Продукція > 2SA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 18 24 30 36 42 48 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SA1162GT1ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1162GT1 - 2SA1162GT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-GR,LF(DToshiba2SA1162S-GR,LF(D
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+2.33 грн
100000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 15152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-GR,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-GR,LF(DToshiba2SA1162S-GR,LF(D
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 15152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-GR,LF(DToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-Y, LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-Y, LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-Y,LF(DToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162S-Y,LF(DToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
985+35.84 грн
1068+33.06 грн
10000+29.48 грн
100000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 985 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162YN/A09+
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162Y(SY)TOSHIBA
на замовлення 35370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162YT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162YT1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
100000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162YT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162YT1ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1162YT1 - 2SA1162YT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162YT5LTToshibaBipolar Transistors - BJT x34 Pb Small Signal Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163TOSHIBASOT-23
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BLTOSHIBASOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL(5LGH,FTToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL(TE85R)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 51653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF
Код товару: 208164
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.73 грн
6000+3.22 грн
9000+3.03 грн
15000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.78 грн
28+10.72 грн
100+6.67 грн
500+4.60 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 903 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR(TE85R)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR(TE85R,FToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
на замовлення 7360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.01 грн
30+10.05 грн
100+6.25 грн
500+4.31 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LF(BToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LF(BToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1163-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 13932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+11.29 грн
2977+4.74 грн
3019+4.68 грн
6000+4.44 грн
12000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1163-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GRTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT VCEO -120V Audio IC -100mA IB 10dB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA11630BLTOSHIBASOT23
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA117TO-39
на замовлення 697 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1171PEPHILIPS02+
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1171PETR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1173NEC
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1173-T1NECSOT-89
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1173-T2KEC09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1173-T2/PLNEC
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1174NEC
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1174 TLROHM
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1174TLROHM
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1175 (F94M)
Код товару: 185050
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
Гранична частота fT, МГц: 180 МГц
Напруга Uке, В: 50 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 0,1 А
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1175-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1175-T-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1178SK00+ TO126
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1178M5-TB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179SANYO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179-6-TB-EON Semiconductor2SA1179-6-TB-E
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179-6-TB-ESanyoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A 3-CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179-6-TB-EON Semiconductor2SA1179-6-TB-E
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+6.47 грн
10000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179-6-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1179-6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179-7-TB
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179-M5-TBSANYOSOT-23 92+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179-M6SOT223-3
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179/M6SANYOSOT-23
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179M5SANYOSOT-23
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179M6-TASANYOSOT23-M6
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179M6-TA SOT23-M6SANYO
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179M6-TASOT23-M6SANYO
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179M6\M6SANYOSOT-23
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179M7-TBSANYO09+
на замовлення 102018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-CPASANYO07+ SOT-23
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-CPA-TBSONYOSOT23
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-CPA-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1179N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5229000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-CPA-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-CPA-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6408525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-CPA-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6399000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.16 грн
10000+4.60 грн
100000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-CPA-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A 3-CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 247962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1179N6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 247962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.16 грн
10000+4.60 грн
100000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1179N6-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A 3-CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA118TO-39
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1180N/A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182ROHM09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 30V
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 10850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.78 грн
28+10.72 грн
100+6.67 грн
500+4.60 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR,LF(BToshiba2SA1182-GR,LF(B
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2773+5.09 грн
2858+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 2773 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-OTOSHIBASOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 18 24 30 36 42 48 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]