Продукція > PJC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJC138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC138K-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 236mW
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.45 грн
85+ 4.09 грн
250+ 3.68 грн
280+ 2.89 грн
770+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 70
PJC138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.49 грн
16+ 17.55 грн
100+ 9.95 грн
500+ 6.19 грн
1000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJC138K-AU_R1_000A1PanjitMOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товар відсутній
PJC138K-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 236mW
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
45+6.54 грн
55+ 5.09 грн
250+ 4.41 грн
280+ 3.46 грн
770+ 3.28 грн
9000+ 3.27 грн
Мінімальне замовлення: 45
PJC138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.41 грн
6000+ 2.15 грн
9000+ 1.78 грн
30000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC138K_R1_00001PanjitMOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 140321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.15 грн
29+ 10.57 грн
100+ 3.73 грн
1000+ 2.6 грн
3000+ 2.06 грн
9000+ 1.6 грн
45000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 21
PJC138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 44012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+13.69 грн
30+ 9.5 грн
100+ 4.61 грн
500+ 3.61 грн
1000+ 2.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
PJC138K_R2_00001PanjitMOSFET 8KW/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-50TAMN/NF50TA-QI01/PJ///
товар відсутній
PJC138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.86 грн
12+ 24.28 грн
100+ 13.75 грн
500+ 8.54 грн
1000+ 6.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJC138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJC138L_R1_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJC138L_R2_00001PanjitMOSFET /C8L/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-60TAMN/NF60TA-QI01/PJ///
товар відсутній
PJC16F73-1/SP
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJC7002H_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+15.85 грн
21+ 13.8 грн
100+ 7.5 грн
500+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 19
PJC7002H_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
товар відсутній
PJC7002H_R1_00001PanjitMOSFET /C2H/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-60TAMN/NF60TA-QI04/PJ///
товар відсутній
PJC7201SQUARE D BY SCHNEIDER ELECTRICDescription: SQUARE D BY SCHNEIDER ELECTRIC - PJC7201 - ELECTRIC JOINT COMPOUND, CIRCUIT BREAKER
tariffCode: 34031980
productTraceability: No
Behältertyp: Tube
rohsCompliant: NA
Gewicht: 2oz
euEccn: NLR
Volumen: 59.15ml
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1983.4 грн
10+ 1884.04 грн
25+ 1845.94 грн
PJC7400_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.11Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 7.6A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.46 грн
55+ 6.38 грн
100+ 5.76 грн
175+ 4.72 грн
475+ 4.44 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJC7400_R1_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.52 грн
12+ 26.88 грн
100+ 14.58 грн
500+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJC7400_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 184204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.53 грн
14+ 19.91 грн
100+ 10.04 грн
500+ 8.35 грн
1000+ 6.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7400_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.43 грн
6000+ 6.06 грн
9000+ 5.37 грн
30000+ 4.97 грн
75000+ 4.22 грн
150000+ 4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7400_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.11Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 7.6A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.55 грн
35+ 7.95 грн
100+ 6.91 грн
175+ 5.66 грн
475+ 5.33 грн
9000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJC7400_R2_00001PanjitMOSFET /C00/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-30TAMN/NF30TA-QI02/PJ///
товар відсутній
PJC7401_R1_00001PanjitMOSFET /C01/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-30TAMP/NF30TA-QI01/PJ///
товар відсутній
PJC7401_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.18Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -6A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.55 грн
35+ 7.95 грн
100+ 6.91 грн
170+ 5.74 грн
470+ 5.41 грн
9000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJC7401_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
на замовлення 31458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.09 грн
15+ 19.15 грн
100+ 9.67 грн
500+ 8.04 грн
1000+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJC7401_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.18Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -6A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.46 грн
55+ 6.38 грн
100+ 5.76 грн
170+ 4.79 грн
470+ 4.51 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJC7401_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.2 грн
6000+ 5.84 грн
9000+ 5.17 грн
30000+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7401_R2_00001PanjitMOSFET C01/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-30TAMP/NF30TA-QI01/PJ///
товар відсутній
PJC7403_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJC7403_R1_00001PanjitMOSFET /C03/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP/NF20TA-QI01/PJ///
товар відсутній
PJC7403_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.42 грн
12+ 23.24 грн
100+ 14.46 грн
500+ 9.29 грн
1000+ 7.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJC7403_R2_00001PanjitMOSFET /C03/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP/NF20TA-QI01/PJ///
товар відсутній
PJC7404_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.37 грн
35+ 7.61 грн
100+ 6.66 грн
180+ 5.41 грн
495+ 5.08 грн
9000+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJC7404_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.31 грн
60+ 6.1 грн
100+ 5.55 грн
180+ 4.51 грн
495+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJC7404_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.45 грн
6000+ 6.07 грн
9000+ 5.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7404_R1_00001PanjitMOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.08 грн
15+ 21.6 грн
100+ 8.39 грн
1000+ 6.59 грн
3000+ 5.73 грн
9000+ 4.99 грн
24000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7404_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 26442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.53 грн
14+ 19.91 грн
100+ 10.06 грн
500+ 8.37 грн
1000+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7407_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 37266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.81 грн
