Продукція > SSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K333RLXGF(BToshiba SOT23 N CHAN 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+24.35 грн
911+15.57 грн
920+15.42 грн
1223+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LFToshibaN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 15, Qg, нКл = 2,7 @ 4,5 В, Rds = 38 мОм @ 4 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23F-3 Очікується: 287 Од. вим:
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LFToshibaMOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
на замовлення 13750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 26352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
14+22.14 грн
50+16.03 грн
100+13.17 грн
500+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.52 грн
31+24.59 грн
32+24.35 грн
100+15.02 грн
250+13.77 грн
500+9.94 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.26 грн
9000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 6A; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 6A
Case: SOT23F
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
722+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 722 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
731+19.40 грн
758+18.70 грн
1000+18.10 грн
2500+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 4942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
889+15.95 грн
976+14.53 грн
1289+11.00 грн
1462+9.35 грн
2000+8.09 грн
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 12255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K335R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.026 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 12255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1197+11.85 грн
1237+11.46 грн
2500+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 1197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.75 грн
59+12.92 грн
60+12.79 грн
100+11.04 грн
250+9.02 грн
500+7.50 грн
1000+6.35 грн
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LFToshibaMOSFETs Small Signal Mosfet
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
на замовлення 9063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
16+19.59 грн
50+14.18 грн
100+11.65 грн
500+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1109+12.79 грн
1239+11.44 грн
1404+10.10 грн
1620+8.44 грн
1914+6.62 грн
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 1109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 126 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.27 грн
9000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1046+13.56 грн
1080+13.13 грн
2500+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 1046 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 3A; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 3A
Case: SOT23F
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
475+7.16 грн
500+5.90 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K336R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.095 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 3A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K336R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K336R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.095 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.47 грн
6000+9.57 грн
9000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
на замовлення 12304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
12+25.58 грн
100+17.77 грн
500+13.02 грн
1000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH 38V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH 38V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH 38V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
536+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 536 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH 38V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH 38V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339RTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 7424 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
41+11.10 грн
65+6.48 грн
100+5.82 грн
500+5.15 грн
3000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF
Код товару: 177600
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.08 грн
9000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LFToshibaMOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 230205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 304250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
18+16.68 грн
50+12.04 грн
100+9.87 грн
500+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1627+8.71 грн
1682+8.43 грн
2500+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 1627 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(BTOSHIBACategory: Transistors - Unclassified
Description: SSM3K339R,LF(B
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
926+5.59 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 926 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.185 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 12071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1272+11.15 грн
1684+8.42 грн
2000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 1272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.185 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 12071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341RToshibaN-канальний ПТ, Udss, В = 620, Id = 6, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: SOT-23F Очікується: 1200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R LXHFToshiba SOT23 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 127885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.81 грн
10+31.56 грн
50+23.09 грн
100+19.08 грн
500+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LFToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
на замовлення 94689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.39 грн
9000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A SOT-23F
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; Idm: 24A; 2.4W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2.4W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
на замовлення 4556 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.03 грн
50+26.01 грн
100+23.93 грн
250+21.27 грн
500+19.36 грн
1000+17.37 грн
3000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 16033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+63.50 грн
500+38.65 грн
1000+24.95 грн
3000+23.87 грн
6000+17.04 грн
12000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TToshibaMOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LVARF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
542+26.18 грн
811+17.48 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 542 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+33.50 грн
50+24.55 грн
100+20.31 грн
500+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
на замовлення 5266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.26 грн
9000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(BToshibaSSM3K341R,LXHF(B
на замовлення 12096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
551+25.77 грн
571+24.84 грн
1000+24.03 грн
2500+22.49 грн
5000+20.27 грн
10000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 551 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(BToshibaSSM3K341R,LXHF(B
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(BToshiba SOT23 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(TToshibaSSM3K341R,LXHF(T
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(TToshibaSSM3K341R,LXHF(T
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+56.23 грн
518+27.40 грн
567+25.04 грн
1000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341RLVARF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341RLXGF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341RLXHF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshibaMOSFET N-CH 60V 6A UFM Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 72221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+32.98 грн
50+24.13 грн
100+19.94 грн
500+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.15 грн
41+18.61 грн
100+15.44 грн
250+14.22 грн
500+11.96 грн
1000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
762+18.61 грн
886+16.01 грн
891+15.92 грн
1017+13.45 грн
1231+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.93 грн
9000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A UFM
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive UFM
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.97 грн
21+37.47 грн
25+37.21 грн
50+35.67 грн
100+24.22 грн
250+23.07 грн
500+22.89 грн
1000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.91 грн
6000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+41.66 грн
100+27.13 грн
500+19.58 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
на замовлення 8853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF(BToshibaMOSFETs UFM N-CH 60V 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.