Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 90 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3J35CTL3F(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: VESM
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.43 грн
16000+2.11 грн
24000+2.00 грн
40000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFV,L3FToshibaMOSFET Small-signal MOSFET ID -0.1A, -20V VDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: VESM
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 64429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
37+8.30 грн
100+5.17 грн
500+3.54 грн
1000+3.12 грн
2000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFVL3F(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS(T5L,F,T)ToshibaMOSFET Small-Signal MOSFETs Single
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 280306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 320020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
31+9.96 грн
100+6.19 грн
500+4.25 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshibaP-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SSM SSM3J36FS,LF TSSM3j36fs
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 318000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.44 грн
6000+2.97 грн
9000+2.79 грн
15000+2.43 грн
21000+2.32 грн
30000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 12365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.87 грн
43+17.56 грн
44+17.38 грн
105+6.95 грн
250+6.37 грн
500+5.87 грн
1000+4.20 грн
3000+3.40 грн
6000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(BTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 20V; 330mA; 150mW; SSM
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.33A
Power dissipation: 0.15W
Case: SSM
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 1.31 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.31ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 1.31 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.31ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FSLF(BToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV(TL3,T)ToshibaMOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -.33A -20V -8VGSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 9353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 9353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
на замовлення 8725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
16+18.95 грн
100+9.56 грн
500+7.32 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: P-Channel
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.05 грн
6000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.65 грн
31+24.71 грн
34+22.75 грн
50+21.72 грн
100+10.80 грн
250+10.26 грн
500+8.29 грн
1000+6.08 грн
3000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/Hi-Speed UFM (SOT-323F)
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371RToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R LXHFToshiba P CHAN 20V SOT-23F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+16.08 грн
100+10.09 грн
500+7.04 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A
на замовлення 25366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+28.04 грн
601+23.55 грн
695+20.38 грн
774+17.64 грн
1000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXGF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.76 грн
100+13.21 грн
500+9.31 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHFToshibaMOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A S
на замовлення 9582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF(BToshiba P CHAN 20V SOT-23F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J371R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J371R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371RLXHF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372RToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshibaMOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF
Код товару: 178119
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-12/+6V Id:-6A
на замовлення 20991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.10 грн
37+20.58 грн
100+12.59 грн
250+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +12V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.03 грн
9000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +12V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 259490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
19+16.61 грн
50+11.99 грн
100+9.82 грн
500+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF(BToshibaSSM3J372R,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1627+8.69 грн
1682+8.41 грн
2500+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 1627 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 8271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 8271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXGFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 53977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.29 грн
25+30.51 грн
30+25.90 грн
50+22.49 грн
100+18.69 грн
500+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXGFToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 11877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1382+10.24 грн
1615+8.76 грн
1705+8.30 грн
2000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 1382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 11877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -30V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+23.02 грн
100+14.70 грн
500+10.41 грн
1000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -30V -6A AECQ MOSFET
на замовлення 16655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -30V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHF(BToshibaSSM3J372R,LXHF(B
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+31.41 грн
470+30.15 грн
500+29.06 грн
1000+27.11 грн
2500+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHF(BToshibaSSM3J372R,LXHF(B
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+31.41 грн
470+30.15 грн
500+29.06 грн
1000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372RLF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372RLXGF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374RToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.47 грн
100+9.71 грн
500+6.76 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+17.42 грн
821+17.25 грн
1235+11.46 грн
1619+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.57 грн
6000+4.85 грн
9000+4.58 грн
15000+4.02 грн
21000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.52 грн
29+26.17 грн
30+25.92 грн
100+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LFToshibaMOSFET Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
на замовлення 29781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF(BToshibaSSM3J374R,LF(B
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+35.10 грн
420+33.70 грн
500+32.48 грн
1000+30.30 грн
2500+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J374R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J374R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHFToshibaMOSFET SMOS P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
на замовлення 10355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
14+22.49 грн
100+14.30 грн
500+10.08 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J374R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.21 грн
6000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.08 грн
6000+4.68 грн
9000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
16+19.02 грн
100+9.61 грн
500+7.35 грн
1000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 3-Pin S-Mini
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.68 грн
6000+5.99 грн
9000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 3-Pin S-Mini
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.66 грн
26+29.73 грн
50+28.39 грн
100+15.77 грн
250+11.86 грн
500+11.74 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshibaMOSFET P Channel -20V -2A AECQ MOSFET
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A Automotive 3-Pin S-Mini
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.42 грн
47+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
16+19.85 грн
100+12.57 грн
500+8.83 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHF(BToshibaMOSFETs SOT346 P-CH 20V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHF(BToshibaP-Channel MOSFET
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J375F,LXHF(BToshibaP-Channel MOSFET
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+14.11 грн
1037+13.64 грн
2500+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 1003 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R
Код товару: 189169
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R LXHFToshiba SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 60041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.77 грн
100+9.94 грн
500+6.92 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LF
Код товару: 192928
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.70 грн
6000+4.96 грн
9000+4.69 грн
15000+4.11 грн
21000+3.94 грн
30000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 90 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]