Продукція > IDD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDD-04-G | Samtec Inc. | Description: FEMALE CABLE BASE ASSEMBLY Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Finish: Gold Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 8 Pitch: 0.100" (2.54mm) Cable Termination: IDC Number of Rows: 2 | на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD-05-G | Samtec | Samtec | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-06-G | Samtec | CABLE ASSEMBLIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-07-T | Samtec Inc. | Description: FEMALE CABLE BASE ASSEMBLY | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-12250A-R11 | IEI | Isolated DC/DC Converters - Chassis Mount 50W+60W DC/DC 12V input 12V/5V/5VSB output | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-241100-R10 | IEI | Isolated DC/DC Converters 100 W DC/DC 24 V input; 12 V output with 100W total power. | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-2412 | TAMURA | 02+ WCA4-2 | на замовлення 193 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-25-G | Samtec Inc. | Description: FEMALE CABLE BASE ASSEMBLY | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-25-G | Samtec | Ribbon Cables / IDC Cables | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-25-G-P47 | Samtec | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD-636160S-R10 | IEI | AC/DC Power Modules 150W DC/DC 12-28V input, multiple 12/19/24V output power module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-930160-KIT-R20 | IEI | Isolated DC/DC Converters POWER(DC->DC),9-30V INPUT,60W,O/P 12V 5A(MAX),,,RoHS | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-936160-R20 | IEI | DC/DC Converters - Chassis Mount 60W DC/DC 9-36V input 12V output | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-936260A-R11 | IEI | Isolated DC/DC Converters 60W DC/DC 9 36V input 12V/5V/5VSB output | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-9364120A-R11 | IEI | Isolated DC/DC Converters 120W DC/DC 9 36V input 12V/5V/3.3V/-12V/5VSB output,RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03E60 | infineon | 03+ | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03E60 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 3A | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03E60# | Infineon | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD03E60BUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 7.3A TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD03SG60CXTMA1 - IDD03SG60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 59868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | на замовлення 58718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | на замовлення 1856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 4446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD04S60C | INFINEON | TO252 06+ | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04S60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers 2ND GEN THINQ 600V SiC Schottky Diode | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04S60C Код товару: 51664
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD04S60CBUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 600V 5.6A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5.6A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04S60CBUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 600V 5.6A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5.6A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04SG60CHUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 12450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | на замовлення 8786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 12950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD05-15D5U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 6W; Uin: 18÷75VDC; Uout: 15VDC; Uout2: -15VDC Type of converter: DC/DC Power: 6W Input voltage: 18...75V DC Output voltage: 15V DC Output voltage 2: -15V DC Output current: 0.2A Output current 2: 0.2A Manufacturer series: IDD05U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 80% Operating temperature: -40...71°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD05-15S5U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 6W; Uin: 18÷75VDC; Uout: 15VDC; Iout: 0.4A; IDD05U Type of converter: DC/DC Power: 6W Input voltage: 18...75V DC Output voltage: 15V DC Output current: 0.4A Manufacturer series: IDD05U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 82% Operating temperature: -40...71°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD05G | Samtec | Samtec | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD05SG60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD05SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD05SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD05SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 7475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD05SG60CXTMA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD05SG60CXTMA2 - XDD05SG60 - SIC DIODES tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD05SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06E60 Код товару: 63442
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD06E60 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes Fast Switching 600V EmCon Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06E60BUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 14.7A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 14.7A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06E60BUMA1 | Infineon | Fast 6A 600V SMD TO252-3 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06E60BUMA1 Код товару: 122046
