Продукція > IKW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKW75N65EL5XKSA1 Код товару: 190876
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65ES5 Код товару: 169192
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW75N65ES5 | Infineon Technologies | IGBTs Trenchstop 5 IGBT | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW75N65ES5 | Infineon technologies | на замовлення 167 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V Gate Charge: 164 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | на замовлення 927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V MSL: - Verlustleistung: 395W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW75N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 80A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 164nC Turn-on time: 86ns Turn-off time: 185ns Power dissipation: 197W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon | IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 333 W Through Hole PG-TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 435 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 333 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon | IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 395 W Through Hole PG-TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65RH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Verlustleistung: 395W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode | на замовлення 710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65SS5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 395W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 395W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 164nC | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 164 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65SS5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Verlustleistung: 395W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH100N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-3 Packaging: Tube Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Power - Max: 427 W Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Gate Charge: 199 nC Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 3.58mJ (on), 2.37mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns IGBT Type: Trench Field Stop Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A Reverse Recovery Time (trr): 106 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH100N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 427 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 427W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 140A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH100N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH100N75EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 105 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/237ns Switching Energy: 3.2mJ (on), 1.8mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 205 nC Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A Power - Max: 429 W | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH100N75EH7XKSA1 | Infineon Technologies | High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH20N65WR6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH20N65WR6XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 140 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH20N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Gate Charge: 97 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 136 W | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH20N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 41ns/398ns Switching Energy: 870µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 27Ohm, 15V Gate Charge: 133 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 190 W | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH30N65WR5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 190 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 190 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH30N65WR6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH30N65WR6XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 165 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 165 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH30N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 67A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Gate Charge: 97 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 67 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 136 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH30N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH30N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 670V 71A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/124ns Switching Energy: 450µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 9.8Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Current - Collector (Ic) (Max): 71 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 670 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 179 W | на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH30N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT7 PR7 optimized for boost PFC stage like RAC/CAC and HVAC applications | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH30N67PR7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH30N67PR7XKSA1 - IGBT, 71 A, 1.4 V, 179 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 71A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH40N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package | на замовлення 438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH40N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH40N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V Gate Charge: 81 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 208 W | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH40N65WR6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH40N65WR6XKSA1 - IGBT, 75 A, 1.55 V, 175 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH40N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 75A TO247-3-32 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 79 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 37ns/353ns Switching Energy: 1.09mJ (on), 570µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 27Ohm, 15V Gate Charge: 117 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 175 W | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH40N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES | на замовлення 526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH40N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 670V 88A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/146ns Switching Energy: 660µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 9.8Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 670 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 208 W | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH40N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT7 PR7 optimized for boost PFC stage like RAC/CAC and HVAC applications | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH40N67PR7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH40N67PR7XKSA1 - IGBT, 88 A, 1.4 V, 208 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 88A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH50N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 249 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V Verlustleistung: 249W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 249 W | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH50N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/351ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 730µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 144 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 205 W | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH50N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH50N65WR6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH50N65WR6XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.55 V, 205 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 85A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH50N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT7 PR7 optimized for boost PFC stage like RAC/CAC and HVAC applications | на замовлення 546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH50N67PR7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH50N67PR7XKSA1 - IGBT, 105 A, 1.4 V, 246 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 246W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 105A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH50N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 670V 105A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/182ns Switching Energy: 980µJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 9.8Ohm, 15V Gate Charge: 127 nC Current - Collector (Ic) (Max): 105 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 670 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 246 W | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH50N75EH7 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH50N75EH7 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 250 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH50N75EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube | на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH60N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/311ns Switching Energy: 1.82mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 174 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 240 W | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH60N65WR6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH60N65WR6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.55 V, 240 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH60N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH60N67PR7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH60N67PR7XKSA1 - IGBT, 122 A, 1.4 V, 283 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 122A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH60N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT7 PR7 optimized for boost PFC stage like RAC/CAC and HVAC applications | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH60N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 670V 122A TO247-3 Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 283 W Current - Collector (Ic) (Max): 122 A Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 670 V Input Type: Standard Gate Charge: 148 nC Test Condition: 400V, 60A, 9.8Ohm, 15V Switching Energy: 1.28mJ (on), 780µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 20ns/208ns Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH70N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 42ns/378ns Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.07mJ (off) Test Condition: 400V, 70A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 269 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 122 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A Power - Max: 290 W | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH70N65WR6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH70N65WR6XKSA1 - IGBT, 122 A, 1.55 V, 290 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Verlustleistung: 290W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 122A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH70N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES | на замовлення 433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH70N67PR7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH70N67PR7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 313 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 140A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH70N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT7 PR7 optimized for boost PFC stage like RAC/CAC and HVAC applications | на замовлення 328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH70N67PR7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 670V 140A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 70A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/246ns Switching Energy: 1.58mJ (on), 1.14mJ (off) Test Condition: 400V, 70A, 9.8Ohm, 15V Gate Charge: 181 nC Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 670 V Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A Power - Max: 313 W | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH75N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V Verlustleistung: 341W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 341 W | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKWH75N75EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKWH75N75EH7XKSA1 | Infineon Technologies | High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology | на замовлення 133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

