Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP052N06L3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP052N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP052N06L3GXKSA1 Код товару: 202355
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP052N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP052N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP052N08N5 | Infineon | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP052N08N5 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP052N08N5AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 4600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP052N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 13661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP052N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP052N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP052N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 | на замовлення 534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP052N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP052N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP052N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP052N08N5AKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP052N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP052N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP052N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | IPP052N08N5XKSA1 | на замовлення 122500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP052N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | IPP052N08N5XKSA1 | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP052NE7N3 G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP052NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP052NE7N3G | Infineon technologies | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP052NE7N3G | Infineon Technologies | Description: IPP052NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 47 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP052NE7N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP052NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP052NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP052NE7N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 150W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP052NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP052NE7N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 5200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm | на замовлення 3162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP052NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP052NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP052NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP054NE8NGHKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP055N03L G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP055N03LG | infineon | 08+ | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP055N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP055N03LGHKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP055N03LGHKSA1 - IPP055N03L POWER FIELD-EFFECT TRANSISTO tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP055N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP055N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 Код товару: 202356
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 92800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | на замовлення 3967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP055N08NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 99A; 107W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 99A Power dissipation: 107W Case: TO220-3 On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP057N06N3 Код товару: 113416
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 80 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,4 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5000/61 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| IPP057N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 1191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP057N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 Код товару: 207071
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP057N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP057N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V | на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP057N08N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP057N15NM6AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP057N15NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 211W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP057N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 133000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP05CN10L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP05CN10N | INFINEON | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP05CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2 | на замовлення 687 шт: термін постачання 325-334 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP05CN10NG | Infineon technologies | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP05CN10NGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP05CN10NGXK | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP05CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP05CN10NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP05CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP05N03L | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP05N03LA | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP05N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP05N03LBG | infineon | 07+ | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

