Продукція > SI4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 18 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4164DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4164DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 3200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3
Код товару: 186845
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+68.00 грн
10+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.23 грн
7500+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Gate charge: 95nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 3.9mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.28 грн
10+91.17 грн
50+68.80 грн
100+57.79 грн
500+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+46.52 грн
308+46.06 грн
310+45.75 грн
312+43.82 грн
500+40.30 грн
1000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4166DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.5 A, 0.0032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.09 грн
17+46.52 грн
25+46.06 грн
100+44.12 грн
250+40.57 грн
500+38.69 грн
1000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.24 грн
5000+31.56 грн
7500+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.53 грн
10+64.83 грн
100+48.71 грн
500+39.32 грн
1000+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.08 грн
13+58.26 грн
25+58.24 грн
100+47.89 грн
250+44.07 грн
500+38.19 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+58.24 грн
285+49.66 грн
287+47.60 грн
500+39.78 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI417SIEMENS01+ SOP
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DT-T1-GE3
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.31 грн
27+28.86 грн
50+27.39 грн
100+24.96 грн
250+23.58 грн
500+23.19 грн
1000+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-E3
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.18 грн
5000+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.50 грн
5000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4174DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 23147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 4468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.74 грн
10+58.18 грн
50+43.23 грн
100+36.04 грн
500+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4176DY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4176DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4176DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4176DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4176DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-E3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3SiliconixN-MOSFET 30V 12A 21mΩ 5W SI4178DY-T1-GE3 Vishay TSI4178dy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.83 грн
5000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+28.35 грн
595+23.78 грн
601+23.54 грн
647+21.09 грн
1000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.35 грн
100+22.93 грн
250+21.02 грн
500+18.75 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 6636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+45.05 грн
100+29.37 грн
500+21.25 грн
1000+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 17076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-E3
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.41 грн
5000+31.71 грн
7500+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 33613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V
на замовлення 12485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.49 грн
10+68.49 грн
100+52.58 грн
500+39.16 грн
1000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI419SISOP-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 9804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.89 грн
10+119.27 грн
100+81.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+133.16 грн
132+107.75 грн
133+107.03 грн
159+85.97 грн
250+78.94 грн
500+66.14 грн
1000+62.13 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.16 грн
10+107.75 грн
25+107.03 грн
100+85.97 грн
250+78.94 грн
500+66.14 грн
1000+62.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190BDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4190BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 7700 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.4W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4190BDY-T1-GE3Vishay SiliconixN-Channel 100 V 12A (Ta), 17A (Tc) 3.8W (Ta), 8.4W (Tc) Surface Mount 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 18 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]