НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDU044AN03LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
товар відсутній
FDU0650-H-R13M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.13uH 1.3mOhm 27.6A +/-20%
товар відсутній
FDU0650-H-R13M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.13uH 20% 100KHz Metal 23A 0.0013Ohm DCR T/R
товар відсутній
FDU0650-H-R24M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 2mOhms 20A +/-20%
товар відсутній
FDU0650-H-R39M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.39uH 2.6mOhm 16.3A +/-20%
товар відсутній
FDU0650-H-R56M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.56uH 20% 100KHz Metal 15.6A 0.0032Ohm DCR T/R
товар відсутній
FDU0650-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 3.2mOhm 14.2A +/-20%
товар відсутній
FDU0650-H-R56M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.56uH 20% 100KHz Metal 15.6A 0.0032Ohm DCR T/R
товар відсутній
FDU0650-H-R82M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.82uH 4.2mOhm 11.5A +/-20%
товар відсутній
FDU0650-R56M=P3
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU068AN03LON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
товар відсутній
FDU068AN03LRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDU10008DO1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU1040-R36M
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU1040D-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 1.4mOhms 23A +/-20%
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDU1040D-H-R68M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.68uH 1.7mOhms 20A +/-20%
товар відсутній
FDU1040D-H-R88M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.88uH 2.3mOhms 17A +/-20%
товар відсутній
FDU1040D-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 1.02mOhms 29A +/-20%
товар відсутній
FDU1040D-R88M=P3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU1050D-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH +/-20%
товар відсутній
FDU1050D-H-R60M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.6uH 20% 100KHz Metal 4040 T/R
товар відсутній
FDU1050D-R60M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.6uH +/-20%
товар відсутній
FDU1060-1R4M=P3
на замовлення 264616 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU1250-R56M=P3TOKO
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU1250C-H-1R0M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 21.2A 0.0022Ohm DCR T/R
товар відсутній
FDU1250C-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 2.2mOhms 23.5A +/-20%
товар відсутній
FDU1250C-H-1R5M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 1.5uH 20% 100KHz Metal 18.2A 0.0036Ohm DCR T/R
товар відсутній
FDU1250C-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 3.6mOhms 17.9A +/-20%
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDU1250C-H-R50M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.5uH 1.3mOhms 34A +/-20%
товар відсутній
FDU1250C-H-R50M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.5uH 20% 100KHz Metal 27.2A 0.0013Ohm DCR T/R
товар відсутній
FDU1250C-H-R56M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.56uH 20% 100KHz Metal 25.7A 0.0016Ohm DCR T/R
товар відсутній
FDU1250C-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 1.6mOhms 32A +/-20%
товар відсутній
FDU1250C-H-R75M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.75uH 20% 100KHz Metal 25.2A 0.0017Ohm DCR T/R
товар відсутній
FDU1250C-H-R75M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.75uH 1.7mOhm 24.5A +/-20%
товар відсутній
FDU1260-H-R45M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.45uH 0.6mOhm 36.3A +/-20%
товар відсутній
FDU1260-R45M=P3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU15PSG3EFCT ElectronicsD-Sub Dualport Connectors D-SHELL CONNECTOR
товар відсутній
FDU2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товар відсутній
FDU2572Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 8957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 278
FDU2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній
FDU3580Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 7.7A IPAK
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 375
FDU3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.7A I-PAK
товар відсутній
FDU3706ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK
товар відсутній
FDU3N40TUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.25A; Idm: 8A; 30W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.25A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 30W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDU3N40TUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.25A; Idm: 8A; 30W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.25A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 30W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDU3N40TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FDU3N40TUONSEMIDescription: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.66 грн
19+ 40.86 грн
100+ 28.19 грн
500+ 21.87 грн
1000+ 15.33 грн
5000+ 15.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDU3N40TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.11 грн
10+ 42.79 грн
100+ 29.62 грн
500+ 23.22 грн
1000+ 19.76 грн
2000+ 17.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDU3N40TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+12.83 грн
45+ 12.61 грн
100+ 12.12 грн
500+ 11.4 грн
1000+ 10.14 грн
Мінімальне замовлення: 44
FDU3N40TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FDU3N40TUonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.18 грн
10+ 50.86 грн
100+ 36.75 грн
500+ 29.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDU3N50NZTUON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3
товар відсутній
FDU3N50NZTUonsemiMOSFET UNIFET2 500V NCH I
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.4 грн
10+ 52.6 грн
100+ 35.11 грн
500+ 27.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDU3N50NZTUON Semiconductor
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU3N50NZTUON SemiconductorN-Channel UniFET II MOSFET
товар відсутній
FDU5N50NZTUonsemiMOSFET UNIFET2 500V NCH IP AK LON
товар відсутній
FDU5N50NZTUON Semiconductor
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU5N50NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK3
товар відсутній
FDU5N60NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK3
товар відсутній
FDU5N60NZTUON SemiconductorMOSFET UNIFET2 600V NCH I
товар відсутній
FDU5N60NZTUON Semiconductor
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU6030BLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товар відсутній
FDU6030BLFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 15 V
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 468
