Продукція > PJC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PJC138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.76 грн
16+19.89 грн
100+11.28 грн
500+7.01 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorPJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.00 грн
280+3.99 грн
768+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K-R1-00001PanjitMOSFETs SOT323 N CHAN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.98 грн
50+6.37 грн
100+3.30 грн
500+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K_R1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 78580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+9.86 грн
50+6.95 грн
100+3.10 грн
500+3.02 грн
3000+2.04 грн
6000+1.81 грн
9000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K_R2_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L-R1-00001PanjitMOSFETs SOT323 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L_R1_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 15 V
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.23 грн
24+13.60 грн
100+9.13 грн
500+6.60 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L_R2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC16F73-1/SP
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7002H_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7002H_R1_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
10+37.69 грн
13+28.13 грн
100+13.81 грн
1000+7.02 грн
3000+6.11 грн
9000+4.83 грн
24000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7002H_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.97 грн
21+15.65 грн
100+8.50 грн
500+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7201SQUARE D BY SCHNEIDER ELECTRICDescription: SQUARE D BY SCHNEIDER ELECTRIC - PJC7201 - ELECTRIC JOINT COMPOUND, CIRCUIT BREAKER
tariffCode: 34031980
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Behältertyp: Tube
rohsCompliant: NA
Gewicht: 2oz
euEccn: NLR
Volumen: 59.15ml
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2391.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 91128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.41 грн
27+11.95 грн
100+5.62 грн
500+5.16 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 32465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+20.43 грн
29+12.33 грн
100+5.21 грн
500+4.91 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.65 грн
6000+4.36 грн
9000+2.61 грн
15000+2.27 грн
21000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001PanJit SemiconductorPJC7400-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.60 грн
171+6.51 грн
470+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R2_00001PanjitMOSFET /C00/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-30TAMN/NF30TA-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.63 грн
13+23.22 грн
100+14.34 грн
166+6.70 грн
453+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
на замовлення 31458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.85 грн
15+21.70 грн
100+10.96 грн
500+9.12 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.03 грн
22+18.64 грн
100+11.95 грн
166+5.58 грн
453+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.03 грн
6000+6.61 грн
9000+5.86 грн
30000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7403_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.50 грн
20+16.04 грн
100+10.75 грн
500+7.79 грн
1000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7403_R1_00001PanjitMOSFET /C03/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP/NF20TA-QI01/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7403_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7403_R2_00001PanjitMOSFET /C03/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP/NF20TA-QI01/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.64 грн
23+17.14 грн
100+10.93 грн
179+5.19 грн
491+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 7753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.85 грн
17+19.03 грн
100+12.01 грн
500+8.42 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 5672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.77 грн
20+18.06 грн
100+8.15 грн
1000+7.40 грн
3000+5.81 грн
9000+5.06 грн
24000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.57 грн
14+21.36 грн
100+13.12 грн
179+6.23 грн
491+5.85 грн
9000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.51 грн
6000+4.95 грн
9000+4.81 грн
15000+4.38 грн
21000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001PanJitPJC7407_R1_00001
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1643+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 1643
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5.2A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.42 грн
18+17.05 грн
100+9.62 грн
500+7.27 грн
1000+6.61 грн
3000+5.85 грн
6000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5.2A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 7545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.02 грн
29+13.68 грн
100+8.02 грн
500+6.05 грн
1000+5.50 грн
3000+4.88 грн
6000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 129469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.30 грн
20+18.06 грн
100+8.15 грн
500+7.78 грн
1000+7.25 грн
3000+4.91 грн
6000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 24850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.95 грн
19+17.14 грн
100+8.92 грн
500+7.97 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409-R1-00001PanjitMOSFETs SOT323 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 5137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.97 грн
27+11.80 грн
100+7.89 грн
500+5.68 грн
1000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.58 грн
14+25.78 грн
100+13.97 грн
500+9.59 грн
1000+8.15 грн
3000+6.79 грн
6000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410-R1-00001PanjitMOSFETs SOT323 N CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.93 грн
15+21.15 грн
100+13.38 грн
500+9.41 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410_R1_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.83 грн
19+18.58 грн
100+8.45 грн
1000+7.47 грн
3000+5.36 грн
9000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410_R2_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7412_R1_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7412_R2_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 4Ω
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 0.6A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.24 грн
47+8.49 грн
100+5.36 грн
250+4.51 грн
500+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 8217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.70 грн
37+8.65 грн
100+5.36 грн
500+3.68 грн
1000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 4Ω
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 0.6A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+18.29 грн
28+10.58 грн
100+6.44 грн
250+5.42 грн
500+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438-R1-00001PanjitMOSFET SOT-323/MOS/SOT/NFET-50TAMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R1_00001PanjitMOSFETs 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.02 грн
16+22.40 грн
100+9.29 грн
1000+7.78 грн
3000+5.89 грн
9000+5.28 грн
24000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 3233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.03 грн
18+18.48 грн
100+11.69 грн
500+8.19 грн
1000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R2_00001PanjitMOSFET 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.09 грн
6000+2.83 грн
9000+2.66 грн
15000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -250mA
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT323
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.32 грн
25+11.76 грн
100+6.98 грн
319+3.48 грн
875+3.29 грн
6000+3.22 грн
9000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.15 грн
32+10.14 грн
100+6.32 грн
500+4.35 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -250mA
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT323
Application: automotive industry
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.94 грн
42+9.44 грн
100+5.82 грн
319+2.90 грн
875+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439_R1_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.23 грн
14+26.04 грн
100+14.12 грн
1000+7.62 грн
3000+6.57 грн
9000+5.66 грн
24000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 5806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.66 грн
17+19.58 грн
100+12.39 грн
500+8.69 грн
1000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7472B_R1_00001PanjitMOSFET /C2B/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-60TAMN/NF60TA-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001PanjitMOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.23 грн
14+26.04 грн
100+14.12 грн
1000+7.62 грн
3000+6.57 грн
9000+5.66 грн
24000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.30 грн
13+25.32 грн
100+15.80 грн
500+10.14 грн
1000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.53 грн
13+24.11 грн
100+8.21 грн
250+7.36 грн
500+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.95 грн
21+19.34 грн
100+6.84 грн
250+6.13 грн
500+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJCAPSwitchcraftDC Power Connectors HI-AMPERAGE POWER JA
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.76 грн
10+173.63 грн
20+143.43 грн
50+140.41 грн
100+133.62 грн
200+117.01 грн
500+113.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJCAPSwitchcraft Inc.Description: HI-AMP POWER JACK CAP
Packaging: Bulk
Color: Black
For Use With/Related Products: Power Jack
Accessory Type: Cap (Cover)
на замовлення 39010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.21 грн
10+104.82 грн
25+98.26 грн
50+87.80 грн
100+83.60 грн
300+77.36 грн
500+73.40 грн
1000+69.90 грн
2500+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJCDCV14
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJClamp0502Q
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJCLAMP0504APANJITQFM1.6..
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJCLAMP0504APANJITQFM1.6..
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJCX28631CB1-RF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.