Продукція > PJX

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PJX-2 (25 Ft)Global IndustrialDescription: 25' INSTALLATION KIT FOR SPLIT S
Packaging: Box
Type: Installation Kit
Part Status: Active
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9217.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU-R1-000A1PanjitMOSFETs SOT563 N CHAN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-R1-00001PanjitMOSFETs SOT563 N CHAN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-S1-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 28247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.78 грн
25+14.34 грн
100+6.43 грн
500+6.04 грн
1000+5.58 грн
2000+5.50 грн
4000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.89 грн
23+13.67 грн
100+7.50 грн
500+5.69 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.25 грн
37+10.97 грн
100+6.25 грн
500+4.74 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00002PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R2_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_S1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L-R1-00001PanjitMOSFETs SOT563 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.08 грн
10+33.56 грн
100+20.88 грн
500+13.40 грн
1000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L_R1_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L_R1_00002PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 223W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.8A
Drain current: 0.16A
Gate charge: 0.7nC
Power dissipation: 223W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT563
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L_R2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8601_R1_00001PanjitMOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.85 грн
16+23.16 грн
100+13.01 грн
500+9.68 грн
1000+8.60 грн
2000+7.74 грн
4000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8601_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.54 грн
15+22.83 грн
100+14.50 грн
500+10.21 грн
1000+9.11 грн
2000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8601_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8601_R2_00001PanjitMOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.95/1.1nC
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.72 грн
33+12.34 грн
100+8.63 грн
500+6.94 грн
1000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 50V/60V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.70 грн
8000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.95/1.1nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.06 грн
20+15.38 грн
100+10.36 грн
500+8.33 грн
1000+7.65 грн
2000+7.16 грн
4000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001PanjitMOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.91 грн
14+26.45 грн
100+14.64 грн
500+11.00 грн
1000+9.84 грн
2000+8.83 грн
4000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 50V/60V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 15747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.73 грн
13+25.41 грн
100+16.13 грн
500+11.39 грн
1000+10.17 грн
2000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R2_00001PanjitMOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8802_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8802_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.73 грн
13+25.74 грн
100+16.41 грн
500+11.59 грн
1000+10.36 грн
2000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8803_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.38 грн
13+25.74 грн
100+16.41 грн
500+11.59 грн
1000+10.23 грн
2000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8803_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.34 грн
16+22.80 грн
100+10.38 грн
1000+8.52 грн
4000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8803_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8804_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.6A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 600mA, 4,5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8804_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.6A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 600mA, 4,5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8805_R1_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8805_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8805_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8805_R2_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8806_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.35 грн
8000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8806_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 9145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.73 грн
13+25.74 грн
100+16.41 грн
500+11.59 грн
1000+10.36 грн
2000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8807_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.33 грн
8000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8807_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8808_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.73 грн
13+25.74 грн
100+16.41 грн
500+11.59 грн
1000+10.36 грн
2000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8808_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8812_R1_00001PanjitMOSFET /X12/TR/7"/HF/4K/SOT-563/MOS/SOT/NFET-30TEMN/NF30TE-QI03/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8812_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8812_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8812_R2_00001PanjitMOSFET /X12/TR/13"/HF/10K/SOT-563/MOS/SOT/NFET-30TEMN/NF30TE-QI03/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828-R1-00001PanjitMOSFET SOT-563/MOS/SOT/NFET-30TEMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828_R1_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.51 грн
17+19.60 грн
100+12.36 грн
500+8.65 грн
1000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828_R2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838-R1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838-R1-00002PanjitMOSFET SOT-563/MOS/SOT/NFET-50TEMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 7665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.03 грн
16+21.22 грн
100+13.41 грн
500+9.40 грн
1000+8.38 грн
2000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838_R1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.97 грн
17+21.11 грн
100+11.69 грн
500+8.75 грн
1000+7.74 грн
2000+6.82 грн
4000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838_R1_00002PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 6847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.78 грн
15+24.76 грн
100+13.40 грн
500+9.29 грн
1000+7.82 грн
2500+6.97 грн
5000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8838_R2_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.2A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R1_00001PanjitMOSFET /X39/TR/7"/HF/4K/SOT-563/MOS/SOT/NFET-60TEMP/NF60TE-QI03/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.2A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R2_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B-R1-00001PanjitMOSFETs SOT563 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B-R2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B_R1_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.67 грн
17+19.12 грн
100+12.05 грн
500+8.46 грн
1000+7.53 грн
2000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B_R2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJXL403212L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures NON MET WALLMT 40X32X12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJXL403212L3PTHammond ManufacturingDescription: Tools/Equipment/Hardware
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 32.200" L x 13.380" W (817.88mm x 339.85mm)
Height: 40.709" (1034.00mm)
Design: Hinged Door
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 431in² (2780cm²)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJXL403212L3PTWHammond ManufacturingDescription: Tools/Equipment/Hardware
Packaging: Bulk
Color: White
Size / Dimension: 32.210" L x 11.880" W (818.13mm x 301.75mm)
Height: 40.709" (1034.00mm)
Design: Hinged Door
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 383in² (2469cm²)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.