Продукція > FDU

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDU044AN03LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU0650-H-R13M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.13uH 1.3mOhm 27.6A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU0650-H-R24M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 2mOhms 20A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU0650-H-R39M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.39uH 2.6mOhm 16.3A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU0650-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 3.2mOhm 14.2A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU0650-H-R82M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.82uH 4.2mOhm 11.5A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU0650-R56M=P3
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU068AN03LRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU068AN03LON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU10008DO1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1040-R36M
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1040D-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 1.4mOhms 23A +/-20%
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1040D-H-R68M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.68uH 1.7mOhms 20A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1040D-H-R88M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.88uH 2.3mOhms 17A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1040D-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 1.02mOhms 29A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1040D-R88M=P3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1050D-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1050D-R60M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.6uH +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1060-1R4M=P3
на замовлення 264616 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250-R56M=P3TOKO
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250C-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 2.2mOhms 23.5A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250C-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 3.6mOhms 17.9A +/-20%
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250C-H-R50M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.5uH 1.3mOhms 34A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250C-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 1.6mOhms 32A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1250C-H-R75M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.75uH 1.7mOhm 24.5A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1260-H-R45M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.45uH 0.6mOhm 36.3A +/-20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU1260-R45M=P3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU15PSG3EFCT ElectronicsD-Sub Dualport Connectors D-SHELL CONNECTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU2572Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 8614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+79.97 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3580Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 7.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 40 V
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3706ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N40TUONSEMIDescription: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.35 грн
16+50.98 грн
100+33.59 грн
500+22.81 грн
1000+18.64 грн
5000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N40TUonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.21 грн
10+53.51 грн
100+38.66 грн
500+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N40TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+17.22 грн
45+16.92 грн
100+16.26 грн
500+15.30 грн
1000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N40TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N40TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N50NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
980+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N50NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N50NZTUON Semiconductor
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N50NZTUonsemiMOSFET UNIFET2 500V NCH I
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.55 грн
10+55.33 грн
100+36.93 грн
500+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU5N50NZTUON Semiconductor
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU5N50NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 13509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
620+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU5N50NZTUonsemiMOSFET UNIFET2 500V NCH IP AK LON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU5N50NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU5N60NZTUON SemiconductorMOSFET UNIFET2 600V NCH I
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU5N60NZTUON Semiconductor
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU5N60NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6030BLFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6030BLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6296
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6512AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6512AONSEMIDescription: ONSEMI - FDU6512A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+84.57 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6512AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6612A
на замовлення 10600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6612AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6644Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3087 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Bulk
на замовлення 39382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+109.40 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6644FAIRCHILD04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6670ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6676ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6680Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6680FAIRCHILD07+ 251
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6680AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+64.34 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6680AFSC
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6682Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 188224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6682_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6688onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6692Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 62804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+93.67 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6692FAIRCHILD04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6696Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N25Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
826+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 826 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU6N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.4 A, 0.9 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.71 грн
28+28.83 грн
100+22.39 грн
500+15.78 грн
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N25ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel UniFET
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N50TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N50TUON Semiconductor / FairchildMOSFET 500V N-Channel MOSFET
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
на замовлення 9586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
671+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 671 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7030BLFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/56A IPAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDU7030BL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTUonsemi / FairchildMOSFET N-Channel MOSFET 600V 5.5A 1.25Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTUFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTUFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU7N60NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8580Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8580onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8580onsemi / FairchildMOSFET 20V 35A 9 OHM NCH POWER TRENC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8586FAI
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8586Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8770Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8770_F071Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8778Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 17805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8780onsemi / FairchildMOSFETs LOW VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8780FAIRCHILDFDU8780
на замовлення 65340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1164+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8780ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU8780 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 81309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 1145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8780Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V
на замовлення 81309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]