Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.71 грн
10+207.19 грн
50+174.85 грн
100+123.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.19 грн
2400+81.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.38 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.26 грн
25+64.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9630STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 74W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 6731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.62 грн
10+167.69 грн
50+129.46 грн
100+109.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRR
Код товару: 103282
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Drain current: -4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9632Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+116.87 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9632HARRISIRF9632
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.41 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9633Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SiliconixP-MOSFET 11A 200V 125W 0.5Ω IRF9640 TIRF9640
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SiliconixP-MOSFET 11A 200V 125W 0.5Ω IRF9640 TIRF9640
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640Vishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 11 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 44 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640L
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LPBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640NS
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.78 грн
105+135.69 грн
500+106.74 грн
1000+91.57 грн
2000+82.04 грн
5000+75.65 грн
10000+70.29 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 53531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.93 грн
10+149.17 грн
50+114.39 грн
100+96.82 грн
500+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.66 грн
125+113.27 грн
133+106.69 грн
250+95.26 грн
500+83.50 грн
1000+76.77 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFJSMSEMIMOSFET P-CH 200V 11A TO220AB Транзистори
на замовлення 618 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
21+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9640PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.01 грн
10+74.49 грн
50+62.64 грн
100+59.26 грн
250+54.18 грн
500+51.64 грн
1000+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF
Код товару: 123234
1 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 52 шт
  • 23 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.79 грн
50+151.76 грн
100+137.48 грн
500+108.15 грн
1000+92.78 грн
2000+83.12 грн
5000+76.65 грн
10000+71.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 11 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 44 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF
Код товару: 22646
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 18 шт
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+44.00 грн
10+40.50 грн
100+37.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF9640PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 200V, 11A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.93 грн
10+149.17 грн
50+114.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SSiliconixP-MOSFET 11A 200V 125W 0.5Ω IRF9640S IRF9640STRL IRF9640STRR IRF9640S TIRF9640s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SSiliconixP-MOSFET 11A 200V 125W 0.5Ω IRF9640S IRF9640STRL IRF9640STRR IRF9640S TIRF9640s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640S2497HARRISIRF9640S2497
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+197.57 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640S2497Harris CorporationDescription: 11A, 200V, 0.500 OHM, P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+152.89 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+198.73 грн
5+137.13 грн
10+132.06 грн
25+126.13 грн
50+121.05 грн
100+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBF
Код товару: 22419
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SMD-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+392.09 грн
10+208.10 грн
50+206.02 грн
100+183.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+137.23 грн
104+135.84 грн
109+130.46 грн
500+112.16 грн
1000+103.48 грн
2000+95.49 грн
5000+94.11 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.54 грн
10+207.68 грн
50+161.71 грн
100+137.85 грн
500+113.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+392.09 грн
68+208.10 грн
69+206.02 грн
100+183.56 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9640SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.09 грн
10+139.03 грн
50+137.64 грн
100+127.46 грн
500+105.22 грн
1000+100.65 грн
2000+96.75 грн
5000+95.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.18 грн
64+221.28 грн
100+213.37 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 200V 11 Amp
на замовлення 9118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9640STRLPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 11A P-CH MOSFET
на замовлення 43145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVishayD2-PAK (TO-263) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9640STRLPBF - MOSFET, P CH, -200V, -11A, TO-263-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 7453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.22 грн
10+156.11 грн
50+120.15 грн
100+101.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.96 грн
2400+74.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -6.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9640STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9640STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 6013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.53 грн
10+220.18 грн
50+171.40 грн
100+137.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+332.43 грн
57+250.78 грн
100+192.02 грн
500+183.31 грн
800+125.63 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9640STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.72 грн
2400+110.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+109.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 11A P-CH MOSFET
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.15 грн
10+252.83 грн
100+193.58 грн
500+184.81 грн
800+126.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF980086IOR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9910Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9910IRSO-8
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9910PBFInfineon / IRMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 13.4mOhms
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9910TRInternational Rectifier2N-MOSFET 20V 10A IRF9910 TIRF9910
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9910TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9910TR-VBVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 4,3Ohm; 10A; 2,7W; -55°C~150°C; IRF9910TR-VB; VBsemi: VBA3211; IRF9910TR TIRF9910 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9910TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9910TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+170.15 грн
87+163.67 грн
100+158.11 грн
250+147.85 грн
500+133.17 грн
1000+124.71 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9910TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]