82 грн
112+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.45 грн
6000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHFToshibaMOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A U
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
16+19.25 грн
100+12.57 грн
500+9.06 грн
1000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J145TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.103 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.42 грн
500+12.45 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J145TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J145TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.103 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.13 грн
35+23.65 грн
100+16.42 грн
500+12.45 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J14TTOSHIBA
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J14TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 90 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]