Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 90 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3J01TTE85LSOT23-DETOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J02F
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J02F(TE85L
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J02F/DD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J02TTOSHIBA
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J02T/DDTOSHIBA09+
на замовлення 39018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J02T\DDTOSHIBASOT-23
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J05FU,LF
на замовлення 42100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J09FUTOSHIBASOT323
на замовлення 8730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J09FU(T5LSONYF
на замовлення 24530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J09FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 200MA USM
на замовлення 5360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J09FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 200MA USM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J09FU,LF(BToshibaSSM3J09FU,LF(B
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
524+27.04 грн
543+26.07 грн
1000+25.22 грн
Мінімальне замовлення: 524 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J09FU,LF(BToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J108TUTOSHIBASOT23
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J108TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J109TU
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J110TU
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J111TU
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=-30V Id=-1.1A 3Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.1A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 8773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+19.93 грн
50+14.43 грн
100+11.84 грн
500+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID=-1.1A VDSS=-30V
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF(TTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 1.1A; 800mW; UFM
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: UFM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.1A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1793+7.89 грн
1924+7.35 грн
1946+7.27 грн
2000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 1793 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TULF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J112TUTE85L
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J113TU
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J113TUToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J113TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 11582 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J113TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=-20V Id=-1.7A 3Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(T5L,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(T5L,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
на замовлення 5158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J114TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J115TUTOSHIBASOT23
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU(TE85L)ToshibaMOSFETs Vds=-30V Id=-2A 3Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU(TE85L) транзистор
Код товару: 99554
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
14+21.81 грн
50+15.77 грн
100+12.97 грн
500+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU,LFToshibaMOSFETs Vds=-30V Id=-2A 3Pin
на замовлення 9845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J117TU,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 2A 3-Pin UFM
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+14.93 грн
983+14.39 грн
1017+13.92 грн
2500+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=-30V Id=-1.4A 3Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-1.4A VDSS=-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
16+18.87 грн
100+11.60 грн
500+8.40 грн
1000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TUTOSHIBA09+
на замовлення 74988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=-20V Id=-4A 3Pin
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 6756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1484 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J120TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1484 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(T5L,T)ToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.137Ohm -4.6A -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J129TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TUTOS
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU(TE85L)ToshibaMOSFET Single P-ch 20V 4.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.49 грн
6000+9.33 грн
9000+8.93 грн
15000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 104998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
13+24.08 грн
100+16.35 грн
500+12.01 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J130TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.0258 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J130TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+65.89 грн
440+32.18 грн
480+29.47 грн
482+28.30 грн
595+21.26 грн
1000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU (транзистор)
Код товару: 48079
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshibaMOSFET P-CH 12V 5.4A UFM Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.54 грн
6000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 5.4A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V
на замовлення 7801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 5.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.15 грн
22+35.21 грн
25+34.91 грн
100+24.98 грн
250+23.04 грн
500+17.78 грн
1000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 7233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
12+26.19 грн
100+17.87 грн
500+13.16 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 5.4A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+34.91 грн
547+25.90 грн
549+25.81 грн
682+20.00 грн
1045+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J132TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J132TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.4 A, 0.017 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET P-Channel
на замовлення 9389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 57692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
13+23.32 грн
100+14.90 грн
500+10.55 грн
1000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
502+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 502 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.25 грн
6000+7.56 грн
9000+6.37 грн
15000+5.89 грн
21000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.44 грн
27+28.21 грн
100+18.59 грн
250+16.69 грн
500+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.56 грн
25+31.32 грн
100+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+25.57 грн
574+24.65 грн
1000+23.85 грн
2500+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 90 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]