НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PJC138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.12 грн
16+18.71 грн
100+10.61 грн
500+6.60 грн
1000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorPJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+30.38 грн
280+4.18 грн
768+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K-R1-00001PanjitMOSFETs SOT323 N CHAN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 27830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.52 грн
44+6.88 грн
100+4.26 грн
500+2.91 грн
1000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K_R1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 27856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.63 грн
49+6.44 грн
100+3.35 грн
500+2.87 грн
1000+2.53 грн
3000+1.78 грн
6000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.33 грн
6000+2.00 грн
9000+1.87 грн
15000+1.63 грн
21000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K_R2_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L-R1-00001PanjitMOSFETs SOT323 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L_R1_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 15 V
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.97 грн
24+12.80 грн
100+8.59 грн
500+6.20 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L_R2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC16F73-1/SP
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7002H_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7002H_R1_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
10+34.09 грн
13+25.44 грн
100+12.49 грн
1000+6.35 грн
3000+5.53 грн
9000+4.37 грн
24000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7002H_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.90 грн
21+14.72 грн
100+8.00 грн
500+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7201SQUARE D BY SCHNEIDER ELECTRICDescription: SQUARE D BY SCHNEIDER ELECTRIC - PJC7201 - ELECTRIC JOINT COMPOUND, CIRCUIT BREAKER
tariffCode: 34031980
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Behältertyp: Tube
rohsCompliant: NA
Gewicht: 2oz
euEccn: NLR
Volumen: 59.15ml
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2249.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.37 грн
6000+4.10 грн
9000+2.45 грн
15000+2.14 грн
21000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001PanJit SemiconductorPJC7400-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+25.17 грн
171+6.80 грн
470+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 91128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.20 грн
27+11.24 грн
100+5.29 грн
500+4.85 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 32465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.48 грн
29+11.15 грн
100+4.71 грн
500+4.44 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R2_00001PanjitMOSFET /C00/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-30TAMN/NF30TA-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001PanJit SemiconductorPJC7401-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+43.33 грн
177+6.61 грн
486+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
на замовлення 12750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.97 грн
25+11.98 грн
100+7.50 грн
500+5.20 грн
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.26 грн
6000+3.69 грн
9000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7403_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.04 грн
20+15.09 грн
100+10.11 грн
500+7.33 грн
1000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7403_R1_00001PanjitMOSFET /C03/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP/NF20TA-QI01/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7403_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7403_R2_00001PanjitMOSFET /C03/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP/NF20TA-QI01/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 7753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.96 грн
17+17.90 грн
100+11.29 грн
500+7.92 грн
1000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 5672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.22 грн
20+16.33 грн
100+7.37 грн
1000+6.69 грн
3000+5.26 грн
9000+4.57 грн
24000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+36.11 грн
15+21.61 грн
100+13.22 грн
500+9.76 грн
1000+8.48 грн
3000+6.90 грн
6000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+30.09 грн
24+17.34 грн
100+11.01 грн
500+8.14 грн
1000+7.07 грн
3000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.26 грн
6000+3.69 грн
9000+3.48 грн
15000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5.2A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7545 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+27.61 грн
18+17.82 грн
100+10.06 грн
500+7.59 грн
1000+6.90 грн
3000+6.11 грн
6000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5.2A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 7545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+23.01 грн
29+14.30 грн
100+8.38 грн
500+6.33 грн
1000+5.75 грн
3000+5.10 грн
6000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 18475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.97 грн
25+11.98 грн
100+7.50 грн
500+5.20 грн
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 122519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.27 грн
25+12.88 грн
100+7.03 грн
500+5.26 грн
1000+4.64 грн
3000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001PanJitPJC7407_R1_00001
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1643+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 1643
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409-R1-00001PanjitMOSFETs SOT323 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.18 грн
14+23.32 грн
100+12.63 грн
500+8.67 грн
1000+7.37 грн
3000+6.14 грн
6000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.36 грн
32+9.32 грн
100+5.76 грн
500+3.96 грн
1000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410-R1-00001PanjitMOSFETs SOT323 N CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.75 грн
32+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.83 грн
17+19.08 грн
100+9.01 грн
500+8.33 грн
1000+7.37 грн
3000+5.39 грн
6000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410_R2_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7412_R1_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7412_R2_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 8217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.83 грн
37+8.14 грн
100+5.04 грн
500+3.46 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001PanJit SemiconductorPJC7428-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
16+21.00 грн
213+5.51 грн
584+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438-R1-00001PanjitMOSFET SOT-323/MOS/SOT/NFET-50TAMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R1_00001PanjitMOSFETs 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.58 грн
16+20.26 грн
100+8.40 грн
1000+7.03 грн
3000+5.33 грн
9000+4.78 грн
24000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 3233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.19 грн
18+17.38 грн
100+10.99 грн
500+7.71 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R2_00001PanjitMOSFET 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.91 грн
6000+2.66 грн
9000+2.50 грн
15000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorPJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+21.77 грн
319+3.67 грн
877+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.13 грн
32+9.54 грн
100+5.95 грн
500+4.09 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439_R1_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.54 грн
15+21.83 грн
100+11.81 грн
500+8.19 грн
1000+6.96 грн
3000+5.87 грн
6000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 5806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.72 грн
17+18.42 грн
100+11.65 грн
500+8.18 грн
1000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439_R2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7472B_R1_00001PanjitMOSFET /C2B/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-60TAMN/NF60TA-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
13+23.82 грн
100+14.86 грн
500+9.54 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001PanJit SemiconductorPJC7476-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+40.36 грн
147+7.99 грн
403+7.59 грн
9000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001PanjitMOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.86 грн
14+23.56 грн
100+12.77 грн
1000+6.90 грн
3000+5.94 грн
9000+5.12 грн
24000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJCAPSwitchcraftDC Power Connectors HI-AMPERAGE POWER JA
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.24 грн
10+157.03 грн
20+129.72 грн
50+126.99 грн
100+120.85 грн
200+105.83 грн
500+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJCAPSwitchcraft Inc.Description: HI-AMP POWER JACK CAP
Packaging: Bulk
Color: Black
For Use With/Related Products: Power Jack
Accessory Type: Cap (Cover)
на замовлення 38958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.13 грн
10+99.93 грн
25+93.64 грн
50+83.70 грн
100+79.69 грн
300+73.74 грн
500+69.96 грн
1000+66.63 грн
2500+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJCDCV14
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJClamp0502Q
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJCLAMP0504APANJITQFM1.6..
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJCLAMP0504APANJITQFM1.6..
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJCX28631CB1-RF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.