Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7NA2907Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7NA2907Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin SMD-2
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29522.65 грн
10+29409.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7NA2907SCVInfineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7NA2907SCVInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin SMD-2
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+48207.10 грн
10+48035.39 грн
25+46347.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7Y1405CMInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7Y1405CMPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7Y1405CMSCXInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010International RectifierN-MOSFET HEXFET 80A 100V 260W 0.015Ω IRF8010 TIRF8010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+106.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.97 грн
25+42.24 грн
100+24.19 грн
500+20.41 грн
1000+15.10 грн
2500+13.93 грн
5000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.81 грн
10+127.09 грн
100+111.61 грн
500+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.95 грн
50+115.19 грн
100+103.79 грн
500+78.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.03 грн
5+85.73 грн
10+83.21 грн
50+77.33 грн
100+73.97 грн
250+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+188.43 грн
79+181.25 грн
100+175.10 грн
250+163.72 грн
500+147.47 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.62 грн
10+150.16 грн
100+90.08 грн
500+75.41 грн
1000+69.69 грн
2000+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF
Код товару: 25040
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 80 A
Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3830/81
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+65.00 грн
10+59.00 грн
100+55.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInternational RectifierMOSFET N-Channel 100V 80A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+188.43 грн
79+181.25 грн
100+175.10 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+138.21 грн
500+124.03 грн
1000+114.71 грн
Мінімальне замовлення: 257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010SPBFInternational RectifierTO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.13 грн
10+168.63 грн
100+106.84 грн
500+89.38 грн
800+83.09 грн
2400+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.95 грн
10+172.17 грн
100+119.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBFInternational RectifierN-CH 100V 80A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF80701IOR01+
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF807D1IRF2001 SMD8
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF807D2IOR01+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF807VD1IOR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF807VD1TRPBFIR0650NO
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF809IRSOP-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF809AVSI07+/08+ SOP8
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF810Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 8A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 93400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF810HARRISIRF810
на замовлення 93400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.58 грн
1000+53.10 грн
10000+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113InfineonN-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113IR
на замовлення 6215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113GPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 24nC
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113PBFIOR09+
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRIOR
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 5600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.18 грн
500+33.74 грн
1000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 16.6A 6mOhm 24nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 5600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.74 грн
15+58.17 грн
100+43.18 грн
500+33.74 грн
1000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBFInfineonTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820HARRISIRF820
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.72 грн
500+74.45 грн
1000+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820
Код товару: 17799
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/24
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820N-кан. MOSFET 500V, 2.5A, 3.0Ом, 50Вт, TO-220AB (HEXFET) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820
Код товару: 214393
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/24
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
  • 32 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+23.00 грн
10+20.90 грн
100+18.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 4 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820STMN-кан. MOSFET 500V, 4A, 2.5Ом, 80Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820HARRISIRF820
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.72 грн
500+74.45 грн
1000+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820
Код товару: 220162
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 500 V
Idd,A: 0,17 A
Rds(on), Ohm: 10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 29/1,4
Монтаж: SMD
у наявності: 20 шт
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+35.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820SiliconixN-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
611+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820Harris CorporationDescription: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 ...N23K ANSiliconixN-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASiliconixN-MOSFET 2.5A 500V 50W 3Ω IRF820A TIRF820a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ALVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ALPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ALPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 2.5A N-CH MOSFET
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.89 грн
10+123.66 грн
100+74.02 грн
500+59.00 грн
1000+54.33 грн
2000+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ALPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.61 грн
10+114.76 грн
100+78.66 грн
500+59.31 грн
1000+54.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.67 грн
120+119.11 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.93 грн
10+89.94 грн
100+54.26 грн
500+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF820APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.93 грн
10+91.24 грн
100+63.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.94 грн
50+119.37 грн
100+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.97 грн
50+82.97 грн
100+74.53 грн
500+56.07 грн
1000+51.62 грн
2000+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+157.44 грн
158+89.96 грн
165+86.00 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+112.24 грн
10+85.73 грн
50+48.75 грн
100+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.97 грн
50+82.97 грн
100+74.53 грн
500+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 2.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.93 грн
10+89.94 грн
100+69.69 грн
500+55.86 грн
1000+50.14 грн
2000+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASD2Pack Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820AS
Код товару: 130524
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+160.48 грн
118+120.92 грн
131+108.22 грн
250+90.96 грн
500+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]