Продукція > PXN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PXN010-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.70 грн
26+31.78 грн
100+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 6568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.72 грн
15+20.64 грн
50+16.98 грн
100+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 30V 10.3A
на замовлення 4637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.33 грн
20+15.70 грн
100+10.86 грн
500+10.45 грн
6000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN010-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.10 грн
6000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.80 грн
44+18.16 грн
100+18.08 грн
500+16.72 грн
1000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, LOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 56A N-CH TRENCH
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.50 грн
10+42.01 грн
100+23.83 грн
500+21.92 грн
3000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+16.72 грн
1000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, LOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.78 грн
10+36.24 грн
100+25.10 грн
500+20.54 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.80 грн
44+18.16 грн
100+18.08 грн
500+16.72 грн
1000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN011-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.011 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.80 грн
44+18.16 грн
100+18.08 грн
500+16.72 грн
1000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 56A N-CH TRENCH
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.50 грн
10+42.01 грн
100+23.83 грн
500+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Power Dissipation (Max): 66W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.25 грн
10+35.43 грн
100+24.56 грн
500+19.25 грн
1000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN011-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 11 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.66 грн
11+30.62 грн
100+17.48 грн
500+13.72 грн
1000+12.08 грн
3000+10.24 грн
6000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 50A N-CH TRENCH
на замовлення 6723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.45 грн
10+49.15 грн
50+31.34 грн
100+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, LOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 4327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.91 грн
10+35.87 грн
100+23.27 грн
500+16.76 грн
1000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.65 грн
50+16.09 грн
100+16.01 грн
500+14.79 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, LOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.65 грн
50+16.09 грн
100+16.01 грн
500+14.79 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.65 грн
50+16.09 грн
100+16.01 грн
500+14.79 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.78 грн
10+36.10 грн
100+25.10 грн
500+18.40 грн
1000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.65 грн
50+16.09 грн
100+16.01 грн
500+14.79 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 50A N-CH TRENCH
на замовлення 4331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.45 грн
10+49.15 грн
50+31.34 грн
100+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 12 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Power Dissipation (Max): 58W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.99 грн
50+18.00 грн
100+16.01 грн
500+13.46 грн
1500+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperiaMOSFETs PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 45040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.76 грн
19+17.35 грн
100+12.08 грн
500+11.47 грн
1000+11.06 грн
3000+9.70 грн
6000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperia USA Inc.Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
на замовлення 6740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.58 грн
18+16.72 грн
25+14.88 грн
100+12.05 грн
250+11.14 грн
500+10.58 грн
1000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2891+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 2891
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.01 грн
500+13.46 грн
1500+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJNexperia USA Inc.Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.59 грн
6000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN014-100QEJNexperiaMOSFETs 100 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN014-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 14 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.24 грн
12+27.64 грн
100+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNexperiaMOSFETs PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.69 грн
21+15.15 грн
100+10.51 грн
500+9.97 грн
1000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.62 грн
25+32.26 грн
100+23.98 грн
500+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 3631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.12 грн
17+17.60 грн
25+15.62 грн
100+12.64 грн
250+11.68 грн
500+11.11 грн
1000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PXN017-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.98 грн
500+18.86 грн
1000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.57 грн
500+12.13 грн
1000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.15 грн
32+24.93 грн
100+16.57 грн
500+12.13 грн
1000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 30V 11.3A
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.62 грн
23+13.74 грн
100+9.49 грн
500+9.01 грн
1000+8.60 грн
3000+8.12 грн
6000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PXN018-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.51 грн
21+14.28 грн
25+12.69 грн
100+10.26 грн
250+9.47 грн
500+8.99 грн
1000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 20 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A
Power Dissipation (Max): 37W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
на замовлення 6259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.69 грн
10+30.33 грн
100+19.48 грн
500+13.88 грн
1000+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNexperiaMOSFETs SOT8002 100V 31A N-CH TRENCH
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.24 грн
11+29.05 грн
100+16.18 грн
500+12.36 грн
1000+11.13 грн
3000+9.42 грн
6000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN020-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.02 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.27 грн
19+43.73 грн
100+23.10 грн
500+16.64 грн
1000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 20 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A
Power Dissipation (Max): 37W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.80 грн
6000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN020-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN020-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.02 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.27 грн
19+43.73 грн
100+23.10 грн
500+16.64 грн
1000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 28 MOHM, LOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 30W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.32 грн
11+27.07 грн
100+17.32 грн
500+12.29 грн
1000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.67 грн
22+37.12 грн
100+19.60 грн
500+14.13 грн
1000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 28 MOHM, LOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 30W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 28 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.71 грн
12+27.01 грн
100+11.40 грн
1000+9.90 грн
3000+7.03 грн
6000+6.69 грн
