Продукція > FDD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD2-UABB Installation ProductsEnclosures, Boxes & Cases DEADEND BOX DEEP 1GNG 2HUB 3/4IN UR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD20AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/45A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD20AN06A0fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD20AN06A0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD20AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/45A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD20AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD20AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
на замовлення 4901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD20AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
на замовлення 4901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel LL PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD24AN06LA0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 7260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD24AN06LA0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Power Trench FDD
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD24AN06LA0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0-F085onsemi / FairchildMOSFET 60V, 36A, N Chan Logic Lvl PowerTrnch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0-SB82249onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.1A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0_F085Aonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0_SB82179onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0_SB82179onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0_SB82249onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0_SN00098onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06LA0_SN00099onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD24AN06L_F085onsemionsemi NMOS DPAK 60V 19 MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD25-03S1CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 20W; Uin: 9÷18VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 6A; FDD25
Manufacturer series: FDD25
Operating temperature: -25...71°C
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Output current: 6A
Output voltage: 3.3V DC
Input voltage: 9...18V DC
Power: 20W
Efficiency: 79%
Insulation voltage: 1.5kV DC
Type of converter: DC/DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD25-05S1
Код товару: 36328
Додати до обраних Обраний товар
ChinfaБлоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD25-05S2CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 25W; Uin: 18÷36VDC; Uout: 5VDC; Iout: 5A; FDD25
Type of converter: DC/DC
Power: 25W
Input voltage: 18...36V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 5A
Manufacturer series: FDD25
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Efficiency: 85%
Operating temperature: -25...71°C
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1.5kV DC
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2938.89 грн
5+2314.67 грн
25+2083.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD25-05S2
Код товару: 34213
Додати до обраних Обраний товар
ChinfaБлоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD25-12D3
Код товару: 35881
Додати до обраних Обраний товар
ChinfaБлоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
Потужність, Вт: 30 Вт
Напруга вх., В: 36...72 В
Напруга вих., VDC: 12 VDC
Макс. вих. струм: 1250 мА
Корпус, габарити, мм: 2x2 (50,8x50,8x11,94 мм)
Температура, °С: -25...+70°С
Ізоляція, VDC: 1,5 kVDC
товару немає в наявності
1+673.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD25-12D3ChinfaDC-DC перетворювач, Кіл. вих. кан. = 2, Uвих1, В = 12, Uвих2, В = -12, Pвих, Вт = 25, Uвх (max), В = 72, Uвх (min), В = 36, Iвих1, А = 1,25, Iвих2, А = 1,25, Uізол., В = 1 500, ККД, % = 87, Uвих, % = 2, Габ. розм, мм = 50,8 x 50,8 x 11,9, Рів. пульс., мВ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
25+1945.94 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD25-12S1CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 25W; Uin: 9÷18VDC; Uout: 12VDC; Iout: 2.1A; FDD25
Operating temperature: -25...71°C
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Output current: 2.1A
Output voltage: 12V DC
Input voltage: 9...18V DC
Power: 25W
Efficiency: 86%
Insulation voltage: 1.5kV DC
Manufacturer series: FDD25
Type of converter: DC/DC
Protection: short circuit protection SCP
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2529.75 грн
5+1995.15 грн
25+1798.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD25-12S2CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 30W; Uin: 18÷36VDC; Uout: 12VDC; Iout: 2.5A; FDD25
Manufacturer series: FDD25
Operating temperature: -25...71°C
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Output current: 2.5A
Output voltage: 12V DC
Input voltage: 18...36V DC
Power: 30W
Efficiency: 86%
Insulation voltage: 1.5kV DC
Type of converter: DC/DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD25-15S1CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 25W; Uin: 9÷18VDC; Uout: 15VDC; Iout: 1.7A; FDD25
Manufacturer series: FDD25
Operating temperature: -25...71°C
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Output current: 1.7A
Output voltage: 15V DC
Input voltage: 9...18V DC
Power: 25W
Efficiency: 87%
Insulation voltage: 1.5kV DC
Type of converter: DC/DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD25-15S2CHINFA ELECTRONICSCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 30W; Uin: 18÷36VDC; Uout: 15VDC; Iout: 2A; FDD25
Manufacturer series: FDD25
Operating temperature: -25...71°C
Protection: short circuit protection SCP
Body dimensions: 50.8x50.8x12mm
Output current: 2A
Output voltage: 15V DC
Input voltage: 18...36V DC
Power: 30W
Efficiency: 88%
Insulation voltage: 1.5kV DC
Type of converter: DC/DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2512Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2512fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2512ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+112.12 грн
500+100.92 грн
1000+93.06 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2512ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2512 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2512ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+112.12 грн
500+100.92 грн
1000+93.06 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2512onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2512ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+112.12 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570ON SemiconductorFDD2570
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2570 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 84908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+160.13 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570ON SemiconductorFDD2570
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1907 pF @ 75 V
на замовлення 84908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+110.58 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570ON SemiconductorFDD2570
на замовлення 78008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
10000+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570ON SemiconductorFDD2570
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2570onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1907 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.14 грн
10+128.54 грн
100+88.66 грн
500+67.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 41300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.44 грн
10000+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572onsemi / FairchildMOSFETs N-Ch Power Trench
на замовлення 19441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.40 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.4nC
On-state resistance: 146mΩ
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 135W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.89 грн
10+113.22 грн
25+99.80 грн
100+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+198.01 грн
86+165.95 грн
102+139.55 грн
500+93.65 грн
1000+83.26 грн
2000+71.09 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572onsemiMOSFETs N-Ch Power Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench FDD
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 29
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572-NLFSC09+ SSOP-56
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572F085Fairchild SemiconductorDescription: 41500.054OHN-CHANNPOWMOSFETO-252
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.18 грн
10+85.35 грн
100+58.44 грн
500+43.25 грн
1000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582ONS/FAIMOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582
Код товару: 181480
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582onsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench
на замовлення 6502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 95W; DPAK
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 172mΩ
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 95W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+77.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582onsemiMOSFETs N-Ch PowerTrench
на замовлення 5738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.44 грн
500+43.25 грн
1000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+155.58 грн
134+105.60 грн
200+96.18 грн
500+66.83 грн
1000+57.84 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2582_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2612Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+81.98 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+115.22 грн
500+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+115.22 грн
500+103.70 грн
1000+95.64 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2612onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2612fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670onsemiMOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]