Продукція > SSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3J36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 1.31 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.31ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 1.31 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.31ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FSLF(BToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV(TL3,T)ToshibaMOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -.33A -20V -8VGSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 9353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 9353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.01 грн
6000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.73 грн
31+24.77 грн
34+22.80 грн
50+21.77 грн
100+10.83 грн
250+10.29 грн
500+8.31 грн
1000+6.09 грн
3000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/Hi-Speed UFM (SOT-323F)
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 8725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
16+18.77 грн
100+9.48 грн
500+7.25 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371RToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R LXHFToshiba P CHAN 20V SOT-23F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A
на замовлення 25366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 11375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
19+15.93 грн
100+10.00 грн
500+6.98 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+28.10 грн
601+23.61 грн
695+20.42 грн
774+17.68 грн
1000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXGF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.57 грн
100+13.09 грн
500+9.23 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHFToshibaMOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A S
на замовлення 9582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF(BToshiba P CHAN 20V SOT-23F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J371R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J371R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371RLXHF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372RToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +12V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 239924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.15 грн
50+11.62 грн
100+9.53 грн
500+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshibaMOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Транзистори
на замовлення 7 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
7+111.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF
Код товару: 178119
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.17 грн
37+20.63 грн
100+12.62 грн
250+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +12V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 239400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.85 грн
9000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-12/+6V Id:-6A
на замовлення 20991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF(BToshibaSSM3J372R,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1627+8.71 грн
1682+8.43 грн
2500+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 1627 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 8271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 8271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXGFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 53977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.37 грн
25+30.58 грн
30+25.96 грн
50+22.54 грн
100+18.73 грн
500+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXGFToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 11877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1382+10.26 грн
1615+8.78 грн
1705+8.32 грн
2000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 1382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 11877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -30V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+20.64 грн
50+14.93 грн
100+12.28 грн
500+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -30V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.69 грн
9000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -30V -6A AECQ MOSFET
на замовлення 16655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHF(BToshibaSSM3J372R,LXHF(B
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+31.48 грн
470+30.22 грн
500+29.12 грн
1000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHF(BToshibaSSM3J372R,LXHF(B
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+31.48 грн
470+30.22 грн
500+29.12 грн
1000+27.17 грн
2500+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372RLF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372RLXGF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374RToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.52 грн
6000+4.80 грн
9000+4.54 грн
15000+3.98 грн
21000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.60 грн
29+26.22 грн
30+25.98 грн
100+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshibaMOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
на замовлення 29781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 24003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.33 грн
100+9.63 грн
500+6.70 грн
1000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+17.46 грн
821+17.28 грн
1235+11.48 грн
1619+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF(BToshibaSSM3J374R,LF(B
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+35.18 грн
420+33.77 грн
500+32.56 грн
1000+30.36 грн
2500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J374R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J374R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.15 грн
6000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
14+22.29 грн
100+14.16 грн
500+9.99 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHFToshibaMOSFET SMOS P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
на замовлення 10355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 25440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
16+18.85 грн
100+9.52 грн
500+7.29 грн
1000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.03 грн
6000+4.63 грн
9000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshibaMOSFET P Channel -20V -2A AECQ MOSFET
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
16+19.67 грн
100+12.45 грн
500+8.75 грн
1000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 3-Pin S-Mini
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.75 грн
26+29.80 грн
50+28.45 грн
100+15.80 грн
250+11.89 грн
500+11.76 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 3-Pin S-Mini
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.47 грн
47+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.62 грн
6000+5.94 грн
9000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 3-Pin S-Mini
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHF(BToshibaP-Channel MOSFET
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHF(BToshibaP-Channel MOSFET
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+14.14 грн
1037+13.67 грн
2500+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 1003 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHF(BToshibaMOSFETs SOT346 P-CH 20V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R
Код товару: 189169
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R LXHFToshiba SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 47906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.23 грн
50+11.68 грн
100+9.57 грн
500+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LFToshibaMOSFETs X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LF
Код товару: 192928
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.85 грн
9000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET
на замовлення 20358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH 20V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
19+16.45 грн
50+11.83 грн
100+9.70 грн
500+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH 20V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHF(BToshibaSSM3J377R,LXHF(B
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1257+11.28 грн
1299+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 1257 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHF(BToshiba SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J377R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J377R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377RLF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377RLXHF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R LXHFToshiba SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.72 грн
6000+5.38 грн
9000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J378R,LFToshibaMOSFET P-CHAMMEL VDSS:-20V VGSS:-8/+6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.