Продукція > PXN

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PXN010-30QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 30V 10.3A
на замовлення 4637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.61 грн
20+15.88 грн
100+10.98 грн
500+10.56 грн
6000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.24 грн
6000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.16 грн
26+32.14 грн
100+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
15+20.87 грн
50+17.17 грн
100+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, LOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
10+36.65 грн
100+25.38 грн
500+20.76 грн
1000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.01 грн
44+18.36 грн
100+18.28 грн
500+16.90 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, LOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 56A N-CH TRENCH
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.26 грн
10+42.47 грн
100+24.09 грн
500+22.16 грн
3000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+16.90 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.01 грн
44+18.36 грн
100+18.28 грн
500+16.90 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 56A N-CH TRENCH
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.26 грн
10+42.47 грн
100+24.09 грн
500+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
10+35.82 грн
100+24.83 грн
500+19.47 грн
1000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.01 грн
44+18.36 грн
100+18.28 грн
500+16.90 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 11 m Ohm, logic level Tre
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.06 грн
10+51.52 грн
3000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.83 грн
50+16.27 грн
100+16.19 грн
500+14.96 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 50A N-CH TRENCH
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.65 грн
10+57.80 грн
100+32.24 грн
500+22.71 грн
1000+19.05 грн
3000+12.98 грн
6000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, LOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 4327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+36.27 грн
100+23.53 грн
500+16.95 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.83 грн
50+16.27 грн
100+16.19 грн
500+14.96 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, LOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.83 грн
50+16.27 грн
100+16.19 грн
500+14.96 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 50A N-CH TRENCH
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.65 грн
10+58.99 грн
100+32.24 грн
500+22.71 грн
1000+19.05 грн
3000+12.98 грн
6000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.83 грн
50+16.27 грн
100+16.19 грн
500+14.96 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
10+36.50 грн
100+25.38 грн
500+18.60 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2891+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 2891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.19 грн
500+13.61 грн
1500+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperia USA Inc.Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.71 грн
6000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.22 грн
50+18.20 грн
100+16.19 грн
500+13.61 грн
1500+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperiaMOSFETs PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 45040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.07 грн
19+17.55 грн
100+12.22 грн
500+11.60 грн
1000+11.18 грн
3000+9.80 грн
6000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperia USA Inc.Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
18+16.90 грн
25+15.05 грн
100+12.18 грн
250+11.26 грн
500+10.70 грн
1000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN014-100QEJNexperiaMOSFETs 100 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN014-60QLAJNexperiaMOSFETs PXN014-60QLA/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.15 грн
10+56.05 грн
100+16.78 грн
500+12.70 грн
1000+11.39 грн
3000+9.04 грн
6000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
17+17.80 грн
25+15.80 грн
100+12.78 грн
250+11.81 грн
500+11.23 грн
1000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.24 грн
500+19.07 грн
1000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNexperiaMOSFETs PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.97 грн
21+15.32 грн
100+10.63 грн
500+10.08 грн
1000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.08 грн
25+32.62 грн
100+24.24 грн
500+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.48 грн
32+25.21 грн
100+16.75 грн
500+12.27 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.52 грн
23+14.29 грн
100+9.73 грн
500+9.32 грн
3000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 5104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
20+14.96 грн
25+13.28 грн
100+10.72 грн
250+9.90 грн
500+9.41 грн
1000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.75 грн
500+12.27 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN020-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.02 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.91 грн
19+44.22 грн
100+23.36 грн
500+16.83 грн
1000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 20 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A
Power Dissipation (Max): 37W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
на замовлення 6259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.66 грн
100+19.69 грн
500+14.04 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 31A N-CH TRENCH
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
11+29.37 грн
100+16.36 грн
500+12.50 грн
1000+11.25 грн
3000+9.53 грн
6000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN020-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.02 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.91 грн
19+44.22 грн
100+23.36 грн
500+16.83 грн
1000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 20 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A
Power Dissipation (Max): 37W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.93 грн
6000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 28 MOHM, LOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 30W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 24A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.21 грн
22+37.53 грн
100+19.81 грн
500+14.28 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 28 MOHM, LOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 30W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
11+27.37 грн
100+17.51 грн
500+12.42 грн
1000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.21 грн
22+37.53 грн
100+19.81 грн
500+14.28 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN040-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.04 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.13 грн
29+28.35 грн
100+14.98 грн
500+10.77 грн
1000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Power Dissipation (Max): 21W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN040-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.04 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.13 грн
29+28.35 грн
100+14.98 грн
500+10.77 грн
1000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Power Dissipation (Max): 21W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.29 грн
100+14.19 грн
500+9.99 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 17A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01ELantronix, Inc.Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01JLantronix, Inc.Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01ULantronixNetworking Modules PremierWaveXN 802.11 Device Server US
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01ULantronix, Inc.Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN2R8-100RLJNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 2.8 mOhm, logic level T
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.26 грн
10+138.93 грн
3000+120.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN2R9-100RSJNexperia USA Inc.Description: PXN2R9-100RS/SOT8038/MLPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4892 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN2R9-100RSJNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 2.9 mOhm, standard level Trench MOSFET in MLPAK56
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.77 грн
10+129.40 грн
100+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 30V 15A
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.96 грн
10+50.41 грн
100+28.79 грн
500+22.64 грн
1000+19.88 грн
3000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc)
на замовлення 10714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+48.61 грн
50+35.94 грн
100+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.25 грн
18+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.01 грн
6000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R8-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN4R8-30QLJ - MOS DISCRETES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.31 грн
500+17.13 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R8-30QLJNexperiaMOSFET PXN4R8-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.10 грн
10+48.19 грн
100+32.31 грн
500+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R8-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN4R8-30QLJ - MOS DISCRETES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.34 грн
27+30.85 грн
100+22.31 грн
500+17.13 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 4600 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.46 грн
500+31.93 грн
1000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.47 грн
10+45.97 грн
100+26.23 грн
500+20.64 грн
1000+18.09 грн
3000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 32449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
11+27.37 грн
100+18.97 грн
500+14.89 грн
1000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 4600 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.73 грн
12+67.81 грн
100+44.46 грн
500+31.93 грн
1000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R5-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.10 грн
500+37.77 грн
1000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R5-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.45 грн
17+49.53 грн
100+45.10 грн
500+37.77 грн
1000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R5-30QLJNexperiaMOSFET PXN5R5-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.82 грн
10+40.81 грн
100+27.27 грн
500+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R7-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 5.7 mOhm, logic level Tr
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.76 грн
10+48.27 грн
100+27.48 грн
500+21.26 грн
1000+19.26 грн
3000+15.88 грн
9000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.57 грн
19+42.69 грн
100+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
12+27.00 грн
50+22.35 грн
100+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 25V 13.1A
на замовлення 5112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.90 грн
10+41.20 грн
100+24.44 грн
500+19.40 грн
3000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 6.2 mOhm, logic level Tr
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.19 грн
10+46.44 грн
100+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 5700 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.09 грн
500+21.69 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
15+21.09 грн
25+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.82 грн
14+23.58 грн
100+16.43 грн
500+16.15 грн
3000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 5700 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.59 грн
25+32.38 грн
100+26.09 грн
500+21.69 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R8-60QLAJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R8-60QLAJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 6800 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.67 грн
13+62.50 грн
100+42.77 грн
500+31.11 грн
1000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R8-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 6.8 mOhm, logic level Tr
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+61.05 грн
100+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.35 грн
37+21.91 грн
100+14.66 грн
500+11.52 грн
1000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]