FDU6030BLonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 15 V
товар відсутній
FDU6030BL_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товар відсутній
FDU6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A I-PAK
товар відсутній
FDU6296
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU6512AONSEMIDescription: ONSEMI - FDU6512A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+77.29 грн
Мінімальне замовлення: 464
FDU6512AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V
товар відсутній
FDU6512AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 386
FDU6612A
на замовлення 10600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FDU6612AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
товар відсутній
FDU6644Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3087 pF @ 15 V
на замовлення 41002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+96.76 грн
Мінімальне замовлення: 204
FDU6644FAIRCHILD04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU6670ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 386
FDU6676ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 15 V
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 1025
FDU6680Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A IPAK
товар відсутній
FDU6680FAIRCHILD07+ 251
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU6680AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDU6680AFSC
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU6682Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 188224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+40.8 грн
Мінімальне замовлення: 489
FDU6682_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+64.21 грн
Мінімальне замовлення: 314
FDU6688onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK
товар відсутній
FDU6692Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 62804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 235
FDU6692FAIRCHILD04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU6696Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 357
FDU6N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
FDU6N25ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel UniFET
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDU6N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU6N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.4 A, 0.9 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 67
FDU6N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній
FDU6N50TUON Semiconductor / FairchildMOSFET 500V N-Channel MOSFET
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDU6N50TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FDU6N50TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FDU6N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
на замовлення 9586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
671+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 671
FDU7030BLRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/56A IPAK
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDU7030BLONSEMIDescription: ONSEMI - FDU7030BL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
562+64.04 грн
Мінімальне замовлення: 562
FDU7030BLON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/56A IPAK
товар відсутній
FDU7N60NZTUFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDU7N60NZTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FDU7N60NZTUFairchildTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDU7N60NZTUonsemi / FairchildMOSFET N-Channel MOSFET 600V 5.5A 1.25Ohm
товар відсутній
FDU7N60NZTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
товар відсутній
FDU7N60NZTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FDU8580onsemi / FairchildMOSFET 20V 35A 9 OHM NCH POWER TRENC
товар відсутній
FDU8580onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V
товар відсутній
FDU8580Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 49.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1445 pF @ 10 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 460
FDU8586FAI
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU8586Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
товар відсутній
FDU8770Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
товар відсутній
FDU8770_F071Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
товар відсутній
FDU8778Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 13 V
на замовлення 17805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 634
FDU8780Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V
на замовлення 81309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
951+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 951
FDU8780ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FDU8780FAIRCHILD06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU8780ONSEMIDescription: ONSEMI - FDU8780 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 81309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1144+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 1144
FDU8780onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V
товар відсутній
FDU8780onsemi / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
товар відсутній
FDU8780_F071Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
товар відсутній
FDU8782Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
товар відсутній
FDU8796onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
товар відсутній
FDU8796ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FDU8796FAIRCHILD06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU8796onsemi / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
товар відсутній
FDU8796Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
на замовлення 504075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDU8796_F071onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 25V 35A 3-Pin
товар відсутній
FDU8796_F071onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
товар відсутній
FDU8870Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK
товар відсутній
FDU8874Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 396
FDU8874onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK
товар відсутній
FDU8874onsemi / FairchildMOSFET 30V 116A 5.1OHM NCH PWR TRENCH MOSFET
товар відсутній
FDU8874
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU8874_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,116A,5.1 OHM, NCH, IPAK, POWER TRENCH MOSFET
товар відсутній
FDU8876Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/73A IPAK
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDU8878Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/40A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V
