Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.91 грн
29+26.40 грн
100+16.78 грн
250+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF
Код товару: 197600
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 12 V
на замовлення 8191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.61 грн
100+13.08 грн
500+9.22 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshibaTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 12V; 2,4Ohm; 650mA; 1W; -55°C ~ 150°C; SSM3K357RLFT-TOS-0; SSM3K357R,LF(T; SSM3K357R,LF TSSM3K357R
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
на замовлення 5554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(BToshibaSSM3K357R,LF(B
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+17.59 грн
835+16.95 грн
1000+16.40 грн
2500+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 805 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.40 грн
50+24.95 грн
100+16.01 грн
500+11.10 грн
1500+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1235+11.46 грн
1444+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 1235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.01 грн
500+11.10 грн
1500+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 650mA; 1.5W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 650mA
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: 12V
On-state resistance: 1.8Ω
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LXGF(TToshibaSilicon N-Channel MOS
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1188+11.91 грн
1386+10.21 грн
1462+9.67 грн
2000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 1188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+17.23 грн
987+14.33 грн
1136+12.46 грн
1267+10.77 грн
1397+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 822 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357RLF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357RLXGFToshiba SOT23 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.05 грн
6000+2.63 грн
9000+2.47 грн
15000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LFToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
на замовлення 114748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 15628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+8.91 грн
100+5.53 грн
500+3.79 грн
1000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.66 грн
57+13.24 грн
128+5.70 грн
250+5.23 грн
500+4.98 грн
1000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.30 грн
1000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.53 грн
85+9.67 грн
205+3.97 грн
500+3.30 грн
1000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 21873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
35+8.83 грн
100+5.50 грн
500+3.77 грн
1000+3.32 грн
2000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 17741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.46 грн
60+12.69 грн
61+12.57 грн
134+5.44 грн
250+4.98 грн
500+4.74 грн
1000+2.71 грн
3000+2.68 грн
6000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
на замовлення 788537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 17741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2534+5.58 грн
2560+5.53 грн
4478+3.16 грн
4519+3.02 грн
6000+2.24 грн
15000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 2534 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.60 грн
16000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(BToshibaSSM3K35AMFV,L3F(B
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(BToshibaSSM3K35AMFV,L3F(B
на замовлення 14398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1461+9.68 грн
1510+9.37 грн
2500+9.10 грн
5000+8.54 грн
10000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 1461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 6153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.98 грн
95+8.62 грн
152+5.38 грн
500+3.64 грн
1000+2.63 грн
5000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.99 грн
48000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40000+7.61 грн
48000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 6153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.62 грн
152+5.38 грн
500+3.64 грн
1000+2.63 грн
5000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 23110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2050+6.90 грн
2203+6.42 грн
2505+5.65 грн
2614+5.22 грн
8000+4.56 грн
16000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 2050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
на замовлення 7682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
29+10.49 грн
100+6.53 грн
500+4.50 грн
1000+3.97 грн
2000+3.52 грн
5000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3FToshibaMOSFETs SOT883 N-CH 20V .18A
на замовлення 19505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.41 грн
30000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.41 грн
30000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 8720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+17.48 грн
76+10.73 грн
250+6.71 грн
1000+3.57 грн
5000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1765+8.01 грн
1771+7.99 грн
1897+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 1765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.53 грн
43+17.72 грн
44+17.54 грн
100+7.73 грн
250+7.13 грн
500+6.39 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1601+8.83 грн
1656+8.54 грн
2500+8.29 грн
5000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 1601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTL3F(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTTPL3
на замовлення 15310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35FSToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3)ToshibaMOSFET Singel N-ch 20V 0.18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3FToshibaMOSFET Small-signal FET 0.18A 20V 20Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.91 грн
24000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+17.48 грн
111+7.36 грн
250+5.75 грн
1000+3.59 грн
4000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.91 грн
24000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3XGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3XGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.75 грн
250+7.68 грн
1000+6.08 грн
4000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFV,L3XGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3XGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.84 грн
84+9.75 грн
250+7.68 грн
1000+6.08 грн
4000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFVL3F(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35MFVL3XGF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LFToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
на замовлення 96231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 27590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
10+30.27 грн
100+19.53 грн
500+13.98 грн
1000+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.58 грн
6000+10.22 грн
9000+9.74 грн
15000+8.64 грн
21000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(BToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.39 грн
50+34.63 грн
100+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXGF(TToshibaSilicon N-channel MOS Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+23.08 грн
617+22.96 грн
755+18.75 грн
1000+16.93 грн
3000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 6099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.10 грн
50+41.29 грн
100+32.60 грн
500+21.81 грн
1500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 6099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.60 грн
500+21.81 грн
1500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.23 грн
100+26.26 грн
500+19.00 грн
1000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
на замовлення 5613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.96 грн
6000+14.16 грн
9000+13.55 грн
15000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHF(BToshibaSSM3K361R,LXHF(B
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHF(BToshibaMOSFETs SOT23 100V 3.5A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHF(BToshibaSSM3K361R,LXHF(B
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.54 грн
500+23.02 грн
1000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.49 грн
17+48.04 грн
100+31.54 грн
500+23.02 грн
1000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361RLF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361RLXGF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.85 грн
6000+9.56 грн
9000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
на замовлення 6401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
726+19.49 грн
847+16.70 грн
852+16.61 грн
970+14.07 грн
1159+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 726 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 11951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
11+28.61 грн
100+18.40 грн
500+13.14 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.07 грн
39+19.49 грн
100+16.10 грн
250+14.83 грн
500+12.50 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K361TU,LF(BToshibaSSM3K361TU,LF(B
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+21.88 грн
671+21.08 грн
1000+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]