Продукція > B1D
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B1D06065KF | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Kind of package: tube Leakage current: 20µA Max. forward voltage: 1.73V Power dissipation: 23W Max. forward impulse current: 45A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| B1D06065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 45A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 30W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1D06065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 45A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 30W | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1D08065F | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO263-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape Power dissipation: 48W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| B1D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 56W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 56W | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.73V Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 32W | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.73V Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 32W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1D10065H | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10065H THT Schottky diodes | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1D10065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10065KS THT Schottky diodes | на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1D15065K | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA Mounting: THT Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Leakage current: 10µA Load current: 15A Power dissipation: 84W Max. forward impulse current: 112A Max. forward voltage: 1.75V Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1D15065K | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA Mounting: THT Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Leakage current: 10µA Load current: 15A Power dissipation: 84W Max. forward impulse current: 112A Max. forward voltage: 1.75V Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1D16065HC | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D16065HC THT Schottky diodes | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1D20065HC | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D20065HC THT Schottky diodes | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1D30065TF | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D30065TF THT Schottky diodes | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1D40065H | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.62V Max. forward impulse current: 310A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 185W | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1D40065H | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.62V Max. forward impulse current: 310A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 185W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||
| B1DF | DC COMPONENTS | B1DF-DC SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. | на замовлення 3297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|