НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJX-2 (25 Ft)Global IndustrialDescription: 25' INSTALLATION KIT FOR SPLIT S
Part Status: Active
Type: Installation Kit
Packaging: Box
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8544.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU-R1-000A1PanjitMOSFETs SOT563 N CHAN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-R1-00001PanjitMOSFETs SOT563 N CHAN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-S1-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 20029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.22 грн
36+9.05 грн
100+4.90 грн
500+3.59 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.11 грн
48+8.73 грн
83+5.05 грн
100+4.54 грн
250+4.31 грн
500+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00002PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R2_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_S1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L-R1-00001PanjitMOSFETs SOT563 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
10+31.11 грн
100+19.35 грн
500+12.43 грн
1000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L_R1_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L_R2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8601_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT563
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, 1V @ 250µA
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
15+21.16 грн
100+13.44 грн
500+9.46 грн
1000+8.44 грн
2000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8601_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8601_R1_00001PanjitMOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.41 грн
28+11.59 грн
100+6.28 грн
500+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8601_R2_00001PanjitMOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 50V/60V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.14 грн
8000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001PanjitMOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.15 грн
24+13.58 грн
100+7.39 грн
500+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.95/1.1nC
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.37 грн
33+12.71 грн
100+8.89 грн
500+7.15 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 50V/60V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 15747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
13+23.56 грн
100+14.95 грн
500+10.55 грн
1000+9.43 грн
2000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R2_00001PanjitMOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8802_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8802_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
13+23.86 грн
100+15.21 грн
500+10.74 грн
1000+9.60 грн
2000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8803_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.61 грн
16+20.32 грн
100+9.25 грн
1000+7.59 грн
4000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8803_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8803_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
13+23.86 грн
100+15.21 грн
500+10.74 грн
1000+9.48 грн
2000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8804_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.6A SOT563
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 600mA, 4,5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8804_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.6A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 600mA, 4,5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8805_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.5A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8805_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.5A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8805_R1_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8805_R2_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8806_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
13+23.86 грн
100+15.21 грн
500+10.74 грн
1000+9.60 грн
2000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8806_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.66 грн
8000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8807_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.72 грн
8000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8807_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8808_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8808_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
13+23.86 грн
100+15.21 грн
500+10.74 грн
1000+9.60 грн
2000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8812_R1_00001PanjitMOSFET /X12/TR/7"/HF/4K/SOT-563/MOS/SOT/NFET-30TEMN/NF30TE-QI03/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8812_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8812_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8812_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 300mA; SOT563
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain current: 0.3A
Gate-source voltage: 10V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8812_R2_00001PanjitMOSFET /X12/TR/13"/HF/10K/SOT-563/MOS/SOT/NFET-30TEMN/NF30TE-QI03/PJ///
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 300mA; SOT563
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain current: 0.3A
Gate-source voltage: 10V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828-R1-00001PanjitMOSFET SOT-563/MOS/SOT/NFET-30TEMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 300mA; SOT563
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain current: 0.3A
Gate-source voltage: 10V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
17+18.17 грн
100+11.46 грн
500+8.02 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828_R1_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828_R2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838-R1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838-R1-00002PanjitMOSFET SOT-563/MOS/SOT/NFET-50TEMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 7665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
16+19.67 грн
100+12.43 грн
500+8.72 грн
1000+7.76 грн
2000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838_R1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected
на замовлення 5686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.26 грн
16+20.16 грн
100+11.11 грн
500+8.28 грн
1000+7.46 грн
2000+6.63 грн
4000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838_R1_00002PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 6615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
10+32.47 грн
100+17.88 грн
500+11.05 грн
1000+8.22 грн
2500+7.25 грн
5000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838_R2_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.2A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R1_00001PanjitMOSFET /X39/TR/7"/HF/4K/SOT-563/MOS/SOT/NFET-60TEMP/NF60TE-QI03/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Polarisation: unipolar
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.2A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R2_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B-R1-00001PanjitMOSFETs SOT563 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B_R1_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.74 грн
100+7.32 грн
500+5.06 грн
1000+4.48 грн
2000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B_R2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJXL403212L3PTHammond ManufacturingWall Mounted Panel Enclosures NON MET WALLMT 40X32X12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJXL403212L3PTHammond ManufacturingDescription: Tools/Equipment/Hardware
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 32.200" L x 13.380" W (817.88mm x 339.85mm)
Height: 40.709" (1034.00mm)
Design: Hinged Door
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 431in² (2780cm²)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJXL403212L3PTWHammond ManufacturingDescription: Tools/Equipment/Hardware
Packaging: Bulk
Color: White
Size / Dimension: 32.210" L x 11.880" W (818.13mm x 301.75mm)
Height: 40.709" (1034.00mm)
Design: Hinged Door
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 383in² (2469cm²)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.