Продукція > PXN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PXN010-30QLJNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 10.3A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.26 грн
26+33.78 грн
100+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 264A; 4.3W; MLPAK33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 4.3W
Case: MLPAK33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.32 грн
20+18.14 грн
100+13.58 грн
250+12.60 грн
500+11.92 грн
1000+11.47 грн
3000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.94 грн
18+18.00 грн
25+16.00 грн
100+12.97 грн
250+11.99 грн
500+11.40 грн
1000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 264A; 4.3W; MLPAK33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 4.3W
Case: MLPAK33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.42 грн
6000+10.69 грн
9000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 11 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.23 грн
10+48.60 грн
100+27.54 грн
500+21.28 грн
1000+19.77 грн
3000+16.68 грн
6000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.98 грн
44+19.30 грн
100+19.22 грн
500+17.76 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, LOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+17.76 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, LOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.53 грн
10+38.52 грн
100+26.68 грн
500+21.82 грн
1000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.98 грн
44+19.30 грн
100+19.22 грн
500+17.76 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 11 mOhm, standard level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.39 грн
10+41.57 грн
100+25.05 грн
500+20.90 грн
1000+19.47 грн
3000+16.53 грн
6000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.98 грн
44+19.30 грн
100+19.22 грн
500+17.76 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.90 грн
10+37.65 грн
100+26.10 грн
500+20.46 грн
1000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 12 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 9066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.01 грн
10+41.39 грн
100+24.15 грн
500+19.17 грн
1000+17.05 грн
3000+14.56 грн
6000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.69 грн
50+17.10 грн
100+17.01 грн
500+15.72 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNEXPERIANChannel 100V, 12 mOhm, logic Level Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.69 грн
50+17.10 грн
100+17.01 грн
500+15.72 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.69 грн
50+17.10 грн
100+17.01 грн
500+15.72 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.53 грн
10+38.36 грн
100+26.68 грн
500+19.55 грн
1000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNEXPERIANChannel 100V, 12 mOhm, Standard Level Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.69 грн
50+17.10 грн
100+17.01 грн
500+15.72 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNexperiaMOSFETs PXN012-100QS/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 4783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.75 грн
10+38.44 грн
100+22.86 грн
500+18.04 грн
1000+16.45 грн
3000+14.34 грн
6000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+21.25 грн
50+19.13 грн
100+17.01 грн
500+14.31 грн
1500+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperia USA Inc.Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
на замовлення 6740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.12 грн
18+17.76 грн
25+15.82 грн
100+12.81 грн
250+11.84 грн
500+11.25 грн
1000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperiaMOSFETs PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 45040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.78 грн
19+19.18 грн
100+13.36 грн
500+12.68 грн
1000+12.22 грн
3000+10.72 грн
6000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperia USA Inc.Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.25 грн
6000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2891+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 2891
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 42A T/R
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.01 грн
500+14.31 грн
1500+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN014-100QEJNexperiaMOSFETs 100 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN014-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 14 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.01 грн
12+30.55 грн
100+16.98 грн
500+13.05 грн
1000+11.85 грн
3000+10.04 грн
6000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.48 грн
500+20.04 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.52 грн
20+17.53 грн
100+13.13 грн
250+12.15 грн
500+11.55 грн
1000+11.09 грн
3000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.17 грн
25+34.28 грн
100+25.48 грн
500+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.12 грн
19+17.29 грн
25+15.41 грн
100+12.47 грн
250+11.53 грн
500+10.96 грн
1000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.61 грн
500+12.89 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.98 грн
32+26.50 грн
100+17.61 грн
500+12.89 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.86 грн
21+15.17 грн
25+13.49 грн
100+10.90 грн
250+10.06 грн
500+9.56 грн
1000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 30V 11.3A
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+25.00 грн
23+15.19 грн
100+10.49 грн
500+9.96 грн
1000+9.51 грн
3000+8.98 грн
6000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 20 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A
Power Dissipation (Max): 37W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.54 грн
6000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN020-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.02 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.86 грн
19+46.47 грн
100+24.55 грн
500+17.69 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNexperiaMOSFETs PXN020-100QS/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.54 грн
13+28.46 грн
100+17.28 грн
500+13.51 грн
1000+10.94 грн
3000+9.73 грн
6000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNEXPERIANChannel 100V, 20 mOhm, Standard Level Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN020-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.02 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.86 грн
19+46.47 грн
100+24.55 грн
500+17.69 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 20 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A
Power Dissipation (Max): 37W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
на замовлення 6259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.87 грн
10+32.23 грн
100+20.70 грн
500+14.75 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.72 грн
22+39.45 грн
100+20.82 грн
500+15.01 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 28 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.79 грн
12+29.85 грн
100+12.60 грн
1000+10.94 грн
3000+7.77 грн
6000+7.40 грн
9000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 28 MOHM, LOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 30W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.16 грн
11+28.77 грн
100+18.40 грн
500+13.06 грн
