Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF9317TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+102.60 грн
144+98.01 грн
250+94.08 грн
500+87.45 грн
1000+78.33 грн
2500+72.97 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -30V -16A 6.6mOhm
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321 SOIC8
Код товару: 43582
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321-HXYHXY MOSFETTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13,5mOhm; 15A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9321; IRF9321TR; IRF9321TRXTMA1; SP001551656; SP001577608; SP005959349; IRF9321 HXY MOSFET TIRF9321 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.2mOhms 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRInternational RectifierP-MOSFET 30V 15A IRF9321, IRF9321TR IRF9321 TIRF9321
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRInfineonP-MOSFET 30V 15A IRF9321, IRF9321TR IRF9321 TIRF9321
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,2mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9321; IRF9321TR; IRF9321TRXTMA1; SP001551656; SP001577608; SP005959349; IRF9321TR UMW TIRF9321 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1084+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 1084 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 7200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT P-Ch -30V -15A 7.2mOhm
на замовлення 19842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF
Код товару: 173434
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 7200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTransistor-MOSFET P-Channel Enhancement-Mode 30V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTransistor-MOSFET P-Channel Enhancement-Mode 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328PBFInfineonP-CH SO8 Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
10+78.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328PBF
Код товару: 39736
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 11.9mOhms 8.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.15 грн
10+57.22 грн
100+37.73 грн
500+27.55 грн
1000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328TRInfineonP-MOSFET 30V 12A 11.9mΩ 2.5W IRF9328 Inernational Rectifier TIRF9328
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -30V -12A 11.9mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9328TRPBF - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 754 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF9328TRPBF
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+47.60 грн
1000+43.90 грн
10000+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328TRPBFInfineonP-CH SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+47.60 грн
1000+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -9.8A 54mOhm -2.5V cpbl
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.86 грн
28+27.21 грн
50+25.97 грн
100+23.81 грн
250+22.63 грн
500+22.40 грн
1000+22.18 грн
3000+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+27.21 грн
524+26.94 грн
530+26.66 грн
535+25.46 грн
540+23.34 грн
1000+22.18 грн
3000+21.96 грн
6000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333
Код товару: 190631
Додати до обраних Обраний товар
JSMicroТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 7,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,032 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1110/14
Монтаж: SMD
у наявності: 100 шт
  • 60 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V FETKY-30V MOSFET 19.4mOhms 14nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333PBF
Код товару: 84989
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 7,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,032 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1110/14
Примітка: -
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT P-Ch -30V -9.2A 19.4mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
974+36.25 грн
1056+33.43 грн
10000+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 974 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9333TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0156 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
974+36.25 грн
1056+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 974 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9333TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0156 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0156
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBFInternational RectifierSOIC-8 30V 9.2A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335PBF
Код товару: 46484
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 5,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 110 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 386/9,1
Монтаж: SMD
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT P-Ch -30V -5.4A 59mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 5.4A SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 19514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.87 грн
10000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.87 грн
10000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 264499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.87 грн
10000+23.95 грн
100000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
на замовлення 324499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
872+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 872 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
511+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 511 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+39.06 грн
517+27.32 грн
603+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 44008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.87 грн
10000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23,8mOhm; 9,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9358 TIRF9358
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358
Код товару: 56504
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358PBF
Код товару: 109648
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 9,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1740 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 16,3 мОм @ 9,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH HEXFET 16.3mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 123110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+54.81 грн
1000+50.56 грн
10000+45.06 грн
100000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 9.2A DUAL 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+121.74 грн
168+84.31 грн
240+58.88 грн
500+45.90 грн
1000+38.35 грн
2000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capb
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+148.65 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF
Код товару: 189100
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]