Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.96 грн
113+125.83 грн
161+87.87 грн
500+68.02 грн
1000+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 6.5A P-CH MOSFET
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 74, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 800 мОм @ 3,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.34 грн
50+128.86 грн
100+116.65 грн
500+89.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.24 грн
148+95.69 грн
154+92.05 грн
500+77.08 грн
1000+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFTO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.07 грн
154+91.67 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF
Код товару: 98685
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
у наявності: 4 шт
  • 4 шт - склад
1+89.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 6.5A P-CH MOSFET
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.02 грн
50+109.38 грн
100+98.85 грн
500+75.45 грн
1000+69.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.07 грн
100+147.18 грн
250+141.27 грн
500+131.31 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF9630PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 200V, 6.5A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SSiliconixP-MOSFET 6.5A 200V IRF9630S IRF9630STRL IRF9630S TIRF9630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.34 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9630SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+253.72 грн
10+113.45 грн
1000+112.55 грн
2000+105.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+198.89 грн
107+133.03 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9630SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
418+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.88 грн
50+117.11 грн
100+105.97 грн
500+81.11 грн
1000+75.22 грн
2000+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF
Код товару: 176782
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+113.91 грн
1000+113.01 грн
2000+109.38 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+200.96 грн
5+146.44 грн
10+128.86 грн
50+98.74 грн
100+91.21 грн
250+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRL
Код товару: 103281
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+304.66 грн
67+211.04 грн
112+126.43 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.08 грн
10+162.37 грн
100+113.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+337.75 грн
64+221.09 грн
500+210.74 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.22 грн
1600+81.87 грн
2400+78.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.26 грн
25+64.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9630STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 74W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRR
Код товару: 103282
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9632Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+115.53 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9632HARRISIRF9632
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.41 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9633Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SiliconixP-MOSFET 11A 200V 125W 0.5Ω IRF9640 TIRF9640
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640Vishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 11 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 44 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640L
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LPBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640NS
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFJSMSEMIMOSFET P-CH 200V 11A TO220AB Транзистори
на замовлення 618 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
9+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF
Код товару: 123234
1 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
  • 33 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 4 шт
  • 4 шт - очікується
на замовлення: 4 шт
  • 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET
на замовлення 5218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 54705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.67 грн
50+106.93 грн
100+96.43 грн
500+73.25 грн
1000+67.71 грн
2000+63.05 грн
5000+57.06 грн
10000+56.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9640PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 11 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 44 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.18 грн
105+134.69 грн
250+117.64 грн
500+105.13 грн
1000+89.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.83 грн
10+73.64 грн
50+61.92 грн
100+58.57 грн
250+53.55 грн
500+51.04 грн
1000+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF
Код товару: 22646
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 19 шт
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується 13.08.2026
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+44.00 грн
10+40.50 грн
100+37.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 11A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.67 грн
50+106.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF9640PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 200V, 11A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SSiliconixP-MOSFET 11A 200V 125W 0.5Ω IRF9640S IRF9640STRL IRF9640STRR IRF9640S TIRF9640s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SSiliconixP-MOSFET 11A 200V 125W 0.5Ω IRF9640S IRF9640STRL IRF9640STRR IRF9640S TIRF9640s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640S2497Harris CorporationDescription: 11A, 200V, 0.500 OHM, P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+151.49 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640S2497HARRISIRF9640S2497
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+197.57 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+233.85 грн
64+223.81 грн
100+203.30 грн
250+177.85 грн
500+149.44 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 200V 11 Amp
на замовлення 9652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+196.45 грн
5+135.56 грн
10+130.54 грн
25+124.68 грн
50+119.66 грн
100+115.48 грн
250+109.62 грн
500+106.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBF
Код товару: 22419
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SMD-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+392.09 грн
10+208.10 грн
50+206.02 грн
100+183.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9640SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+88.78 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.56 грн
50+160.23 грн
100+145.55 грн
500+112.45 грн
1000+104.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+392.09 грн
68+208.10 грн
69+206.02 грн
100+183.56 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9640STRLPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9640STRLPBF - MOSFET, P CH, -200V, -11A, TO-263-3
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 11A P-CH MOSFET
на замовлення 27151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 7308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.48 грн
10+156.87 грн
100+109.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9640STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBFVishayD2-PAK (TO-263) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]