1000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNEXPERIANChannel 100V, 28 mOhm, logic Level Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 28 MOHM, LOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 30W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.72 грн
22+39.45 грн
100+20.82 грн
500+15.01 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN040-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.04 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.02 грн
29+29.80 грн
100+15.75 грн
500+11.32 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Power Dissipation (Max): 21W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.00 грн
14+23.42 грн
100+14.91 грн
500+10.50 грн
1000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Power Dissipation (Max): 21W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNexperiaMOSFETs PXN040-100QS/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 10354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.03 грн
14+24.82 грн
100+10.49 грн
1000+9.36 грн
3000+7.62 грн
9000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN040-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.04 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.02 грн
29+29.80 грн
100+15.75 грн
500+11.32 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNEXPERIANChannel 100V, 40 mOhm, Standard Level Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01ELantronixSerial to Ethernet/Serial to Wi-Fi Server IEEE 802.11 a/b/g/n 10Mbps/100Mbps
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01ELantronix, Inc.Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01JLantronix, Inc.Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01ULantronix, Inc.Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01ULantronixNetworking Modules PremierWaveXN 802.11 Device Server US
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN2R8-100RLJNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 2.8 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK56
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.73 грн
10+141.45 грн
100+88.29 грн
500+73.95 грн
1000+68.82 грн
3000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PXN2R9-100RSJNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 2.9 mOhm, standard level Trench MOSFET in MLPAK56
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.73 грн
10+141.45 грн
100+88.29 грн
500+73.95 грн
1000+68.82 грн
3000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PXN2R9-100RSJNexperia USA Inc.Description: PXN2R9-100RS/SOT8038/MLPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4892 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 15A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.99 грн
10+35.41 грн
100+26.26 грн
500+20.90 грн
1000+18.71 грн
3000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.76 грн
6000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0039 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.92 грн
24+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 13941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.55 грн
11+31.21 грн
100+26.64 грн
500+19.90 грн
1000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0039 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R8-30QLJNexperiaMOSFET PXN4R8-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.99 грн
10+52.68 грн
100+35.32 грн
500+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.78 грн
23+38.01 грн
100+23.53 грн
500+18.16 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 30V 14A
на замовлення 5353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.86 грн
12+29.59 грн
100+17.88 грн
500+17.13 грн
3000+13.96 грн
9000+13.73 грн
24000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.53 грн
500+18.16 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 14A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 32449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.28 грн
11+28.77 грн
100+19.94 грн
500+15.65 грн
1000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R5-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 0.0054 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.45 грн
21+41.31 грн
100+22.26 грн
500+17.76 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R5-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 0.0054 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.26 грн
500+17.76 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R5-30QLJNexperiaMOSFET PXN5R5-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.67 грн
10+44.60 грн
100+29.81 грн
500+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R7-60QLAJNexperiaMOSFETs 25 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.79 грн
10+47.56 грн
100+28.22 грн
500+23.62 грн
1000+20.07 грн
3000+18.19 грн
6000+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNEXPERIATrans MOSFET N-CH 25V 13.1A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 0.0053 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.82 грн
26+33.44 грн
100+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.18 грн
12+26.33 грн
25+23.49 грн
100+19.17 грн
250+17.79 грн
500+16.96 грн
1000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 0.0053 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNexperiaMOSFET PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.58 грн
10+46.60 грн
100+30.18 грн
500+23.77 грн
1000+18.34 грн
3000+16.68 грн
6000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 6.2 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.71 грн
10+46.43 грн
100+26.26 грн
500+20.22 грн
1000+18.79 грн
3000+16.00 грн
6000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.85 грн
35+24.29 грн
100+23.45 грн
500+20.75 грн
1000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 6.8 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.47 грн
15+23.69 грн
250+19.85 грн
500+18.94 грн
1000+17.05 грн
3000+14.26 грн
6000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.45 грн
500+20.75 грн
1000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.65 грн
15+22.17 грн
25+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.41 грн
500+12.11 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 7.7 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.80 грн
37+23.03 грн
100+15.41 грн
500+12.11 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.28 грн
14+23.03 грн
25+20.53 грн
100+16.70 грн
250+15.48 грн
500+14.74 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-60QLAJNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.65 грн
15+22.01 грн
25+19.59 грн
100+15.92 грн
250+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.79 грн
21+40.89 грн
100+30.39 грн
500+23.90 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.39 грн
500+23.90 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNexperiaMOSFETs PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.40 грн
11+34.54 грн
100+22.34 грн
500+18.49 грн
1000+14.87 грн
3000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.12 грн
500+22.87 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 30V 11.4A
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.28 грн
19+18.66 грн
100+12.98 грн
500+12.30 грн
1000+11.85 грн
3000+11.17 грн
6000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.10 грн
22+39.19 грн
100+29.12 грн
500+22.87 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.57 грн
17+19.26 грн
25+17.17 грн
100+13.92 грн
250+12.89 грн
500+12.26 грн
1000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.