Продукція > SI2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2302A-13PMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 237 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 3A; Idm: 10A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.73 грн
18+23.99 грн
100+15.01 грн
500+11.07 грн
1000+9.81 грн
3000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 237 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.00 грн
6000+7.89 грн
9000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 237 pF @ 10 V
на замовлення 12071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.70 грн
100+15.13 грн
500+10.70 грн
1000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch 20Vds 8Vgs 3.0A 10A 1.25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-TP-HFMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 237 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A2SHB
на замовлення 612290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADSVISHAY11+ SOT-23
на замовлення 396654 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADSVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1VISHAY11+ SOT-23
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1-E3
Код товару: 28286
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1-E3VISHAYSOT23
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1-E3(2A)
на замовлення 104017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1-GE3
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-TI-E3
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302AK-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302AK-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302AK-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302BUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302BUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302B-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 237 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302B-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302BDS-TI
на замовлення 9000000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDSVISHA09+ TO220
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 48972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+28.83 грн
50+21.04 грн
100+17.36 грн
500+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2302CDS-T1-BE3 - N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 42AJ0550
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 8850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N-CH 20V 2.6A
на замовлення 82410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.16 грн
9000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.1A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.86W
Gate charge: 3.5nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,6 А, Ptot, Вт = 0,71, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 5,5 @ 4,5 В, Rds = 57 мОм @ 3,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,85 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 239690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 192432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+28.83 грн
50+21.04 грн
100+17.36 грн
500+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.1A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.86W
Gate charge: 3.5nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.34 грн
100+26.51 грн
500+20.10 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3
Код товару: 181529
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+41.34 грн
534+26.51 грн
704+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.16 грн
9000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.17 грн
9000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.46W
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.29 грн
13+33.38 грн
50+23.73 грн
100+20.55 грн
500+14.68 грн
1000+12.75 грн
3000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 50463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3
Код товару: 210891
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 260486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.44 грн
50+24.46 грн
100+20.23 грн
500+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 50463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 101064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3VishayTranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+37.23 грн
531+26.67 грн
1000+23.23 грн
3000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2302CDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: N 20V 2.9A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDWFVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DC-T1
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N-CH 20V 2.6A
на замовлення 58563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 6531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+26.72 грн
50+19.47 грн
100+16.05 грн
500+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 44500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.25 грн
9000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+27.90 грн
589+24.05 грн
787+17.98 грн
1000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.75 грн
6000+13.46 грн
9000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 14328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.90 грн
100+24.05 грн
500+17.98 грн
1000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 200966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 44905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+26.72 грн
50+19.47 грн
100+16.05 грн
500+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.46W
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.35 грн
16+26.67 грн
25+21.80 грн
100+15.85 грн
500+11.32 грн
1000+9.90 грн
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.73 грн
6000+13.45 грн
9000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.95 грн
51+14.91 грн
64+11.97 грн
100+10.79 грн
250+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+28.78 грн
692+20.46 грн
1000+17.95 грн
3000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2302DDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: N 20V 2.9A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DSVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DSVISHAY11+ SOT-23
на замовлення 685514 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS A2VISHAY
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS T/RNXP SemiconductorsMOSFETs TAPE7 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS,215NexperiaMOSFETs N-CH TRENCH 20V 2.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS,215TECH PUBLICMOSFET N-CH 20V 2.5A TO236AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS,215TECH PUBLICMOSFET N-CH 20V 2.5A TO236AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-EVEVVODescription: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET SOT-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.5A, 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-EVEVVODescription: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET SOT-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.5A, 4.5V
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.72 грн
50+10.57 грн
100+8.64 грн
500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T
на замовлення 7882 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T1Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 2.8A 1.25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T1-E3VishayN-Channel 20 V (D-S) MOSFET, SOT-23 Транзистори
на замовлення 16 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
16+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T1-E3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T1-E3VISHAY
на замовлення 75200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T1-E3(A2)
на замовлення 187980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T1-E3-VISHAY
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T1-E3--VISHAY
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-TIVISHAY02+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-TI-E3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]