Продукція > SI2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2302AUMWDescription: 20V 2.8A 1.25W 115MR@2.5V,3.1A 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-13PMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 237 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 3A; Idm: 10A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Pulsed drain current: 10A
на замовлення 5258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+41.00 грн
18+24.15 грн
100+15.18 грн
500+11.15 грн
1000+9.90 грн
3000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 237 pF @ 10 V
на замовлення 12071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.70 грн
100+15.13 грн
500+10.70 грн
1000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 237 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.00 грн
6000+7.89 грн
9000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch 20Vds 8Vgs 3.0A 10A 1.25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-TP-HFMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 237 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302A2SHB
на замовлення 612290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADSVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADSVISHAY11+ SOT-23
на замовлення 396654 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1VISHAY11+ SOT-23
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1-E3VISHAYSOT23
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1-E3
Код товару: 28286
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1-E3(2A)
на замовлення 104017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1-GE3
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302ADS-TI-E3
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302AK-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302AK-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302AK-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302BUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302BUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302B-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 237 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302B-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302BDS-TI
на замовлення 9000000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDSVISHA09+ TO220
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2302CDS-T1-BE3 - N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 42AJ0550
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.46 грн
30+27.39 грн
100+17.48 грн
500+12.38 грн
1000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N-CH 20V 2.6A
на замовлення 93280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 256553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3
Код товару: 181529
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,6 А, Ptot, Вт = 0,71, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 5,5 @ 4,5 В, Rds = 57 мОм @ 3,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,85 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 136428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3
Код товару: 210891
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.62 грн
6000+17.07 грн
9000+16.27 грн
15000+14.84 грн
21000+13.27 грн
30000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3VishayTranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 106519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.53 грн
100+20.95 грн
500+14.99 грн
1000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 53985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.12 грн
500+19.78 грн
1500+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+36.96 грн
534+26.53 грн
1000+22.97 грн
3000+17.95 грн
6000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 106495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.80 грн
6000+11.30 грн
9000+10.77 грн
15000+9.56 грн
21000+9.23 грн
30000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.29 грн
13+33.38 грн
50+23.73 грн
100+20.55 грн
500+14.68 грн
1000+12.75 грн
3000+10.32 грн
6000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 53985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.08 грн
50+39.02 грн
100+25.12 грн
500+19.78 грн
1500+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2302CDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: N 20V 2.9A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDWFVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DC-T1
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+25.96 грн
100+16.62 грн
500+11.79 грн
1000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N-CH 20V 2.6A
на замовлення 61340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+28.65 грн
696+20.33 грн
1000+17.82 грн
3000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 22775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+25.96 грн
100+16.62 грн
500+11.79 грн
1000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.72 грн
6000+13.43 грн
9000+11.55 грн
24000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.35 грн
16+26.67 грн
25+21.80 грн
100+15.85 грн
500+11.32 грн
1000+9.90 грн
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.96 грн
6000+8.75 грн
9000+8.32 грн
15000+7.36 грн
21000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.73 грн
6000+13.45 грн
9000+11.57 грн
24000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 208527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.95 грн
51+14.91 грн
52+14.76 грн
100+12.14 грн
250+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2302DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 8743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.46 грн
25+33.41 грн
100+21.38 грн
500+14.94 грн
1000+12.40 грн
5000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2302DDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: N 20V 2.9A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DSVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DSVISHAY11+ SOT-23
на замовлення 685514 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS A2VISHAY
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS T/RNXP SemiconductorsMOSFETs TAPE7 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS,215TECH PUBLICMOSFET N-CH 20V 2.5A TO236AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS,215NexperiaMOSFETs N-CH TRENCH 20V 2.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS,215TECH PUBLICMOSFET N-CH 20V 2.5A TO236AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-EVEVVODescription: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET SOT-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.5A, 4.5V
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.68 грн
100+5.37 грн
500+3.68 грн
1000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-EVEVVODescription: N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET SOT-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.5A, 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T
на замовлення 7882 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T1Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 2.8A 1.25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T1-E3VishayN-Channel 20 V (D-S) MOSFET, SOT-23 Транзистори
на замовлення 16 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
16+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T1-E3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T1-E3VISHAY
на замовлення 75200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T1-E3(A2)
на замовлення 187980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T1-E3-VISHAY
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-T1-E3--VISHAY
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-TIVISHAY02+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DS-TI-E3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DV
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302HDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302HDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2302HDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 710mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]