Продукція > IDD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDD-04-G | Samtec | Female Cable Base Assembly | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-04-G | Samtec | Female Cable Base Assembly | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-04-G | Samtec | Ribbon Cables / IDC Cables | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD-04-G | Samtec | Female Cable Base Assembly | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-04-G | Samtec Inc. | Description: FEMALE CABLE BASE ASSEMBLY Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle Contact Finish: Gold Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 8 Pitch: 0.100" (2.54mm) Cable Termination: IDC Number of Rows: 2 | на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD-04-G-P01 | Samtec | Headers & Wire Housings | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-04-G-P07 | Samtec | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD-05-G | Samtec | Samtec | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-06-G | Samtec | CABLE ASSEMBLIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-07-T | Samtec Inc. | Description: FEMALE CABLE BASE ASSEMBLY | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-12250A-R11 | IEI | Isolated DC/DC Converters - Chassis Mount 50W+60W DC/DC 12V input 12V/5V/5VSB output | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-13-G | Samtec | Headers & Wire Housings IDC Connectors | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD-241100-R10 | IEI | Isolated DC/DC Converters 100 W DC/DC 24 V input; 12 V output with 100W total power. | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-2412 | TAMURA | 02+ WCA4-2 | на замовлення 193 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-25-G | Samtec Inc. | Description: FEMALE CABLE BASE ASSEMBLY | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-25-G | Samtec | Ribbon Cables / IDC Cables | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD-25-G-P47 | Samtec | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD-636160S-R10 | IEI | AC/DC Power Modules 150W DC/DC 12-28V input, multiple 12/19/24V output power module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-930160-KIT-R20 | IEI | Isolated DC/DC Converters POWER(DC->DC),9-30V INPUT,60W,O/P 12V 5A(MAX),,,RoHS | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-936160-R20 | IEI | DC/DC Converters - Chassis Mount 60W DC/DC 9-36V input 12V output | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-936260A-R11 | IEI | Isolated DC/DC Converters 60W DC/DC 9 36V input 12V/5V/5VSB output | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-9364120A-R11 | IEI | Isolated DC/DC Converters 120W DC/DC 9 36V input 12V/5V/3.3V/-12V/5VSB output,RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD-X1228150-R10 | IEI | Power Supplies - Chassis Mount 150W@16 28V or 600W@12V DC input 12V output Power Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03E60 | infineon | 03+ | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03E60 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 3A | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03E60# | Infineon | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD03E60BUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 7.3A TO252-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 3A; 38W Type of diode: Schottky rectifying Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Mounting: SMD Leakage current: 0.23µA Max. forward voltage: 2.1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 9.7A Power dissipation: 38W Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Max. off-state voltage: 0.6kV Case: PG-TO252-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD03SG60CXTMA1 - IDD03SG60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 59868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | на замовлення 58345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 58345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 2922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | на замовлення 627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying Type of diode: Schottky rectifying | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD04S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers 2ND GEN THINQ 600V SiC Schottky Diode | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04S60C Код товару: 51664
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD04S60C | INFINEON | TO252 06+ | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04S60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04S60CBUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 600V 5.6A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5.6A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04S60CBUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 600V 5.6A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5.6A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04SG60CHUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2523 Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO252-3 Current - Average Rectified (Io): 4A Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 8786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 12950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2523 Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO252-3 Current - Average Rectified (Io): 4A Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 12450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD05G | Samtec | Samtec | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD05SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD05SG60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-3 Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO252-3 Current - Average Rectified (Io): 5A Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD05SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO252-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD05SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 7475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD05SG60CXTMA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD05SG60CXTMA2 - XDD05SG60 - SIC DIODES tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD05SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A PGTO2523 Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Last Time Buy Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO252-3 Current - Average Rectified (Io): 5A Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06E60 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes Fast Switching 600V EmCon Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06E60 Код товару: 63442
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD06E60BUMA1 | Infineon | Fast 6A 600V SMD TO252-3 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06E60BUMA1 Код товару: 122046
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD06E60BUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 14.7A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 14.7A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06E60XT | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCHING EMCON DIODE 600V 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CHUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD06SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 78 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2523 Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO252-3 Current - Average Rectified (Io): 6A Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 2045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD06SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon | SiC Schottky Diodes SIC DIODES Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2523 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO252-3 Current - Average Rectified (Io): 6A Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A | на замовлення 9208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD08SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2523 Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO252-3 Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 3941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 5083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK) Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 3941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IDD09E60 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 9A | на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IDD09E60 | infineon | 03+ | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

