Продукція > SSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K09FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 11660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+33.36 грн
873+16.25 грн
1000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LXGF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 400mA; 150mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FU,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FUDTC114EE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K09FULF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K101TUTOSHIBASOT-23 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K102TUTOSHIBA09+
на замовлення 75018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K104TUTOSHIBASOT-323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K104TU,LF(BToshibaSSM3K104TU,LF(B
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1707+16.61 грн
10000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 1707 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K105TUTOS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K105TUTE85L
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K106TU(T5L,T)ToshibaMOSFETs Small-signal FET 1.2A 20V 0.53Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K106TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K106TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K106TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=20V Id=1.2A 3Pin
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K106TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TUTOSHIBASOT-323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=30V Id=2.2A 3Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 4632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.11 грн
9000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.41 грн
55+13.88 грн
56+13.61 грн
100+11.70 грн
250+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 16285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.39 грн
50+21.43 грн
100+17.70 грн
500+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
547+25.92 грн
568+24.99 грн
1000+24.17 грн
2500+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+55.00 грн
529+26.84 грн
577+24.57 грн
1000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K119TU
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K119TU,LF(BToshibaSSM3K119TU,LF(B
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
587+48.33 грн
1000+44.56 грн
10000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 587 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TUTOSHIBA09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=20V Id=3.2A 3Pin
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal Mosfet
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TU,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 20V; 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
431+11.72 грн
500+10.22 грн
1000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TU,LF(BToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+20.29 грн
725+19.56 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TU,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TU,LXGF(TToshibaSilicon N Channel MOS Type Automotive AEC-Q101
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+38.08 грн
762+18.62 грн
1000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K121TU,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU(TE85L)TOSHIBASOT23
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package
на замовлення 11786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 5487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
14+21.84 грн
100+13.87 грн
500+9.77 грн
1000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LF(BToshibaSSM3K122TU,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+23.41 грн
629+22.56 грн
1000+21.82 грн
2500+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LF(BToshibaSSM3K122TU,LF(B
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM T/R
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM T/R
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K122TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K122TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TUToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 14918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.17 грн
50+21.30 грн
100+17.57 грн
500+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LFToshibaMOSFETs UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz
на замовлення 27008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.96 грн
43+17.76 грн
44+17.41 грн
100+10.98 грн
250+10.12 грн
500+9.01 грн
1000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.27 грн
9000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
815+17.41 грн
1245+11.39 грн
1252+11.33 грн
1349+10.13 грн
1462+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 815 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF(BToshibaSSM3K123TU,LF(B
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 17799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
725+19.56 грн
926+15.31 грн
1200+11.81 грн
3000+11.30 грн
6000+9.37 грн
12000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 16502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K123TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 16502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU(TE85L)ToshibaSSM3K127TU(TE85L)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2050+13.83 грн
10000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 2050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 3687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.59 грн
50+16.41 грн
100+13.50 грн
500+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package
на замовлення 24243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K127TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
на замовлення 20966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
474+29.96 грн
904+15.69 грн
1000+14.55 грн
2000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K127TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K12TTOSHIBA
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K12T(T5LSONY,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 12250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
11+29.54 грн
100+19.43 грн
500+13.90 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.47 грн
6000+10.16 грн
9000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package
на замовлення 3109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 6A
Mounting: SMD
Gate charge: 10.1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
251+20.49 грн
300+15.54 грн
500+14.79 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LF(BToshibaSSM3K131TU,LF(B
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
557+25.48 грн
578+24.56 грн
1000+23.76 грн
2500+22.23 грн
5000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14TTOSHIBA
на замовлення 15204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14T (TE85L,F)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14T(T5L.F.T)Toshiba
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14T(TE85L)ToshibaMOSFET TSM S-MOS(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14T(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14T(TE85L,F)ToshibaMOSFET Pb-F TSM S-MOS(LF),ACTIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14T(TE85LF)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K14TTE85LFToshibaMOSFET X34 Pb-F TSM S-MOS (LF) TRANSISTOR Pd=700mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.