Продукція > RSQ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RSQ015N06
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015N06FRATRROHMDescription: ROHM - RSQ015N06FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.01 грн
21+41.23 грн
100+29.99 грн
500+22.99 грн
1000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015N06FRATRROHMDescription: ROHM - RSQ015N06FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.99 грн
500+22.99 грн
1000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015N06HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs Automotive Nch 60V 1.5A Small Signal MOSFET. RSQ015N06HZG is a MOSFET for DC-DC Converters. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.78 грн
10+44.69 грн
100+25.61 грн
500+19.88 грн
1000+17.92 грн
3000+14.69 грн
9000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015N06HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.43 грн
10+41.11 грн
100+26.94 грн
500+19.44 грн
1000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015N06HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015N06TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015N06TRROHMDescription: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.26 грн
100+68.09 грн
500+57.89 грн
1000+40.41 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015N06TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015N06TRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015N06TRROHM SemiconductorMOSFETs SW MOSFET MID PWR N-CH 60V 1.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015N06TRROHMDescription: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.09 грн
500+57.89 грн
1000+40.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10FRATRROHMDescription: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.47 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10FRATRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -6A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10FRATRROHMDescription: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.47 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.52 грн
11+78.48 грн
100+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+35.62 грн
362+34.20 грн
500+32.96 грн
1000+30.74 грн
2500+27.63 грн
5000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.96 грн
6000+20.07 грн
9000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -100V -1.5A Small Signal MOSFET for Automotive. RSQ015P10HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applications.
на замовлення 5194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.64 грн
10+56.55 грн
100+32.91 грн
500+25.76 грн
1000+23.57 грн
3000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+39.27 грн
328+37.70 грн
500+36.34 грн
1000+33.90 грн
2500+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.21 грн
10+53.89 грн
100+36.13 грн
500+26.53 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10TRROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Pch MOSFET
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03FRATRROHMDescription: ROHM - RSQ020N03FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.096 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.00 грн
500+10.20 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03FRATRROHMDescription: ROHM - RSQ020N03FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.096 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.71 грн
46+18.59 грн
100+15.38 грн
500+11.30 грн
1000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03HZGTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.28 грн
10+39.69 грн
100+26.16 грн
500+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03HZGTRROHMDescription: ROHM - RSQ020N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.134 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.67 грн
500+20.16 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs Automotive Nch 30V 2A Small Signal MOSFET
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.21 грн
10+43.04 грн
100+24.70 грн
500+18.98 грн
1000+17.62 грн
3000+14.38 грн
6000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03HZGTRROHMDescription: ROHM - RSQ020N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.134 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.59 грн
19+45.62 грн
100+30.67 грн
500+20.16 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03TRROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 30V, 2A
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.49 грн
10+44.95 грн
100+27.04 грн
500+22.52 грн
1000+19.20 грн
3000+17.10 грн
6000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.13 грн
10+44.72 грн
100+29.25 грн
500+21.19 грн
1000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ020N03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03ROHMSOT163
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03ROHM
на замовлення 10450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03 TRROHMSOT26/SOT363
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03FRATRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+35.23 грн
500+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTRROHMDescription: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+32.80 грн
393+31.49 грн
500+30.35 грн
1000+28.31 грн
2500+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 377
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTRROHMDescription: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.89 грн
16+53.48 грн
100+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.54 грн
10+51.70 грн
100+33.83 грн
500+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -30V -2.5A Small Signal MOSFET - RSQ025P03HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.47 грн
10+55.69 грн
100+32.08 грн
500+24.85 грн
1000+22.29 грн
3000+19.58 грн
6000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03TR
Код товару: 119115
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03TRROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 30V 2.5A TSMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03TRROHMSOT23-6 0945+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030N08HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.10 грн
10+44.24 грн
100+32.55 грн
500+25.63 грн
1000+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030N08HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs Automotive Nch 80V 3A Small Signal MOSFET
на замовлення 23809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.73 грн
10+43.91 грн
100+29.82 грн
500+25.38 грн
1000+23.04 грн
3000+20.03 грн
6000+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030N08HZGTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3A; Idm: 12A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030N08HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.84 грн
6000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030P03ROHM
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030P03ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030P03ROHMSOT163
на замовлення 22720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030P03
Код товару: 45987
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030P03 TRROHMSOT23-6
