Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3K339R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.28 грн
100+10.86 грн
500+7.59 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1627+8.69 грн
1682+8.41 грн
2500+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 1627 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.185 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 13111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.185 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1272+11.13 грн
1684+8.40 грн
2000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 1272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K339RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341RToshibaN-канальний ПТ, Udss, В = 620, Id = 6, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: SOT-23F Очікується: 1200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R LXHFToshiba SOT23 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 170885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
11+30.04 грн
100+19.28 грн
500+13.75 грн
1000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 170500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.69 грн
6000+10.30 грн
9000+9.81 грн
15000+8.69 грн
21000+8.38 грн
30000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LFToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
на замовлення 124932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A SOT-23F
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; Idm: 24A; 2.4W; SOT23F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2.4W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.15 грн
50+20.55 грн
100+19.88 грн
1000+18.62 грн
3000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TToshibaMOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 16033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+63.36 грн
500+38.56 грн
1000+24.89 грн
3000+23.82 грн
6000+17.01 грн
12000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LVARF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
542+26.12 грн
811+17.44 грн
1000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 542 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.93 грн
100+20.55 грн
500+14.68 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.50 грн
6000+11.02 грн
9000+10.51 грн
15000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
на замовлення 7443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(BToshiba SOT23 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(BToshibaSSM3K341R,LXHF(B
на замовлення 12096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
551+25.71 грн
571+24.79 грн
1000+23.98 грн
2500+22.44 грн
5000+20.22 грн
10000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 551 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(BToshibaSSM3K341R,LXHF(B
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(TToshibaSSM3K341R,LXHF(T
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+56.10 грн
518+27.34 грн
567+24.99 грн
1000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341RLVARF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341RLXGF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341RLXHF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.10 грн
41+18.57 грн
100+15.40 грн
250+14.19 грн
500+11.93 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
762+18.57 грн
886+15.97 грн
891+15.89 грн
1017+13.42 грн
1231+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A UFM
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 17164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+27.70 грн
100+17.81 грн
500+12.69 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshibaMOSFET N-CH 60V 6A UFM Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 6A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.45 грн
6000+9.21 грн
9000+8.77 грн
15000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A UFM
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.06 грн
6000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
на замовлення 8853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive UFM
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.87 грн
21+37.39 грн
25+37.13 грн
50+35.59 грн
100+24.16 грн
250+23.02 грн
500+22.84 грн
1000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+42.04 грн
100+27.38 грн
500+19.76 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
518+27.34 грн
537+26.35 грн
1000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 518 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF(BToshibaMOSFETs UFM N-CH 60V 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K341TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K344R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
6000+6.20 грн
9000+5.88 грн
15000+5.17 грн
21000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K344R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K344R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153 pF @ 10 V
на замовлення 24001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
16+19.32 грн
100+12.17 грн
500+8.54 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K344R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K344R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.23 грн
100+12.83 грн
500+9.01 грн
1000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V
на замовлення 52090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.51 грн
6000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.61 грн
38+20.04 грн
100+10.87 грн
250+9.33 грн
500+8.87 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
706+20.04 грн
1255+11.28 грн
1354+10.45 грн
1368+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(BToshibaSSM3K345R,LF(B
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 805 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K345R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K345R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345RLF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
14+21.59 грн
100+10.89 грн
500+9.06 грн
1000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.98 грн
6000+6.57 грн
9000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K347R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.91 грн
29+26.40 грн
100+16.78 грн
250+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshibaTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 12V; 2,4Ohm; 650mA; 1W; -55°C ~ 150°C; SSM3K357RLFT-TOS-0; SSM3K357R,LF(T; SSM3K357R,LF TSSM3K357R
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 12 V
на замовлення 8191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.61 грн
100+13.08 грн
500+9.22 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
на замовлення 5554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF
Код товару: 197600
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 12 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.50 грн
6000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(BToshibaSSM3K357R,LF(B
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+17.59 грн
835+16.95 грн
1000+16.40 грн
2500+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 805 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 650mA; 1.5W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 650mA
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: 12V
On-state resistance: 1.8Ω
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1235+11.46 грн
1444+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 1235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LXGF(TToshibaSilicon N-Channel MOS
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1188+11.91 грн
1386+10.21 грн
1462+9.67 грн
2000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 1188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+17.23 грн
987+14.33 грн
1136+12.46 грн
1267+10.77 грн
1397+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 822 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357RLF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K357RLXGFToshiba SOT23 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.05 грн
6000+2.63 грн
9000+2.47 грн
15000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LFToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
на замовлення 114748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 15628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+8.91 грн
100+5.53 грн
500+3.79 грн
1000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.66 грн
57+13.24 грн
128+5.70 грн
250+5.23 грн
500+4.98 грн
1000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K35AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]