Продукція > Jan

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
JAN2N1989MOTOROLA
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N1990MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N1990SMOTOROLA
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N1990WMOTOROLA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N1991MOTOROLA
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N1991SMOTOROLA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N1992MOTOROLA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N1992AMOTOROLA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N1998MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2060MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2060Microchip TechnologyDescription: TRANS 2NPN 60V 500MA TO-78-6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 600mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/270
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2060AMOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2060BMOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2060LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 500mA 600mW NPN Long-Lead Dual Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2060LMicrochip TechnologyDescription: TRANS 2NPN 60V 500MA TO-78-6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 2.12W
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/270
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2060L/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2102MOTOROLA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2108MOTOROLA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2192MOTOROLA
на замовлення 21890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2218MOTOROLA
на замовлення 75500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2218Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2218Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2218/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2218AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2218AMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 800mW; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO39
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2218AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2218ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2218ALMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.8W
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2218ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2218AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2219Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2219MOTOROLA
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2219MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 800mA; 800mW; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO39
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2219Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2219AMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 800mW; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO39
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2219AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2219AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2219A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2219ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2219ALMICROSEMIкількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2219ALMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.8W
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2219ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2219AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2219SMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2219SMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 800mA; 800mW; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO39
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2219SMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2220MOTOROLA
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2220AMOTOROLA
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2221MOTOROLA
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2221AMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2221AMOTOROLA
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2221AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2221A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2221ALMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2221ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2221AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2221AUAMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2221AUAMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2221AUA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2221AUA/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2221AUBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2221AUBMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2221AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2221AUB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222Microsemi
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Case: TO18
Mounting: THT
Power dissipation: 0.5W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-218
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.98 грн
100+144.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AMICROSEMITO-18/ NPN TRANSISTOR 2N2222A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2222A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222ALMICROSEMITO18/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Long-Lead Small-Signal BJT THT
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222ALMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Case: TO18
Mounting: THT
Power dissipation: 0.5W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N2222AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222APMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222APMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Case: TO18
Mounting: THT
Power dissipation: 0.5W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222APMicrochip / MicrosemiMicrochip Technology Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUAMICROSEMIUA/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUAMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUAMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 650mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.65W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUA/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUA/TRMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUBMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUBMICROSEMIUB/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUBMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Non-Standard
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Non-Standard
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/255
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUB/TRMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUBPMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUBPMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW PinD 3 Pin CER Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUBPMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUBP/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUBP/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW PinD 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2222AUBP/TRMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 800mA; 500mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.8A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2223MOTOROLA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2223AMOTOROLA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N2242MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.