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD06E60XT | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCHING EMCON DIODE 600V 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CHUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD06SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon | SiC Schottky Diodes SIC DIODES Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 9208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 2045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD06SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD08SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK) Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 5083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD09E60 | infineon | 03+ | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD09E60 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 9A | на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD09E60BUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD09E60BUMA1 - IDD09E60 - SILICON POWER DIODE euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD09E60BUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 19.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 19.3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD09SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 9A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD10-12D1U | Chinfa | DC-DC перетворювач, Кіл. вих. кан. = 2, Uвих1, В = 12, Uвих2, В = -12, Pвих, Вт = 10, Uвх (max), В = 18, Uвх (min), В = 9, Iвих1, А = 0,42, Iвих2, А = 0,42, Uізол., В = 1 500, ККД, % = 88, Uвих, % = 2, Габ. розм, мм = 50,8 x 25,4 x 10,2, Рів. пульс., мВ = кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 55 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD10-12D3U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 35÷75VDC; Uout: 12VDC; Uout2: -12VDC Type of converter: DC/DC Power: 10W Input voltage: 35...75V DC Output voltage: 12V DC Output voltage 2: -12V DC Output current: 0.42A Output current 2: 0.42A Manufacturer series: IDD10U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 89% Operating temperature: -40...71°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD10-15D2U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 18÷36VDC; Uout: 15VDC; Uout2: -15VDC Type of converter: DC/DC Power: 10W Input voltage: 18...36V DC Output voltage: 15V DC Output voltage 2: -15V DC Output current: 0.34A Output current 2: 0.34A Manufacturer series: IDD10U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 88% Operating temperature: -40...71°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD10-15S2U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 10W; Uin: 18÷36VDC; Uout: 15VDC; Iout: 0.67A; OUT: 1 Type of converter: DC/DC Power: 10W Input voltage: 18...36V DC Output voltage: 15V DC Output current: 0.67A Manufacturer series: IDD10U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 89% Operating temperature: -40...71°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD10SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 1579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD12SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 1533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD12SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD12SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD12SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15-05D4U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 15W; Uin: 9÷36VDC; Uout: 5VDC; Uout2: -5VDC; IDD15U Type of converter: DC/DC Power: 15W Input voltage: 9...36V DC Output voltage: 5V DC Output voltage 2: -5V DC Output current: 1.5A Output current 2: 1.5A Manufacturer series: IDD15U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 82% Operating temperature: -40...51°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15-05D5U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 15W; Uin: 18÷75VDC; Uout: 5VDC; Uout2: -5VDC; OUT: 2 Type of converter: DC/DC Power: 15W Input voltage: 18...75V DC Output voltage: 5V DC Output voltage 2: -5V DC Output current: 1.5A Output current 2: 1.5A Manufacturer series: IDD15U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 83% Operating temperature: -40...51°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15-05S1U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 15W; Uin: 9÷18VDC; Uout: 5VDC; Iout: 3A; IDD15U Type of converter: DC/DC Power: 15W Input voltage: 9...18V DC Output voltage: 5V DC Output current: 3A Manufacturer series: IDD15U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 84% Operating temperature: -40...61°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15-05S2U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 15W; Uin: 18÷36VDC; Uout: 5VDC; Iout: 3A; IDD15U Type of converter: DC/DC Power: 15W Input voltage: 18...36V DC Output voltage: 5V DC Output current: 3A Manufacturer series: IDD15U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 85% Operating temperature: -40...61°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15-12D2U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 15W; Uin: 18÷36VDC; Uout: 12VDC; Uout2: -12VDC Type of converter: DC/DC Power: 15W Input voltage: 18...36V DC Output voltage: 12V DC Output voltage 2: -12V DC Output current: 0.63A Output current 2: 0.63A Manufacturer series: IDD15U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 88% Operating temperature: -40...71°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15-12S2U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 15W; Uin: 18÷36VDC; Uout: 12VDC; Iout: 1.25A; OUT: 1 Type of converter: DC/DC Power: 15W Input voltage: 18...36V DC Output voltage: 12V DC Output current: 1.25A Manufacturer series: IDD15U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 88% Operating temperature: -40...71°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15-12S3U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 15W; Uin: 35÷75VDC; Uout: 12VDC; Iout: 1.25A; OUT: 1 Type of converter: DC/DC Power: 15W Input voltage: 35...75V DC Output voltage: 12V DC Output current: 1.25A Manufacturer series: IDD15U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 88% Operating temperature: -40...71°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15-15D2U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 15W; Uin: 18÷36VDC; Uout: 15VDC; Uout2: -15VDC Type of converter: DC/DC Power: 15W Input voltage: 18...36V DC Output voltage: 15V DC Output voltage 2: -15V DC Output current: 0.5A Output current 2: 0.5A Manufacturer series: IDD15U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 89% Operating temperature: -40...71°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15-15D4U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 15W; Uin: 9÷36VDC; Uout: 15VDC; Uout2: -15VDC Type of converter: DC/DC Power: 15W Input voltage: 9...36V DC Output voltage: 15V DC Output voltage 2: -15V DC Output current: 0.5A Output current 2: 0.5A Manufacturer series: IDD15U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 84% Operating