Продукція > FDU

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FDU044AN03LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU0650-H-R13M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.13uH 1.3mOhm 27.6A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU0650-H-R13M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.13uH 20% 100KHz Metal 23A 0.0013Ohm DCR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU0650-H-R24M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 2mOhms 20A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU0650-H-R39M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.39uH 2.6mOhm 16.3A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU0650-H-R56M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.56uH 20% 100KHz Metal 15.6A 0.0032Ohm DCR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU0650-H-R56M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.56uH 20% 100KHz Metal 15.6A 0.0032Ohm DCR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU0650-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 3.2mOhm 14.2A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU0650-H-R82M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.82uH 4.2mOhm 11.5A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU0650-R56M=P3
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU068AN03LRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU068AN03LON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU10008DO1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1040-R36M
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1040D-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 1.4mOhms 23A +/-20%
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1040D-H-R68M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.68uH 1.7mOhms 20A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1040D-H-R88M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.88uH 2.3mOhms 17A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1040D-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 1.02mOhms 29A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1040D-R88M=P3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1050D-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1050D-H-R60M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.6uH 20% 100KHz Metal 4040 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1050D-R60M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.6uH +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1060-1R4M=P3
на замовлення 264616 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250-R56M=P3TOKO
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250C-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 2.2mOhms 23.5A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250C-H-1R0M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 21.2A 0.0022Ohm DCR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250C-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 3.6mOhms 17.9A +/-20%
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250C-H-1R5M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 1.5uH 20% 100KHz Metal 18.2A 0.0036Ohm DCR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250C-H-R50M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.5uH 20% 100KHz Metal 27.2A 0.0013Ohm DCR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250C-H-R50M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.5uH 1.3mOhms 34A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250C-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 1.6mOhms 32A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250C-H-R56M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.56uH 20% 100KHz Metal 25.7A 0.0016Ohm DCR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250C-H-R75M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.75uH 20% 100KHz Metal 25.2A 0.0017Ohm DCR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250C-H-R75M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.75uH 1.7mOhm 24.5A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1260-H-R45M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.45uH 0.6mOhm 36.3A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1260-R45M=P3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU15PSG3EFCT ElectronicsD-Sub Dualport Connectors D-SHELL CONNECTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU2572Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 8614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+81.94 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
FDU2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3580Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 7.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 40 V
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 346
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3706ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N40TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N40TUONSEMIFDU3N40TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N40TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N40TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N40TUonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.23 грн
10+57.02 грн
100+41.20 грн
500+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N40TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+13.76 грн
45+13.53 грн
100+13.00 грн
500+12.23 грн
1000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N40TUONSEMIDescription: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.05 грн
25+33.26 грн
100+25.25 грн
500+19.62 грн
1000+16.41 грн
5000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N50NZTUON SemiconductorN-Channel UniFET II MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N50NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
980+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 980
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N50NZTUonsemiMOSFET UNIFET2 500V NCH I
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.72 грн
10+58.97 грн
100+39.36 грн
500+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N50NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N50NZTUON Semiconductor
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU5N50NZTUON Semiconductor
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU5N50NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 13509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
620+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 620
В кошику  од. на суму  грн.
FDU5N50NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU5N50NZTUonsemiMOSFET UNIFET2 500V NCH IP AK LON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU5N60NZTUON SemiconductorMOSFET UNIFET2 600V NCH I
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU5N60NZTUON Semiconductor
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU5N60NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6030BLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6030BLFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 15 V
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6296
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6512AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6512AONSEMIDescription: ONSEMI - FDU6512A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 464
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6512AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6612A
на замовлення 10600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6612AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6644Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3087 pF @ 15 V
на замовлення 39382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+112.10 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6644FAIRCHILD04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6670ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6676ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6680Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6680FAIRCHILD07+ 251
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6680AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 346
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6680AFSC
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6682Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 188224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 489
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6682_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6688onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6692Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 62804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+95.98 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6692FAIRCHILD04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6696Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 357
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N25Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 1211
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU6N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.4 A, 0.9 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.57 грн
28+29.55 грн
100+22.94 грн
500+16.17 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N25ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel UniFET
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N50TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N50TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
на замовлення 9586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
671+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 671
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N50TUON Semiconductor / FairchildMOSFET 500V N-Channel MOSFET
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7030BLFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDU7030BL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+56.37 грн
Мінімальне замовлення: 563
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTUFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTUonsemi / FairchildMOSFET N-Channel MOSFET 600V 5.5A 1.25Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTUFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8580onsemi / FairchildMOSFET 20V 35A 9 OHM NCH POWER TRENC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8580Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 460
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8580onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8586FAI
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8586Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8770Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8770_F071Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8778Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 13 V
на замовлення 17805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 634
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8780onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8780ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU8780 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 81309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 1145
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8780FAIRCHILDFDU8780
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1164+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 1164
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8780Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V
