Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 90 100  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K127TUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU(TE85L)ToshibaSSM3K127TU(TE85L)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2050+13.80 грн
10000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 2050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.21 грн
100+13.67 грн
500+9.62 грн
1000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm a. 4V, in UFM package
на замовлення 17520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K127TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.20 грн
500+10.57 грн
1000+8.64 грн
5000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
474+29.89 грн
904+15.65 грн
1000+14.52 грн
2000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K127TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.85 грн
35+23.57 грн
100+15.20 грн
500+10.57 грн
1000+8.64 грн
5000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K12TTOSHIBA
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K12T(T5LSONY,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 12250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
11+29.81 грн
100+19.61 грн
500+14.03 грн
1000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.57 грн
6000+10.25 грн
9000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package
на замовлення 3109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LF(BToshibaSSM3K131TU,LF(B
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
557+25.42 грн
578+24.51 грн
1000+23.70 грн
2500+22.19 грн
5000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14TTOSHIBA
на замовлення 15204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14T (TE85L,F)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14T(T5L.F.T)Toshiba
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14T(TE85L)ToshibaMOSFET TSM S-MOS(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14T(TE85L,F)ToshibaMOSFET Pb-F TSM S-MOS(LF),ACTIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14T(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14T(TE85LF)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14TTE85LFToshibaMOSFET X34 Pb-F TSM S-MOS (LF) TRANSISTOR Pd=700mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3)ToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: CST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET
на замовлення 14509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.99 грн
54+14.04 грн
55+13.89 грн
100+12.11 грн
250+10.03 грн
500+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5227+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 5227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 4746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+11.17 грн
100+6.94 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
2000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3413+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 9120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+13.25 грн
1104+12.81 грн
2500+12.44 грн
5000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 1068 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2863+4.94 грн
2995+4.72 грн
3037+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 2863 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.86 грн
72+11.30 грн
115+7.13 грн
500+4.87 грн
1000+3.53 грн
5000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.23 грн
1000+3.77 грн
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.27 грн
20000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
на замовлення 19939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 22018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
27+11.25 грн
100+7.00 грн
500+4.83 грн
1000+4.26 грн
2000+3.79 грн
5000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3F(BToshibaSSM3K15ACTC,L3F(B
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1046+13.53 грн
1080+13.10 грн
2500+12.70 грн
5000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 1046 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 9155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.46 грн
122+6.71 грн
500+4.54 грн
1000+3.35 грн
5000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15ACTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 9155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+17.48 грн
71+11.46 грн
122+6.71 грн
500+4.54 грн
1000+3.35 грн
5000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 34239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.59 грн
100+5.97 грн
500+4.10 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.31 грн
6000+2.85 грн
9000+2.68 грн
15000+2.34 грн
21000+2.23 грн
30000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LFToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+7.27 грн
2014+7.02 грн
2500+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.41 грн
50+18.53 грн
100+16.34 грн
500+13.06 грн
1500+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1128+12.54 грн
1505+9.40 грн
2000+7.90 грн
3000+7.08 грн
6000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 93356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1128+12.54 грн
1505+9.40 грн
2000+7.90 грн
3000+7.08 грн
6000+5.12 грн
12000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.34 грн
500+13.06 грн
1500+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFSLF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
36+8.60 грн
100+5.31 грн
500+3.64 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.93 грн
6000+2.52 грн
9000+2.36 грн
15000+2.06 грн
21000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+17.17 грн
71+10.63 грн
72+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 15078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 11087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1684+8.40 грн
1741+8.13 грн
2500+7.89 грн
5000+7.40 грн
10000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 1684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 34672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.05 грн
107+7.62 грн
137+5.95 грн
500+4.36 грн
1500+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 630 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 94082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2159+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 2159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AFU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 34922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.88 грн
500+12.30 грн
1500+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.37 грн
16000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.94 грн
16000+2.56 грн
24000+2.42 грн
40000+2.12 грн
56000+2.04 грн
80000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
на замовлення 15498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 87906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
31+9.89 грн
100+6.16 грн
500+4.24 грн
1000+3.73 грн
2000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.55 грн
16000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2443+5.79 грн
2517+5.62 грн
5000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 2443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM Substitute: SSM3K15AMFV,L3F; SSM3K15AMFV,L3F(B; SSM3K15AMFV,L3F(T; SSM3K15AMFV,L3F(T TSSM3k15amfv
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 35633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.37 грн
105+7.78 грн
250+6.07 грн
1000+3.79 грн
4000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
на замовлення 35633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.37 грн
105+7.78 грн
250+6.07 грн
1000+3.79 грн
4000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1087+13.01 грн
1729+8.18 грн
2000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 1087 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
на замовлення 13926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
на замовлення 12617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
36+8.45 грн
100+5.24 грн
500+3.59 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.88 грн
6000+2.48 грн
9000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LF(BToshibaSSM3K15F,LF(B
на замовлення 3142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15F,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2496+5.67 грн
3326+4.25 грн
3334+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 2496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 90 100  [ Наступна Сторінка >> ]