на замовлення 41569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
995+21.3 грн
Мінімальне замовлення: 995
FDU8880Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK
на замовлення 349749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDU8880FAIRCHILDTO251
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU8880ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товар відсутній
FDU8882Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
товар відсутній
FDU8896FAIRCHILD07+ 251
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDU8896onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/94A IPAK
товар відсутній
FDU8896Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/94A IPAK
на замовлення 116991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 451
FDU8896onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDU8896A TO-251AA (транзистор)
Код товару: 47336
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FDU8896_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
FDU8896_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDUE0630-H-R12M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.12uH 0.58mOhms 33A +/-20%
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDUE0630-H-R24M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 1.12mOhms 23A +/-20%
товар відсутній
FDUE0640-H-KR15M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.15uH 0.61mOhms 25A +/-20%
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDUE0640-H-R24M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 0.89mOhms 19A +/-20%
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDUE0640-H-R42M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.42uH 1.48mOhms 15A +/-20%
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDUE0640-H-R42M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товар відсутній
FDUE0650-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 3.45mOhms 9.8A +/-20%
товар відсутній
FDUE0650-H-1R0M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 16A 0.00369Ohm DCR 3026 T/R
товар відсутній
FDUE0650-H-R60M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.6uH 20% 100KHz Metal 18A 0.002464Ohm DCR 3026 T/R
товар відсутній
FDUE0650-H-R60M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.6uH 2.35mOhms 12A +/-20%
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDUE1030D-H-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 1.1mOhms 22A +/-20%
товар відсутній
FDUE1040-R45M=P3TOKO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDUE1040D-1R0M=P3TOKO
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDUE1040D-H-1R0M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 18A 0.00251Ohm DCR 4440 T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDUE1040D-H-1R0M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 1UH 18A 2.515 MOHM SMD
товар відсутній
FDUE1040D-H-1R0M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 1UH 18A 2.515 MOHM SMD
товар відсутній
FDUE1040D-H-1R0M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 100KHz Metal 18A 0.00251Ohm DCR 4440 T/R
товар відсутній
FDUE1040D-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 2.35mOhms 16A +/-20%
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.71 грн
10+ 99.61 грн
100+ 75.46 грн
250+ 72.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDUE1040D-H-R22M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 0.22uH 20% 100KHz Metal 32A 0.00068Ohm DCR 4440 T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+93.47 грн
10+ 86.83 грн
25+ 86.11 грн
50+ 82.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDUE1040D-H-R22M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.22uH 0.64mOhms 32A +/-20%
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDUE1040D-H-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 0.79mOhms 25A +/-20%
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDUE1040D-H-R45M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.45uH 1.02mOhms 24A +/-20%
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDUE1040D-H-R45M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товар відсутній
FDUE1040D-R36M=P3
на замовлення 996 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDUE1040D-R45M=P3TOKO
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDUE1245-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 2.26mOhms 17A +/-20%
товар відсутній
FDUE1245-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 3.4mOhms 14A +/-20%
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDUE1245-H-2R2M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 17A 0.0036Ohm DCR 4848 T/R
товар відсутній
FDUE1245-H-R50M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
FDUE1245-H-R50M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
товар відсутній
FDUE1245-H-R72M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товар відсутній
FDUE1245-H-R72M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.72uH 1.63mOhms 24A +/-20%
товар відсутній
FDUE1260-H-R45N=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 450NH 42A 0.58 MOHM
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDUE1260-H-R45N=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 450NH 42A 0.58 MOHM
товар відсутній
FDUE1260-H-R45N=P3Murata ElectronicsFixed Inductors .45uH .58mOhm, 41.8A 12.7x14.3mm 30%
товар відсутній
FDUFD1545SLBLPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
товар відсутній
FDUFD1545SLBLPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm)
Type: Door
товар відсутній
FDUFD1545SLGYPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm)
Type: Door
товар відсутній
FDUFD1545SLGYPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
товар відсутній
FDUFD1545SLWHPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
товар відсутній
FDUFD1545SLWHPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
товар відсутній
FDUFD1545SRBLPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Color: Black
Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm)
Type: Door
товар відсутній
FDUFD1545SRBLPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
товар відсутній
FDUFD1545SRGYPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 5.693" L x 1.961" W x 83.209" H (144.60mm x 49.80mm x 2113.50mm)
Type: Door
товар відсутній
FDUFD1545SRGYPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
товар відсутній
FDUFD1545SRWHPanduitElectrical Enclosures ODF Front Door, 150mm wide, 45RU tall, S
товар відсутній
FDUFD1545SRWHPanduit CorpDescription: ODF FRONT DOOR, 150MM WIDE, 45RU
Packaging: Bulk
товар відсутній
FDUM0640-H-R22M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.22uH 0.86mOhms 20A +/-20%
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDUM0640-H-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 1.38mOhms 16A +/-20%
товар відсутній