Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS5170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5170N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5341FSCSOP-8
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS53418MFDSSOP-8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.09 грн
15+55.98 грн
100+35.60 грн
500+23.63 грн
1000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351FairchildN-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.06 грн
10+37.95 грн
100+26.37 грн
500+20.99 грн
1000+20.02 грн
2500+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 192500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
на замовлення 17592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+49.14 грн
100+32.38 грн
500+23.63 грн
1000+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
416+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 416 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ONS/FAIMOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.19 грн
23+34.11 грн
100+31.56 грн
250+30.25 грн
500+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.13 грн
5000+18.79 грн
7500+18.00 грн
12500+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.48 грн
24+32.22 грн
25+32.15 грн
100+27.76 грн
250+25.52 грн
500+22.18 грн
1000+21.95 грн
2500+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.03 грн
5000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670
Код товару: 66965
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.16 грн
128+111.19 грн
129+110.07 грн
148+92.66 грн
250+85.08 грн
500+70.77 грн
1000+68.68 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.16 грн
10+111.19 грн
25+110.07 грн
100+92.66 грн
250+85.08 грн
500+70.77 грн
1000+68.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.51 грн
500+79.27 грн
1000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
на замовлення 20147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.39 грн
10+121.23 грн
100+85.95 грн
500+65.02 грн
1000+60.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+235.98 грн
50+152.22 грн
100+105.51 грн
500+79.27 грн
1000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ONS/FAIN-Channel MOSFET, 60 V, 10 A, - 55 C... 150 C, SOIC8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+140.99 грн
500+113.06 грн
1000+103.85 грн
2500+94.65 грн
5000+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 60V
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.58 грн
10+118.29 грн
100+73.87 грн
500+60.54 грн
1000+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670NLFAIRCHILD
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670_NLFAIRCHILD
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ONS/FAIN-Channel MOSFET, 60 V, 12 A, - 55 C... 150 C, SOIC8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.19 грн
133+107.38 грн
134+106.30 грн
191+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672onsemiMOSFETs 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 26969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.85 грн
10+119.08 грн
100+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.76 грн
500+62.52 грн
1000+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.19 грн
10+107.38 грн
25+106.30 грн
100+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5672 TFDS5672
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.41 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.40 грн
10+111.28 грн
100+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+113.21 грн
500+88.30 грн
1000+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+205.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 60V
на замовлення 11779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.74 грн
10+141.75 грн
100+105.51 грн
500+63.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680
Код товару: 131521
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680-NLFAIRCHIL09+ TSOP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5680NLFAIRCHILD
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5682onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5682onsemi / FairchildMOSFET 60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5682FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5682-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.45 грн
5000+18.27 грн
12500+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 60V
на замовлення 16036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.20 грн
10+57.32 грн
100+38.73 грн
500+32.86 грн
1000+26.72 грн
2500+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.26 грн
500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
на замовлення 51346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+53.40 грн
100+41.53 грн
500+33.04 грн
1000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.45 грн
5000+18.27 грн
12500+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.028 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.29 грн
13+64.67 грн
100+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.03 грн
5000+25.71 грн
12500+24.52 грн
25000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690-NBBM009AonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690_NBBM009AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690_NBBM009AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690_NBBM009AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5692ZFairchild
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5692ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5692ZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
на замовлення 8231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+72.11 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5692ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6064N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
на замовлення 31115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6064N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6064N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6064N7Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6141CSFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6143FDSSOP-8
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6143CSFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6162N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 21A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5521 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 33137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+126.22 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6162N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6162N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6162N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5521 pF @ 10 V
на замовлення 15029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+152.36 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294
Код товару: 163303
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1177+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 1177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,5mOhm; 13A; 3W; -55°C ~ 175°C; FDS6294 TFDS6294
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 18921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
962+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 962 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1177+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 1177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294ONS/FAIMOSFET 30V N-Ch PowerTrench Fast Switching SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6294onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench Fast Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]