Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF830ASTRPBFIR
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BONSEMIDescription: ONSEMI - IRF830B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BFAIRCHILDIRF830B
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+80.78 грн
500+72.71 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830Bonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BFAIRCHILDIRF830B
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+80.78 грн
500+72.71 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BFairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BFAIRCHILDIRF830B
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+80.78 грн
500+72.71 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BFAIRCHILDIRF830B
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+80.78 грн
500+72.71 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 10A; 104W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF830BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBFVishay SemiconductorsMOSFETs 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.69 грн
76+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 5.3A N-CH MOSFET
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRF830BPBF. - MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
directShipCharge: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830LPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830LPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.5A; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.5A
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830NPBFIR
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.86 грн
10+96.86 грн
25+95.91 грн
50+91.55 грн
100+73.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF
Код товару: 17846
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
товару немає в наявності
2+16.00 грн
10+14.40 грн
100+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 16416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+98.13 грн
146+97.16 грн
147+96.17 грн
172+79.34 грн
500+60.78 грн
1000+46.93 грн
2500+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 16430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.81 грн
10+97.82 грн
25+96.86 грн
50+92.44 грн
100+73.23 грн
500+58.17 грн
1000+46.79 грн
2500+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 11303 шт:
термін постачання 141-150 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFN-кан. MOSFET 500V, 4.5A, 1.5Ом, 74Вт, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.98 грн
10+62.98 грн
30+48.42 грн
50+43.93 грн
100+39.45 грн
150+37.59 грн
250+35.72 грн
500+33.86 грн
1000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.33 грн
131+108.41 грн
156+90.51 грн
500+83.85 грн
1000+71.48 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF
Код товару: 163342
2 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується 20.09.2026
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF830PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 4421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.86 грн
146+96.86 грн
148+95.91 грн
149+91.55 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.18 грн
10+112.15 грн
50+85.34 грн
100+71.97 грн
500+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+51.44 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF830PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 4.5A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF/VISHAYVIAHAY08+;
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830RHARRISIRF830R
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+99.43 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830S
Код товару: 108365
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRF830SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.58 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.48 грн
10+140.87 грн
50+108.11 грн
100+91.55 грн
500+74.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.61 грн
10+100.55 грн
100+86.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFTO-263 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
5+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLIR
на замовлення 8680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 4.5 Amp
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.11 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.48 грн
10+140.87 грн
50+108.11 грн
100+91.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 500V 4.5 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF831Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+127.76 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313PBF
Код товару: 23488
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 9,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,015 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 760/6
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+64.00 грн
10+58.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 6,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF8313; IRF8313TR; SP001570694; SP001577640; IRF8313TR UMW TIRF8313 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRInfineon2xN-MOSFET HEXFET 9.7A 30V 2W 0.0155Ω IRF8313 TIRF8313
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 21024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+39.24 грн
1000+36.20 грн
10000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 9,7, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 15, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 15,5 мОм @ 9,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 943 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
4000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 943 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8327STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8327STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
539+65.47 грн
1000+61.82 грн
Мінімальне замовлення: 539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8327STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8327STRPBFInfineon / IRMOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 441-450 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8327STRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF8327STRPBF - IRF8327 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8327STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840Foshan Blue Rocket ElecN-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.85Ом, 125Вт, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 8 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840
Код товару: 17952
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1600/60
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]