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030P03TRROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 30V 3A TSMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ030P03TR
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N03ROHM09+
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N03FRATRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 14A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N03HZGTRROHMDescription: ROHM - RSQ035N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.044 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.19 грн
21+42.07 грн
100+30.16 грн
500+22.20 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.54 грн
10+42.21 грн
100+29.80 грн
500+22.89 грн
1000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N03HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+36.57 грн
352+35.10 грн
500+33.83 грн
1000+31.56 грн
2500+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N03HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs Nch 30V 3.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 6248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.63 грн
10+39.93 грн
100+26.43 грн
500+22.89 грн
1000+20.56 грн
3000+17.62 грн
6000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N03HZGTRROHMDescription: ROHM - RSQ035N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.044 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.16 грн
500+22.20 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N03TRROHM SemiconductorMOSFET Load Switching Nch; 30V; 3.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.80 грн
10+53.66 грн
100+35.25 грн
500+25.64 грн
1000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N06HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs SOT457 N-CH 60V 3.5A
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.94 грн
10+44.00 грн
100+29.07 грн
500+24.33 грн
1000+21.99 грн
3000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N06HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+37.78 грн
341+36.26 грн
500+34.95 грн
1000+32.60 грн
2500+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N06HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N06HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+15.64 грн
795+15.54 грн
828+14.92 грн
1000+14.19 грн
2000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 790
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N06HZGTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 14A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N06HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+37.78 грн
341+36.26 грн
500+34.95 грн
1000+32.60 грн
2500+29.30 грн
5000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035N06HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.03 грн
10+39.77 грн
100+30.19 грн
500+23.72 грн
1000+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03ROHM
на замовлення 51200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03ROHM09+
на замовлення 63084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03
Код товару: 52347
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03ROHMSOT26/
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03ROHM07+ SOT23-6
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03ROHMSOT163
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03 TRROHM
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03 TRROHMSOT26/SOT363
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03 TRROHMSOT26
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03/TMROHM09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03/TMNEWINORI
на замовлення 6518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03FRATRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.87 грн
10+56.33 грн
100+37.01 грн
500+26.97 грн
1000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTRROHMDescription: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.045 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.09 грн
500+24.40 грн
1000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTRROHMDescription: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.31 грн
15+60.32 грн
100+39.71 грн
500+28.63 грн
1000+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+40.20 грн
321+38.58 грн
500+37.19 грн
1000+34.69 грн
2500+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 308
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs Automotive Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET. RSQ035P03HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 5606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.77 грн
10+59.93 грн
100+34.49 грн
500+26.89 грн
1000+24.48 грн
3000+22.07 грн
6000+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
531+23.26 грн
534+23.16 грн
597+20.69 грн
1000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 531
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03TRROHM08+ BGA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.25 грн
10+49.34 грн
100+33.67 грн
500+25.10 грн
1000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03TRROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 30V 3.5A TSMT6
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.99 грн
10+49.71 грн
100+29.97 грн
500+25.00 грн
1000+21.31 грн
3000+21.09 грн
6000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035R03
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ045N03RSQ045N03 Транзисторы
на замовлення 105 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ045N03HZGTRROHMDescription: ROHM - RSQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.75 грн
500+20.32 грн
1500+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ045N03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.54 грн
10+51.93 грн
100+34.62 грн
500+26.06 грн
1000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ045N03HZGTRROHMDescription: ROHM - RSQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.44 грн
50+42.33 грн
100+34.13 грн
500+25.18 грн
1500+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ045N03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ045N03HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs Automotive Nch 30V 4.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 4223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.17 грн
10+51.10 грн
100+30.27 грн
500+25.38 грн
1000+21.54 грн
3000+19.51 грн
6000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ045N03TRROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V 4.5A TSMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ045N03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ045N03TRROHM
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ045N03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ045P03
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ1.2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ1.4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ200YAGEODescription: RESISTOR KIT 1-10M 1/4W 33800PCS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ25-KITYAGEODescription: FILM RESISTOR KIT
Resistance (Ohms): 1 ~ 1M
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Quantity: 4225 Pieces (169 Values - 25 Each)
Kit Type: Carbon Film
Packages Included: Axial
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7732.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.