Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF830S
Код товару: 108365
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.97 грн
10+127.14 грн
100+100.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.31 грн
50+106.56 грн
100+96.15 грн
500+73.11 грн
1000+67.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.75 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFTO-263 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.83 грн
142+100.08 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.44 грн
10+99.57 грн
100+62.43 грн
500+58.10 грн
5000+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF830SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.07 грн
10+102.65 грн
100+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.85 грн
12+67.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLIR
на замовлення 8680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.31 грн
10+138.89 грн
100+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 4.5 Amp
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.33 грн
10+138.92 грн
100+83.09 грн
500+62.43 грн
800+60.68 грн
2400+59.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 500V 4.5 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF831Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+126.85 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313PBF
Код товару: 23488
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 9,7 A
Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 760/6
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+64.00 грн
10+58.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 6,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF8313; IRF8313TR; SP001570694; SP001577640; IRF8313TR UMW TIRF8313 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRInfineon2xN-MOSFET HEXFET 9.7A 30V 2W 0.0155Ω IRF8313 TIRF8313
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 9.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 21024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+39.42 грн
1000+36.36 грн
10000+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 9,7, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 15, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 15,5 мОм @ 9,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 943 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 943 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8327STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8327STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8327STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8327STRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF8327STRPBF - IRF8327 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8327STRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8327STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
539+65.76 грн
1000+62.10 грн
Мінімальне замовлення: 539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8327STRPBFInfineon / IRMOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 441-450 дні (днів)
3+143.38 грн
10+126.88 грн
100+85.89 грн
500+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840Foshan Blue Rocket ElecN-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.85Ом, 125Вт, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840
Код товару: 17952
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/60
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STMN-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.75Ом, 125Вт, TO-220 (PowerMesh) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 8 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840--401FIR2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 695mOhm; 10A; 178W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF840; IRF840-BE3; IRF840-ML MOSLEADER TIRF840 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF84093HARRISIRF84093
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+109.23 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF84093Harris CorporationDescription: 7A, 450V, 0.85OHM, N-CHANNEL, PO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840AТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840AMOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+118.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASiliconixTranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.44 грн
122+116.24 грн
123+115.75 грн
500+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.00 грн
10+115.87 грн
100+115.38 грн
500+107.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.69 грн
10+141.33 грн
100+111.72 грн
500+91.47 грн
1000+90.78 грн
2000+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.02 грн
50+132.43 грн
100+119.93 грн
500+91.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.95 грн
10+101.83 грн
100+96.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBFTO-220AB Транзистори
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+134.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.13 грн
83+171.99 грн
100+161.41 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+189.18 грн
10+108.43 грн
50+95.82 грн
100+89.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.90 грн
50+169.45 грн
100+154.03 грн
500+122.96 грн
1000+105.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF
Код товару: 53900
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.15 грн
10+119.65 грн
100+77.51 грн
500+74.72 грн
5000+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.52 грн
50+129.13 грн
100+116.90 грн
500+89.57 грн
1000+83.11 грн
2000+77.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+386.75 грн
50+195.60 грн
100+177.06 грн
500+139.40 грн
1000+119.76 грн
2000+107.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.17 грн
10+139.31 грн
100+106.72 грн
500+75.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+352.66 грн
78+183.94 грн
100+165.55 грн
500+129.95 грн
1000+110.76 грн
2000+98.55 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+297.90 грн
84+169.45 грн
100+154.03 грн
500+122.96 грн
1000+105.43 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 35892
4 Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
у наявності: 294 шт
  • 249 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+43.50 грн
100+38.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.60 грн
10+119.75 грн
25+113.24 грн
50+99.10 грн
100+86.59 грн
500+81.00 грн
1000+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.52 грн
10+167.10 грн
100+116.90 грн
500+89.57 грн
1000+83.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-GE3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASIRTO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.50 грн
10+156.49 грн
100+143.78 грн
500+105.52 грн
1000+96.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.59 грн
50+144.94 грн
100+131.46 грн
500+101.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.99 грн
100+144.24 грн
500+109.79 грн
1000+104.81 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1018 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.88 грн
81+175.96 грн
100+161.41 грн
250+142.88 грн
500+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]