temperature: -40...71°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15-15D5U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 15W; Uin: 18÷75VDC; Uout: 15VDC; Uout2: -15VDC Type of converter: DC/DC Power: 15W Input voltage: 18...75V DC Output voltage: 15V DC Output voltage 2: -15V DC Output current: 0.5A Output current 2: 0.5A Manufacturer series: IDD15U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 83% Operating temperature: -40...71°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15-15S2U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 15W; Uin: 18÷36VDC; Uout: 15VDC; Iout: 1A; IDD15U Type of converter: DC/DC Power: 15W Input voltage: 18...36V DC Output voltage: 15V DC Output current: 1A Manufacturer series: IDD15U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 89% Operating temperature: -40...71°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15-15S3U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 15W; Uin: 35÷75VDC; Uout: 15VDC; Iout: 1A; IDD15U Type of converter: DC/DC Power: 15W Input voltage: 35...75V DC Output voltage: 15V DC Output current: 1A Manufacturer series: IDD15U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 89% Operating temperature: -40...71°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15-15S4U | CHINFA ELECTRONICS | Category: DC/DC Converters Description: Converter: DC/DC; 15W; Uin: 9÷36VDC; Uout: 15VDC; Iout: 1A; IDD15U Type of converter: DC/DC Power: 15W Input voltage: 9...36V DC Output voltage: 15V DC Output current: 1A Manufacturer series: IDD15U Body dimensions: 50.8x25.4x10.16mm Efficiency: 84% Operating temperature: -40...71°C Protection: anti-overload OLP; short circuit protection SCP Insulation voltage: 1.5kV DC Number of outputs: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15E60 | на замовлення 958 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IDD15E60BUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD15E60BUMA1 - IDD15E60 - SILICON POWER DIODE euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 14802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD15E60BUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 29.2A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 87 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 29.2A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 14802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD15E60BUMA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD15E60BUMA2 - IDD15E60 - SILICON POWER DIODE euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD15E60BUMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 29.2A TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD15E60BUMA3 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD15E60BUMA3 - IDD15E60 FAST SWITCHING EMITTER CONTROL tariffCode: 85423190 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD15E60XT | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCHING EMCON DIODE 600V 15A | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 13A PGHDSOP101 Packaging: Bulk Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 13A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V | на замовлення 4628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD04G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD04G65C6XTMA1 - IDDD04G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 4628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 13A PGHDSOP101 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 13A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD04G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD04G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 13A PGHDSOP101 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 13A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 18A PGHDSOP101 Packaging: Bulk Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 18A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V | на замовлення 543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 18A PGHDSOP101 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 18A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes Y | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 2542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 24A PGHDSOP101 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V | на замовлення 1813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD08G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 24A PGHDSOP101 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 29A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 29A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V | на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon | SIC DIODES, HDSOP-10 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 8415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 3032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101 Packaging: Bulk Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V | на замовлення 5200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD12G65C6XTMA1 - IDDD12G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V | на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 3032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 43A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101 Packaging: Bulk Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 43A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 43A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6 | Infineon Technologies | Infineon SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDDD371AA-M04 | на замовлення 10193 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IDDM74ALS244ASJ | 98 SOP | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDDM74ALS32SJ | 07+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS05SJ | 07+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS132SJ | 07+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS139SJ | 07+ | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS14SJ | 98 SOP | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS157SJ | 07+ | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDDM74LS74ASJ | 98+ SOP | на замовлення 632 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDDV-6304140A-R10 | IEI | Isolated DC/DC Converters 140W DC/DC 6-30V DC input,Vehicle Converter Module,RoHS | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |