Продукція > STW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW3040STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 30A TO247-3
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 6A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 4A, 20A
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3040
Код товару: 178500
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3040STTO3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW3040STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High voltage fast NPN power tran
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1597 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N20STMTO-247 06+
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5
Код товару: 107383
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW30N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.76 грн
5+390.17 грн
10+315.38 грн
50+222.66 грн
100+200.66 грн
250+195.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.19 грн
10+248.38 грн
100+173.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.18 грн
30+234.03 грн
120+195.14 грн
510+156.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW30N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+816.10 грн
5+637.27 грн
10+505.59 грн
50+427.21 грн
100+361.60 грн
250+333.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.27 грн
10+443.88 грн
100+267.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+385.74 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+791.54 грн
10+604.47 грн
25+590.77 грн
100+433.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+385.74 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+785.88 грн
24+600.00 грн
25+586.50 грн
100+430.01 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N80K5STMTrans MOSFET N-CH 800V 24A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW30NF20STMMOSFET N-CH 200V 30A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW30NF20STMicroelectronicsMOSFET Low charge STripFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW30NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW30NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW30NM50N
Код товару: 52506
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW30NM60DSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW30NM60D
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW30NM60DSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 30 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW30NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW30NM60NST09+ SSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW30NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW30NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW30NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW31N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.27 грн
10+226.75 грн
100+156.07 грн
600+139.34 грн
1200+118.44 грн
3000+112.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+187.89 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+187.42 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW31N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW32N65M5STMTO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW32N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW32N65M5STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V 24 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW32NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 500V 22A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.94 грн
30+275.90 грн
120+246.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW32NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+305.88 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+305.88 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW32NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.86A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3315STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottle; ESD; 200ml; blue; Features: built-in pump
Capacity: 0.2l
Colour: blue
Soldering equipment features: built-in pump
Type of dispenser accessories: dosing bottle
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3324STATICTECCategory: Dispensers - pen & bottles
Description: Dosing bottle; ESD; 250ml; blue
Colour: blue
Type of dispenser accessories: dosing bottle
Version: ESD
Capacity: 0.25l
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+600.60 грн
5+526.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW333BWST07+ TSOP32
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N20
на замовлення 24109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N20STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N20(мікросхема TO-247)
Код товару: 57271
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+387.46 грн
10+275.92 грн
30+248.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.10 грн
30+235.54 грн
120+196.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+394.23 грн
10+341.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.94 грн
30+222.91 грн
120+185.18 грн
510+147.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.86 грн
10+252.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.38 грн
10+300.46 грн
100+188.12 грн
600+162.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.67 грн
10+279.27 грн
100+201.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+560.86 грн
25+338.92 грн
100+250.82 грн
250+233.40 грн
600+202.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW34N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
Power dissipation: 190W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NB20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 34A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NB20STMicroelectronicsN-канальный ПТ, Rds = 75 мОм, Vdss В = 200, Id = 34 А, Ptot, Вт = 180, Qg,нКл = 80, Tэксп, °C = -65...+150, Vgs(th) = 5 В (при 250 мкА), Тип монт. = выводной,... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NB20STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 200 Volt 34 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NB20
Код товару: 143246
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+549.28 грн
30+541.13 грн
120+540.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+548.78 грн
30+540.64 грн
120+539.57 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+560.86 грн
10+420.16 грн
30+373.20 грн
90+335.46 грн
120+327.07 грн
150+319.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+686.85 грн
10+470.32 грн
100+351.85 грн
1200+349.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.83 грн
30+494.93 грн
120+494.27 грн
510+454.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60N
Код товару: 55857
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+769.71 грн
30+440.87 грн
120+375.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+471.26 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+654.34 грн
10+446.25 грн
100+402.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+531.59 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+812.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+517.75 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+449.98 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+536.48 грн
2+478.03 грн
10+425.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+846.17 грн
10+499.17 грн
100+369.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2
Код товару: 123684
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 600 V
Струм стоку Idd, A: 28 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2400/54
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+160.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.03 грн
5+341.39 грн
10+313.76 грн
50+266.44 грн
100+222.26 грн
250+198.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 210W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.87 грн
10+253.99 грн
100+172.09 грн
600+141.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]