Продукція > PXN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PXN010-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.27 грн
26+33.79 грн
100+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 6568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.66 грн
15+21.94 грн
50+18.05 грн
100+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 10.3A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 30V 10.3A
на замовлення 4637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.01 грн
20+17.36 грн
100+12.00 грн
500+11.55 грн
6000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.93 грн
6000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, LOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 56A N-CH TRENCH
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.74 грн
10+46.45 грн
100+26.35 грн
500+24.23 грн
3000+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+17.77 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, LOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.55 грн
10+38.53 грн
100+26.69 грн
500+21.83 грн
1000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.99 грн
44+19.31 грн
100+19.22 грн
500+17.77 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.99 грн
44+19.31 грн
100+19.22 грн
500+17.77 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.99 грн
44+19.31 грн
100+19.22 грн
500+17.77 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 56A N-CH TRENCH
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.74 грн
10+46.45 грн
100+26.35 грн
500+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.91 грн
10+37.67 грн
100+26.11 грн
500+20.47 грн
1000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 11 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.01 грн
11+33.86 грн
100+19.33 грн
500+15.17 грн
1000+13.36 грн
3000+11.32 грн
6000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, LOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 4327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.69 грн
10+38.14 грн
100+24.74 грн
500+17.82 грн
1000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNEXPERIANChannel 100V, 12 mOhm, logic Level Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.70 грн
50+17.11 грн
100+17.02 грн
500+15.73 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, LOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.70 грн
50+17.11 грн
100+17.02 грн
500+15.73 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 50A N-CH TRENCH
на замовлення 8415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.10 грн
10+40.37 грн
100+23.55 грн
500+18.34 грн
1000+16.53 грн
3000+13.59 грн
6000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.55 грн
10+38.37 грн
100+26.69 грн
500+19.56 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.70 грн
50+17.11 грн
100+17.02 грн
500+15.73 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNexperiaMOSFETs PXN012-100QS/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 4783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.77 грн
10+38.46 грн
100+22.87 грн
500+18.04 грн
1000+16.46 грн
3000+14.34 грн
6000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNEXPERIANChannel 100V, 12 mOhm, Standard Level Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.70 грн
50+17.11 грн
100+17.02 грн
500+15.73 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+21.26 грн
50+19.14 грн
100+17.02 грн
500+14.31 грн
1500+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperiaMOSFETs PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 45040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.79 грн
19+19.19 грн
100+13.36 грн
500+12.68 грн
1000+12.23 грн
3000+10.72 грн
6000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 42A T/R
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperia USA Inc.Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
на замовлення 6740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.13 грн
18+17.77 грн
25+15.82 грн
100+12.81 грн
250+11.84 грн
500+11.25 грн
1000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2891+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 2891
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.02 грн
500+14.31 грн
1500+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperia USA Inc.Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.26 грн
6000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN014-100QEJNexperiaMOSFETs 100 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN014-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 14 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.02 грн
12+30.56 грн
100+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.19 грн
25+34.30 грн
100+25.49 грн
500+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 3631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.76 грн
17+18.72 грн
25+16.61 грн
100+13.44 грн
250+12.42 грн
500+11.81 грн
1000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.49 грн
500+20.05 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNexperiaMOSFETs PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.30 грн
21+16.75 грн
100+11.63 грн
500+11.02 грн
1000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.61 грн
500+12.90 грн
1000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.99 грн
32+26.51 грн
100+17.61 грн
500+12.90 грн
1000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 30V 11.3A
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+25.01 грн
23+15.19 грн
100+10.49 грн
500+9.96 грн
1000+9.51 грн
3000+8.98 грн
6000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.86 грн
21+15.18 грн
25+13.49 грн
100+10.91 грн
250+10.07 грн
500+9.56 грн
1000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNEXPERIANChannel 100V, 20 mOhm, Standard Level Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 31A N-CH TRENCH
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.23 грн
11+32.12 грн
100+17.89 грн
500+13.66 грн
1000+12.30 грн
3000+10.42 грн
6000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN020-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.02 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.89 грн
19+46.49 грн
100+24.56 грн
500+17.69 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 20 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A
Power Dissipation (Max): 37W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.54 грн
6000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN020-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.02 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.89 грн
19+46.49 грн
100+24.56 грн
500+17.69 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 20 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A
Power Dissipation (Max): 37W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
на замовлення 6259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.90 грн
10+32.24 грн
100+20.70 грн
500+14.76 грн
1000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 28 MOHM, LOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 30W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.18 грн
11+28.78 грн
100+18.41 грн
500+13.06 грн
1000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.74 грн
22+39.46 грн
100+20.83 грн
500+15.02 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 28 MOHM, LOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 30W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNEXPERIANChannel 100V, 28 mOhm, logic Level Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 28 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.80 грн
12+29.86 грн
100+12.61 грн
1000+10.95 грн
3000+7.78 грн
6000+7.40 грн
9000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.74 грн
22+39.46 грн
100+20.83 грн