9000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.67 грн
22+37.12 грн
100+19.60 грн
500+14.13 грн
1000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN040-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.04 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.72 грн
29+28.04 грн
100+14.82 грн
500+10.65 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNexperiaMOSFETs PXN040-100QS/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 10354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.12 грн
14+22.46 грн
100+9.49 грн
1000+8.47 грн
3000+6.90 грн
9000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Power Dissipation (Max): 21W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.64 грн
14+22.04 грн
100+14.03 грн
500+9.88 грн
1000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN040-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.04 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.72 грн
29+28.04 грн
100+14.82 грн
500+10.65 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PXN040-100QSJNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A
Power Dissipation (Max): 21W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01ELantronix, Inc.Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01JLantronix, Inc.Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01ULantronix, Inc.Description: WIRELESS TO SER RS-232/422/485
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN210002-01ULantronixNetworking Modules PremierWaveXN 802.11 Device Server US
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN2R8-100RLJNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 2.8 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK56
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.53 грн
10+127.98 грн
3000+111.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PXN2R9-100RSJNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 2.9 mOhm, standard level Trench MOSFET in MLPAK56
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.53 грн
10+127.98 грн
100+86.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PXN2R9-100RSJNexperia USA Inc.Description: PXN2R9-100RS/SOT8038/MLPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4892 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.64 грн
18+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.79 грн
6000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 30V 15A
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.01 грн
10+55.28 грн
50+35.50 грн
100+31.48 грн
1000+21.23 грн
3000+19.05 грн
6000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 10714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.65 грн
10+48.08 грн
50+35.55 грн
100+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PXN4R8-30QLJNexperiaMOSFET PXN4R8-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.28 грн
10+47.66 грн
100+31.95 грн
500+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.14 грн
23+35.77 грн
100+22.14 грн
500+17.09 грн
1000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 32449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
11+27.07 грн
100+18.77 грн
500+14.73 грн
1000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.14 грн
500+17.09 грн
1000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 30V 14A
на замовлення 5353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.54 грн
12+26.77 грн
100+16.18 грн
500+15.50 грн
3000+12.63 грн
9000+12.43 грн
24000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R5-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.91 грн
20+40.46 грн
100+26.05 грн
500+17.23 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R5-30QLJNexperiaMOSFET PXN5R5-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.13 грн
10+40.36 грн
100+26.97 грн
500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R5-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.05 грн
500+17.23 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R7-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 5.7 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.35 грн
10+46.09 грн
100+26.15 грн
500+20.14 грн
1000+18.71 грн
3000+15.84 грн
6000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.23 грн
26+30.83 грн
100+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V
на замовлення 3186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.17 грн
12+26.70 грн
50+22.10 грн
100+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 25V 13.1A
на замовлення 5112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.15 грн
10+40.75 грн
100+24.17 грн
500+19.19 грн
3000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R2-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 6.2 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.50 грн
10+42.01 грн
100+23.76 грн
500+18.30 грн
1000+17.00 грн
3000+14.47 грн
6000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.56 грн
35+22.86 грн
100+22.06 грн
500+19.53 грн
1000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.06 грн
500+19.53 грн
1000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.72 грн
15+20.86 грн
25+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R7-30QLJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 6.8 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.81 грн
15+21.44 грн
250+17.96 грн
500+17.14 грн
1000+15.43 грн
3000+12.90 грн
6000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R8-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 6.8 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.43 грн
10+40.51 грн
100+24.10 грн
500+18.91 грн
1000+16.18 грн
3000+13.72 грн
6000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXN6R8-60QLAJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN6R8-60QLAJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 6800 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.57 грн
13+61.81 грн
100+42.30 грн
500+30.77 грн
1000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.50 грн
500+11.39 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
14+21.67 грн
25+19.32 грн
100+15.72 грн
250+14.56 грн
500+13.87 грн
1000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 7.7 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.04 грн
37+21.67 грн
100+14.50 грн
500+11.39 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 7.7 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.30 грн
10+36.59 грн
100+21.71 грн
500+17.07 грн
1000+14.61 грн
3000+12.36 грн
6000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.60 грн
500+22.49 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.72 грн
15+20.71 грн
25+18.43 грн
100+14.98 грн
250+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNexperiaMOSFETs PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.27 грн
11+31.25 грн
100+20.21 грн
500+16.73 грн
1000+13.45 грн
3000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.79 грн
21+38.47 грн
100+28.60 грн
500+22.49 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.40 грн
500+21.52 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
на замовлення 4514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.03 грн
14+22.19 грн
50+18.30 грн
100+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.20 грн
22+36.88 грн
100+27.40 грн
500+21.52 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNexperiaMOSFETs SOT8002 N-CH 30V 11.4A
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.25 грн
14+23.63 грн
50+17.00 грн
100+15.84 грн
3000+12.63 грн
6000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R1-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 9.1 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.52 грн
10+33.68 грн
100+19.25 грн
500+15.16 грн
1000+13.31 грн
3000+11.27 грн
6000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.