Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP055N03LG | infineon | 08+ | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP055N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP055N03LGHKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP055N03LGHKSA1 - IPP055N03L POWER FIELD-EFFECT TRANSISTO tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP055N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP055N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 Код товару: 202356
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V | на замовлення 182800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP057N06N3 Код товару: 113416
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 60 V Струм стоку Idd, A: 80 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 5,4 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 5000/61 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IPP057N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 1191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 Код товару: 207071
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V | на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N15NM6AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP057N15NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package | на замовлення 489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 133000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP05CN10L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP05CN10N | INFINEON | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP05CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2 | на замовлення 687 шт: термін постачання 325-334 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP05CN10NG | Infineon technologies | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP05CN10NGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP05CN10NGXK | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP05CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP05CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP05N03L | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP05N03LA | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP05N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP05N03LBG | infineon | 07+ | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP060N06N | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3 | на замовлення 500 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP060N06N | Infineon Technologies | Description: IPP060N06 - 12V-300V N-CHANNEL P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 284 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP060N06NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP060N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP060N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP060N06NAKSA1 Код товару: 202357
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP060N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP060N06NAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP060N06NAKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N TIPP060n06n кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP060N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP062NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP062NE7N3G | Infineon Technologies | Description: IPP062NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP062NE7N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP062NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 37.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 70µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP065N03LG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP065N03LGXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N03LGXKSA1 - IPP065N03 - N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP065N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP065N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP065N04N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP065N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP065N04NG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V | на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP065N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP065N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP065N04NGXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP065N04NGXKSA1 - IPP065N04 - N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP065N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP065N06LG | INF | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP065N06LGAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP069N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >150 - 400V | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP069N20NM6AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP069N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V | на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP06CN10L | INFINEON | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP06CN10L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP06CN10LG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP06CN10LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP06CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP06CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP06CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP06CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

