Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 90 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3J372RLXGF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374RToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshibaMOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
на замовлення 29781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.57 грн
6000+4.85 грн
9000+4.58 грн
15000+4.02 грн
21000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+17.42 грн
821+17.25 грн
1235+11.46 грн
1619+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.52 грн
29+26.17 грн
30+25.92 грн
100+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.47 грн
100+9.71 грн
500+6.76 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF(BToshibaSSM3J374R,LF(B
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+35.10 грн
420+33.70 грн
500+32.48 грн
1000+30.30 грн
2500+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J374R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.23 грн
55+15.04 грн
100+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J374R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
14+22.49 грн
100+14.30 грн
500+10.08 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.21 грн
6000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHFToshibaMOSFET SMOS P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
на замовлення 10355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
16+19.02 грн
100+9.61 грн
500+7.35 грн
1000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.08 грн
6000+4.68 грн
9000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 3-Pin S-Mini
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
16+19.85 грн
100+12.57 грн
500+8.83 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 3-Pin S-Mini
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.66 грн
26+29.73 грн
50+28.39 грн
100+15.77 грн
250+11.86 грн
500+11.74 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshibaMOSFET P Channel -20V -2A AECQ MOSFET
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 3-Pin S-Mini
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.42 грн
47+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.68 грн
6000+5.99 грн
9000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHF(BToshibaP-Channel MOSFET
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+14.11 грн
1037+13.64 грн
2500+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 1003 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHF(BToshibaMOSFETs SOT346 P-CH 20V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHF(BToshibaP-Channel MOSFET
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R
Код товару: 189169
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R LXHFToshiba SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.72 грн
6000+4.10 грн
9000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
на замовлення 8407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LF
Код товару: 192928
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.59 грн
100+7.70 грн
500+5.92 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH 20V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET
на замовлення 12499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH 20V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
20+15.70 грн
100+10.60 грн
500+7.67 грн
1000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHF(BToshiba SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHF(BToshibaSSM3J377R,LXHF(B
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1257+11.26 грн
1299+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 1257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J377R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+17.48 грн
62+13.25 грн
100+9.19 грн
500+6.94 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J377R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.94 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377RLF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377RLXHF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R LXHFToshiba SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
17+17.89 грн
100+9.00 грн
500+7.49 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.77 грн
6000+5.43 грн
9000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LFToshibaMOSFET P-CHAMMEL VDSS:-20V VGSS:-8/+6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LFToshibaSMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
675+20.98 грн
678+20.87 грн
834+16.97 грн
1000+15.35 грн
2000+14.10 грн
3000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J378R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.05 грн
43+19.26 грн
100+12.11 грн
500+8.45 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
14+21.96 грн
100+14.84 грн
500+10.84 грн
1000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
на замовлення 94200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHFToshibaAECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.74 грн
6000+7.24 грн
9000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF(BToshibaSSM3J378R,LXHF(B
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
481+29.41 грн
500+28.35 грн
1000+27.43 грн
2500+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF(BToshibaSSM3J378R,LXHF(B
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
481+29.41 грн
500+28.35 грн
1000+27.43 грн
2500+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF(BToshiba SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J378R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.91 грн
40+20.40 грн
100+14.14 грн
500+10.72 грн
1000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J378R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.14 грн
500+10.72 грн
1000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378RLXHF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J46CTB(TPL3)ToshibaMOSFET Small Sig FET 1.5V Low RDS 250mOhm
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J46CTB(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
на замовлення 25072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J46CTB(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.94 грн
38+19.87 грн
39+19.72 грн
100+9.70 грн
250+8.90 грн
500+8.47 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1406+10.06 грн
1420+9.97 грн
1432+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 1406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 4521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.49 грн
100+11.68 грн
500+8.18 грн
1000+7.29 грн
2000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3FToshibaMOSFETs Nch MOSFET
на замовлення 15576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F(BToshibaSSM3J56ACT,L3F(B
на замовлення 9117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+40.50 грн
364+38.87 грн
500+37.47 грн
1000+34.95 грн
2500+31.40 грн
5000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 11125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.14 грн
500+7.70 грн
1000+5.69 грн
5000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
на замовлення 6875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.57 грн
39+19.39 грн
48+15.99 грн
57+12.81 грн
100+9.87 грн
250+7.97 грн
500+6.43 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 11125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.69 грн
47+17.64 грн
100+11.14 грн
500+7.70 грн
1000+5.69 грн
5000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
на замовлення 6875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
730+19.39 грн
885+15.99 грн
1065+13.29 грн
1280+10.66 грн
1522+8.30 грн
1885+6.43 грн
2184+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 730 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56ACTL3F(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 17012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.24 грн
29+26.05 грн
30+25.81 грн
100+10.42 грн
250+9.55 грн
500+9.07 грн
1000+5.51 грн
3000+5.46 грн
6000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 46289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.77 грн
100+9.90 грн
500+6.90 грн
1000+6.12 грн
2000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.94 грн
16000+4.34 грн
24000+4.13 грн
40000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3FToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 17012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1309+10.81 грн
1323+10.69 грн
1337+10.58 грн
2200+6.20 грн
3000+5.68 грн
6000+4.52 грн
15000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 1309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.31ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.62 грн
250+9.19 грн
1000+6.14 грн
4000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.15 грн
70+11.62 грн
250+9.19 грн
1000+6.14 грн
4000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J64CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 17897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+17.28 грн
100+10.88 грн
500+7.61 грн
1000+6.77 грн
2000+6.06 грн
5000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J64CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J64CTC,L3FToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-12V Vgss:+/-10V Id:-1A
на замовлення 12581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J65CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 10 V
на замовлення 26774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
17+18.64 грн
100+9.39 грн
500+7.81 грн
1000+6.08 грн
2000+5.44 грн
5000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J65CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.73 грн
30+25.81 грн
31+24.44 грн
100+12.29 грн
500+9.98 грн
1000+7.38 грн
2500+6.54 грн
5000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3FToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm a. 4.5V, in VESM package
на замовлення 15112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 6611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.91 грн
100+8.08 грн
500+5.61 грн
1000+4.97 грн
2000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.59 грн
68+12.11 грн
108+7.54 грн
500+5.19 грн
1000+3.82 грн
5000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J66MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 7945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.11 грн
108+7.54 грн
500+5.19 грн
1000+3.82 грн
5000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 90 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]