500+15.02 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN040-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.04 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.04 грн
29+29.81 грн
100+15.75 грн
500+11.32 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNEXPERIANChannel 100V, 40 mOhm, Standard Level Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNexperiaMOSFETs PXN040-100QS/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 10354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.04 грн
14+24.83 грн
100+10.49 грн
1000+9.36 грн
3000+7.62 грн
9000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Power Dissipation (Max): 21W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.01 грн
14+23.43 грн
100+14.92 грн
500+10.51 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN040-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.04 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.04 грн
29+29.81 грн
100+15.75 грн
500+11.32 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Power Dissipation (Max): 21W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01ELantronixSerial to Ethernet/Serial to Wi-Fi Server IEEE 802.11 a/b/g/n 10Mbps/100Mbps
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01ELantronix, Inc.Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01JLantronix, Inc.Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01ULantronix, Inc.Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01ULantronixNetworking Modules PremierWaveXN 802.11 Device Server US
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN2R8-100RLJNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 2.8 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK56
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.82 грн
10+141.51 грн
3000+123.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PXN2R9-100RSJNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 2.9 mOhm, standard level Trench MOSFET in MLPAK56
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.82 грн
10+141.51 грн
100+95.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PXN2R9-100RSJNexperia USA Inc.Description: PXN2R9-100RS/SOT8038/MLPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4892 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.60 грн
24+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.71 грн
6000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 15A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 30V 15A
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.16 грн
11+33.86 грн
100+25.14 грн
500+20.00 грн
1000+17.89 грн
3000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 13734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.46 грн
10+55.28 грн
50+40.80 грн
100+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R8-30QLJNexperiaMOSFET PXN4R8-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.03 грн
10+52.70 грн
100+35.33 грн
500+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.80 грн
23+38.02 грн
100+23.54 грн
500+18.16 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 14A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 32449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.30 грн
11+28.78 грн
100+19.95 грн
500+15.66 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.54 грн
500+18.16 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 30V 14A
на замовлення 5353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.88 грн
12+29.60 грн
100+17.89 грн
500+17.14 грн
3000+13.97 грн
9000+13.74 грн
24000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R5-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.57 грн
20+43.02 грн
100+27.69 грн
500+18.32 грн
1000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R5-30QLJNexperiaMOSFET PXN5R5-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.70 грн
10+44.62 грн
100+29.82 грн
500+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R5-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.69 грн
500+18.32 грн
1000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R7-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 5.7 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.32 грн
10+50.96 грн
100+28.91 грн
500+22.27 грн
1000+20.68 грн
3000+17.51 грн
6000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 0.0053 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.83 грн
26+33.45 грн
100+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNEXPERIATrans MOSFET N-CH 25V 13.1A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNexperiaMOSFET PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.60 грн
10+46.62 грн
100+30.20 грн
500+23.78 грн
1000+18.34 грн
3000+16.68 грн
6000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.20 грн
12+26.34 грн
25+23.50 грн
100+19.18 грн
250+17.80 грн
500+16.97 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 0.0053 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 6.2 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.74 грн
10+46.45 грн
100+26.27 грн
500+20.23 грн
1000+18.80 грн
3000+16.00 грн
6000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.87 грн
35+24.30 грн
100+23.46 грн
500+20.76 грн
1000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.46 грн
500+20.76 грн
1000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 6.8 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.49 грн
15+23.70 грн
250+19.85 грн
500+18.95 грн
1000+17.06 грн
3000+14.27 грн
6000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.66 грн
15+22.18 грн
25+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R8-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 6.8 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+44.80 грн
100+26.65 грн
500+20.91 грн
1000+17.89 грн
3000+15.17 грн
6000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R8-60QLAJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R8-60QLAJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 6800 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.85 грн
13+65.71 грн
100+44.97 грн
500+32.71 грн
1000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 7.7 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.30 грн
14+23.04 грн
25+20.54 грн
100+16.71 грн
250+15.48 грн
500+14.74 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.81 грн
37+23.03 грн
100+15.41 грн
500+12.11 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.41 грн
500+12.11 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 7.7 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.67 грн
10+40.45 грн
100+24.01 грн
500+18.87 грн
1000+16.15 грн
3000+13.66 грн
6000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.40 грн
500+23.91 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNexperiaMOSFETs PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.42 грн
11+34.55 грн
100+22.34 грн
500+18.49 грн
1000+14.87 грн
3000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.66 грн
15+22.02 грн
25+19.60 грн
100+15.93 грн
250+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.81 грн
21+40.90 грн
100+30.40 грн
500+23.91 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
на замовлення 4514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.11 грн
14+23.59 грн
50+19.45 грн
100+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.12 грн
22+39.21 грн
100+29.13 грн
500+22.88 грн
1000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 30V 11.4A
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.79 грн
18+19.45 грн
100+13.59 грн
500+12.91 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.13 грн
500+22.88 грн
1000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R1-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 9.1 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.39 грн
10+37.24 грн
100+21.29 грн
500+16.76 грн
1000+14.72 грн
3000+12.46 грн
6000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.