Продукція > MSR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| MSRT200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1400V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT200140A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 1.4KV 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT200140AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 1.4KV 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1600V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT200160A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT200160AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD GP 1600V 200A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT20060(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT20060A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT20060AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT20060D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT20060D | GeneSiC Semiconductor | Description: 600V 200A THREE TOWER SILICON RE Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT20080(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT20080AD | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 800V 200A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT20080D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 800V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT20080D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT250100(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT250100A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD GP 1000V 250A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 250 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT250120(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT250140(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT250160(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT25060(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRT25080(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1000V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA200100AD | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 1000V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSRTA200100D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA200100D | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 1000V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSRTA200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1200V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA200120AD | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 1200V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSRTA200120D | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 1200V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSRTA200120D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1400V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA200140AD | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 1400V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSRTA200140D | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 1400V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSRTA200140D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1600V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA200160AD | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 1600V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSRTA200160D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA200160D | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 1600V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSRTA20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 600V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA20060AD | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 600V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSRTA20060AD | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA20060D | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MODULE GEN PURP 600V 200A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA20060D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA20060D | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 600V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSRTA20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 800V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA20080AD | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 800V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSRTA20080D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA20080D | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 800V 200A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSRTA300100(A)D | GeneSiC Semiconductor | Rectifiers 1000V 300A Forward | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA300100(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA300120(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA300120(A)D | GeneSiC Semiconductor | Rectifiers 1200V 300A Forward | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA300140(A)D | GeneSiC Semiconductor | Rectifiers 1400V 300A Forward | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA300140(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA300160(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA300160(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 1600V 300A Forward | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA300160D | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA30060(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA30060(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 600V 300A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA30060(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA30060D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 600V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA30080(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA30080(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 800V 300A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA30080(A)D | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA30080A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE GP 800V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA30080AD | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 800V 300A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 800 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSRTA30080D | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE GEN PURP 800V 300A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 800 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| MSRTA30080D | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 800V 300A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA400100(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA400100A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD GP 1000V 400A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA400120(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA400120A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD GP 1200V 400A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA400140(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA400160(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA40060(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA40080(A) | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA500100(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA500100A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA500120(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA500140(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA500160(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA50060(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA50080(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA6001 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA600100(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| MSRTA600100A | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |