Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.04 грн
20+38.94 грн
25+38.55 грн
100+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V
на замовлення 115430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.17 грн
10+78.17 грн
100+52.42 грн
500+38.81 грн
1000+35.47 грн
2000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg
на замовлення 6323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
788+44.79 грн
1000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 788 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.53 грн
8000+30.17 грн
12000+29.09 грн
20000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736International RectifierN-MOSFET 30V 18A IRF8736 TIRF8736
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736PBF
Код товару: 155550
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736PBFMOSFET N-CH 30V 18A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.93 грн
11+40.89 грн
100+28.27 грн
500+22.18 грн
1000+20.06 грн
2000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.49 грн
12000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.35 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.77 грн
13+59.49 грн
50+58.89 грн
100+41.73 грн
500+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 23735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg
на замовлення 79623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF
Код товару: 25137
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0048 Ом
Примітка: -
Монтаж: SMD
у наявності: 160 шт
  • 109 шт - склад
  • 49 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+69.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
на замовлення 17116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.05 грн
10+74.05 грн
50+55.49 грн
100+46.45 грн
500+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFMOSFET N-CH 30V 18A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+98.77 грн
238+59.49 грн
240+58.89 грн
327+41.73 грн
500+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 23735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF-1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
682+51.74 грн
1000+47.73 грн
10000+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 682 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788PBF
Код товару: 32111
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 24 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0028 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5720/44
Монтаж: SMD
у наявності: 8 шт
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+34.00 грн
10+30.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 44nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.27 грн
11+75.11 грн
100+59.39 грн
500+47.85 грн
1000+41.93 грн
2000+37.47 грн
4000+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.12 грн
10+81.14 грн
100+54.47 грн
500+40.39 грн
1000+36.94 грн
2000+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
на замовлення 11677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+55.54 грн
257+54.98 грн
293+48.17 грн
296+45.99 грн
500+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.87 грн
14+55.54 грн
25+54.98 грн
100+46.45 грн
250+42.58 грн
500+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF
Код товару: 202860
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.27 грн
188+75.11 грн
238+59.39 грн
500+47.85 грн
1000+41.93 грн
2000+37.47 грн
4000+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8852TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8852TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910IRSO-8
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910PBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 13.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910PBF
Код товару: 32112
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0134 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 960/7,4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 10A 20V 2W 0.0134Ω IRF8910 TIRF8910
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 10, Rds = 14,6 мОм, Ugs(th) = 1,65...2,65 @ Uds = Ugs, 250 uA, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 188 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 10 A, 10 A, 0.0107 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0107ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 10 A, 10 A, 0.0107 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0107ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+96.90 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; SO8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915IRSO-8
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915PBFInfineon / IRMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 18.3mOhms 4.9nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915PBFInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915PBFIOR0748+
на замовлення 666 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
527+26.78 грн
528+26.74 грн
529+26.69 грн
530+25.69 грн
531+23.74 грн
532+22.75 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 527 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 14211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 566 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 8.9A
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.74 грн
50+25.74 грн
100+23.79 грн
250+22.79 грн
500+22.75 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF901D1IOR09+
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9020TR
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9024NIR0649+ TO-252;
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]