Продукція > PJC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJC138K-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
16+19.10 грн
100+10.83 грн
500+6.73 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K-R1-00001PanjitMOSFETs SOT323 N CHAN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K_R1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 227688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K_R2_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L-R1-00001PanjitMOSFETs SOT323 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L_R1_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
24+13.06 грн
100+8.76 грн
500+6.33 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L_R2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC16F73-1/SP
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7002H_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7002H_R1_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7002H_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
21+15.02 грн
100+8.16 грн
500+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7002H_R2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7201SQUARE D BY SCHNEIDER ELECTRICDescription: SQUARE D BY SCHNEIDER ELECTRIC - PJC7201 - ELECTRIC JOINT COMPOUND, CIRCUIT BREAKER
tariffCode: 34031980
Art des Zubehörs: Electric Joint Compound
productTraceability: No
Behältertyp: Tube
rohsCompliant: NA
Gewicht: 2oz
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Volumen: 59.15ml
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: I-Line Circuit Breakers, QMB Plug-On Units or Model-V MCC Units
Produktpalette: -
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 7.6A
Drain current: 1.9A
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.13 грн
67+6.29 грн
100+5.95 грн
500+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.46 грн
6000+4.18 грн
9000+2.50 грн
15000+2.18 грн
21000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 28012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 91128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.47 грн
100+5.40 грн
500+4.95 грн
1000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R2_00001PanjitMOSFET /C00/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-30TAMN/NF30TA-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
на замовлення 12148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+13.81 грн
100+8.66 грн
500+6.01 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.92 грн
6000+4.27 грн
9000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.51 грн
23+18.45 грн
100+11.82 грн
250+10.06 грн
500+8.89 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7403_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
20+15.40 грн
100+10.32 грн
500+7.48 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7403_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7403_R1_00001PanjitMOSFET /C03/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP/NF20TA-QI01/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7403_R2_00001PanjitMOSFET /C03/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP/NF20TA-QI01/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 5672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 0.4Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 7753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.27 грн
100+11.53 грн
500+8.08 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7406_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.80 грн
6000+4.16 грн
9000+3.93 грн
15000+3.44 грн
21000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 121299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -5.2A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 5.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 0.2Ω
на замовлення 6105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.03 грн
69+6.12 грн
100+5.70 грн
500+5.37 грн
1000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 28590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.59 грн
100+8.47 грн
500+5.87 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001PANJITSOT-323, MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001PanJitPJC7407_R1_00001
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1643+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 1643 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409-R1-00001PanjitMOSFETs SOT323 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.19 грн
100+6.35 грн
500+4.37 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410-R1-00001PanjitMOSFETs SOT323 N CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410_R2_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7412_R1_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7412_R2_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
37+8.30 грн
100+5.15 грн
500+3.53 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 0.6A
Drain current: 0.3A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
47+9.06 грн
100+5.72 грн
250+4.81 грн
500+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 63.8A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 63.8A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438-R1-00001PanjitMOSFET SOT-323/MOS/SOT/NFET-50TAMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R1_00001PanjitMOSFETs 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 3233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.74 грн
100+11.22 грн
500+7.86 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R2_00001PanjitMOSFET 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.71 грн
6000+4.09 грн
9000+3.85 грн
15000+3.37 грн
21000+3.23 грн
30000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -0.25A
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
46+9.31 грн
100+5.75 грн
500+4.19 грн
1000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
на замовлення 37489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.28 грн
100+8.32 грн
500+5.76 грн
1000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.79 грн
100+11.89 грн
500+8.34 грн
1000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439_R1_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439_R2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7472B_R1_00001PanjitMOSFET /C2B/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-60TAMN/NF60TA-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
13+24.30 грн
100+15.16 грн
500+9.74 грн
1000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 9Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001PanjitMOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJCAPSwitchcraftDC Power Connectors HI-AMPERAGE POWER JA
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJCAPSwitchcraft Inc.Description: HI-AMP POWER JACK CAP
Packaging: Bulk
Color: Black
For Use With/Related Products: Power Jack
Accessory Type: Cap (Cover)
на замовлення 38281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.14 грн
10+144.99 грн
25+135.89 грн
50+121.42 грн
100+115.61 грн
300+106.98 грн
500+101.51 грн
1000+96.66 грн
2500+90.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJCDCV14
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJClamp0502Q
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJCLAMP0504APANJITQFM1.6..
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJCX28631CB1-RF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.