на замовлення 81309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 952
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8780onsemi / FairchildMOSFETs LOW VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8780FAIRCHILDFDU8780
на замовлення 65340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1164+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 1164
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8780ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8780FAIRCHILD06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8780_F071Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8782Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8796onsemi / FairchildMOSFETs LOW VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8796ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8796onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8796FAIRCHILD06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8796_F071onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 25V 35A 3-Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8796_F071onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8870Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/160A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V
на замовлення 65675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+73.02 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8870ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU8870 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 65675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+74.69 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8874
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8874onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8874onsemi / FairchildMOSFET 30V 116A 5.1OHM NCH PWR TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8874ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU8874 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+62.47 грн
Мінімальне замовлення: 439
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8874Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8874ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8874_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,116A,5.1 OHM, NCH, IPAK, POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8876ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU8876 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
605+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 605
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8876Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/73A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8876onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/73A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8878Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/40A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V
на замовлення 48769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 919
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8878ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8878ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU8878 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 48769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1106+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 1106
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8880Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 339186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8880ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU8880 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 339186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8880FAIRCHILDTO251
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8880onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8882Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8896FAIRCHILD07+ 251
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8896onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU8896 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 116991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 501
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8896Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/94A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 116951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8896A TO-251AA (транзистор)
Код товару: 47336
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8896_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8896_Qonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE0630-H-R12M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.12uH 0.58mOhms 33A +/-20%
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE0630-H-R24M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 1.12mOhms 23A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE0640-H-KR15M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.15uH 0.61mOhms 25A +/-20%
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE0640-H-R24M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 0.89mOhms 19A +/-20%
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE0640-H-R42M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE0640-H-R42M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.42uH 1.48mOhms 15A +/-20%
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE0650-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 3.45mOhms 9.8A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE0650-H-1R0M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 16A 0.00369Ohm DCR 3026 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE0650-H-R60M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.6uH 2.35mOhms 12A +/-20%
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE0650-H-R60M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.6uH 20% 100KHz Metal 18A 0.002464Ohm DCR 3026 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1030D-H-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 1.1mOhms 22A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1040-R45M=P3TOKO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1040D-1R0M=P3TOKO
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1040D-H-1R0M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 18A 0.00251Ohm DCR 4440 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1040D-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 2.35mOhms 16A +/-20%
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.88 грн
10+111.68 грн
100+84.60 грн
250+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1040D-H-1R0M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 18A 0.00251Ohm DCR 4440 T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1040D-H-1R0M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 1UH 18A 2.515 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.441" L x 0.394" W (11.20mm x 10.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -20°C ~ 100°C
DC Resistance (DCR): 2.515mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 16A
Material - Core: Metal
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.157" (4.00mm)
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 18 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1040D-H-R22M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.22uH 0.64mOhms 32A +/-20%
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1040D-H-R22M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 0.22uH 20% 100KHz Metal 32A 0.00068Ohm DCR 4440 T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+100.24 грн
10+93.11 грн
25+92.34 грн
50+88.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1040D-H-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 0.79mOhms 25A +/-20%
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1040D-H-R45M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1040D-H-R45M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.45uH 1.02mOhms 24A +/-20%
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1040D-R36M=P3
на замовлення 996 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1040D-R45M=P3TOKO
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1245-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 2.26mOhms 17A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1245-H-2R2M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 17A 0.0036Ohm DCR 4848 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1245-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 3.4mOhms 14A +/-20%
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1245-H-R50M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1245-H-R50M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1245-H-R72M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1245-H-R72M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.72uH 1.63mOhms 24A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1260-H-R45N=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 450NH 42A 0.58 MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1260-H-R45N=P3Murata ElectronicsFixed Inductors .45uH .58mOhm, 41.8A 12.7x14.3mm 30%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUE1260-H-R45N=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 450NH 42A 0.58 MOHM
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUFD1545SLBLPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm)
Type: Door
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUFD1545SLBLPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUFD1545SLGYPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUFD1545SLGYPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm)
Type: Door
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUFD1545SLWHPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUFD1545SLWHPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Color: White
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUFD1545SRBLPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm)
Type: Door
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUFD1545SRBLPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUFD1545SRGYPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUFD1545SRGYPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm)
Type: Door
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUFD1545SRWHPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Color: White
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUFD1545SRWHPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUFD3045SLWHPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 300mm wide, 45RU tall, S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUFD3045SLWHPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 300MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Color: White
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUM0640-H-R22M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.22uH 0.86mOhms 20A +/-20%
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDUM0640-H-R22M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.22uH 20% 100KHz Metal 30A 0.00086Ohm DCR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUM0640-H-R22M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.22uH 20% 100KHz Metal 30A 0.00086Ohm DCR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUM0640-H-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 1.38mOhms 16A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDUSP6Panduit CorpDescription: ODF SPOOL - 6-PACK COLOR COORDIN
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Cable Management
Accessory Type: Cable Spool
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.