15+ 19.42 грн
100+ 9.79 грн
500+ 8.15 грн
1000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7407_R1_00001PanjitMOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 156673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.08 грн
15+ 21.6 грн
100+ 8.39 грн
1000+ 6.59 грн
3000+ 5.73 грн
9000+ 4.99 грн
24000+ 4.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7407_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.28 грн
6000+ 5.91 грн
9000+ 5.23 грн
30000+ 4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7407_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Mounting: SMD
Case: SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.37 грн
35+ 7.43 грн
100+ 6.41 грн
185+ 5.24 грн
500+ 4.99 грн
9000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJC7407_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Mounting: SMD
Case: SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.31 грн
60+ 5.97 грн
100+ 5.34 грн
185+ 4.37 грн
500+ 4.16 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJC7407_R2_00001PanjitMOSFET C07/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP/NF20TA-QI03/PJ///
товар відсутній
PJC7409-R1-00001PanjitMOSFET SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP
товар відсутній
PJC7409-R2-00001PanjitMOSFET
товар відсутній
PJC7409_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 5486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.26 грн
14+ 20.74 грн
100+ 10.47 грн
500+ 8.71 грн
1000+ 6.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7409_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7409_R1_00001PanjitMOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.25 грн
13+ 24.58 грн
100+ 13.32 грн
1000+ 7.19 грн
3000+ 6.06 грн
9000+ 5.39 грн
24000+ 4.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7409_R2_00001PanjitMOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJC7410-R1-00001PanjitMOSFET SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMN
товар відсутній
PJC7410-R2-00001PanjitMOSFET
товар відсутній
PJC7410_R1_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.25 грн
14+ 23.05 грн
100+ 8.99 грн
1000+ 6.99 грн
3000+ 6.06 грн
9000+ 5.39 грн
24000+ 4.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7410_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.26 грн
14+ 20.74 грн
100+ 10.47 грн
500+ 8.71 грн
1000+ 6.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7410_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
товар відсутній
PJC7410_R2_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJC7412_R1_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товар відсутній
PJC7412_R2_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товар відсутній
PJC7428_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7428_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PJC7428_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJC7428_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 19884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.53 грн
14+ 20.95 грн
100+ 11.88 грн
500+ 7.38 грн
1000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7438-R1-00001PanjitMOSFET SOT-323/MOS/SOT/NFET-50TAMN
товар відсутній
PJC7438-R2-00001PanjitMOSFET
товар відсутній
PJC7438_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7438_R1_00001PanjitMOSFET 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.08 грн
15+ 21.6 грн
100+ 8.39 грн
1000+ 6.59 грн
3000+ 5.79 грн
9000+ 4.99 грн
24000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7438_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.81 грн
15+ 19.42 грн
100+ 9.79 грн
500+ 8.15 грн
1000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7438_R2_00001PanjitMOSFET 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товар відсутній
PJC7439-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.05 грн
18+ 15.75 грн
100+ 7.94 грн
500+ 6.08 грн
1000+ 4.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
PJC7439-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.2 грн
6000+ 3.87 грн
9000+ 3.35 грн
30000+ 3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7439-AU_R1_000A1PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJC7439-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -250mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
45+6.28 грн
65+ 4.24 грн
250+ 3.68 грн
320+ 3.02 грн
880+ 2.86 грн
9000+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 45
PJC7439-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -250mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.23 грн
105+ 3.4 грн
250+ 3.07 грн
320+ 2.52 грн
880+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 75
PJC7439_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 5826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.81 грн
15+ 19.42 грн
100+ 9.79 грн
500+ 8.15 грн
1000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7439_R1_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.08 грн
14+ 22.97 грн
100+ 12.45 грн
1000+ 6.73 грн
3000+ 5.79 грн
9000+ 4.99 грн
24000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7439_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7472B_R1_00001PanjitMOSFET /C2B/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-60TAMN/NF60TA-QI02/PJ///
товар відсутній
PJC7476_R1_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.26 грн
13+ 22.34 грн
100+ 13.94 грн
500+ 8.95 грн
1000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7476_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PJC7476_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJC7476_R1_00001PanjitMOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.08 грн
14+ 22.97 грн
100+ 12.45 грн
1000+ 6.73 грн
3000+ 5.79 грн
9000+ 4.99 грн
24000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7476_R1_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товар відсутній
PJCAPSwitchcraft Inc.Description: HI-AMP POWER JACK CAP
Packaging: Bulk
Color: Black
For Use With/Related Products: Power Jack
Accessory Type: Cap (Cover)
на замовлення 40112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.42 грн
10+ 98.29 грн
25+ 94.15 грн
50+ 86.39 грн
100+ 82.45 грн
300+ 74.6 грн
500+ 68 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJCAPSwitchcraftDC Power Connectors HI-AMPERAGE POWER JA
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.07 грн
10+ 114.87 грн
100+ 88.57 грн
200+ 82.58 грн
500+ 73.92 грн
1000+ 71.92 грн
5000+ 71.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJCDCV14
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJClamp0502Q
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJCLAMP0504APANJITQFM1.6..
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJCLAMP0504APANJITQFM1.6..
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJCX28631CB1-RF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)