Продукція > RTQ

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RTQ-B1221SICK, Inc.Description: PROX PHOTOELEC SWITCH
Packaging: Bulk
Adjustment Type: Adjustable, 9-Turn Potentiometer
Sensing Distance: 2.362" ~ 35.433" (60mm ~ 900mm)
Sensing Method: Proximity, Background Suppression
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Output Configuration: PNP - Dark-ON/Light-ON
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 2ms
Ingress Protection: IP67
Connection Method: Connector, M12
Light Source: Infrared LED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
532+26.66 грн
552+25.70 грн
1000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
780+18.19 грн
785+18.08 грн
960+14.77 грн
1035+13.21 грн
2000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TR
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TRROHMDescription: ROHM - RTQ020N03TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.125 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.34 грн
23+35.28 грн
100+23.76 грн
500+15.56 грн
1000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
на замовлення 7561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.95 грн
100+21.99 грн
500+15.80 грн
1000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
532+26.66 грн
552+25.70 грн
1000+24.86 грн
2500+23.26 грн
5000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TRROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V 2A TSMT6
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.34 грн
10+38.42 грн
100+21.68 грн
500+16.57 грн
1000+14.98 грн
3000+12.01 грн
6000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N03TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
532+26.66 грн
552+25.70 грн
1000+24.86 грн
2500+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05FRATRROHMDescription: ROHM - RTQ020N05FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.22 грн
29+28.11 грн
100+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05FRATRROHMDescription: ROHM - RTQ020N05FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05HZGTRROHMDescription: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.32 грн
18+45.02 грн
100+29.32 грн
500+20.94 грн
1000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05HZGTRROHM SemiconductorMOSFET Automotive Nch 45V 2A Small Signal MOSFET. RTQ020N05HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.92 грн
10+41.04 грн
100+26.65 грн
500+20.92 грн
1000+16.15 грн
3000+14.77 грн
9000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1133+12.52 грн
1177+12.05 грн
1200+11.81 грн
2000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 1133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
10+38.29 грн
100+26.65 грн
500+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05HZGTRROHMDescription: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.48 грн
500+21.02 грн
1000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
409+34.72 грн
426+33.33 грн
500+32.12 грн
1000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 45V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
698+20.32 грн
834+17.01 грн
1000+16.06 грн
3000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 698 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 45V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
526+26.96 грн
546+25.99 грн
1000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05TRROHM SemiconductorMOSFET SW MOSFET MID PWR N-CH 30V 2A
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.69 грн
10+35.80 грн
100+23.26 грн
500+18.29 грн
1000+14.15 грн
3000+12.01 грн
9000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020N05TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
10+33.73 грн
100+23.44 грн
500+17.18 грн
1000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ020P02
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02ROHMSOT-163
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02 TRROHMSOT26/SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02-TLROHM
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02-TR
на замовлення 501000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02FRATRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -10A; 1.25W; TSMT6
Case: TSMT6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2.5A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.19Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTRROHMDescription: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.1 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.39 грн
500+25.50 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+42.85 грн
100+29.64 грн
500+23.24 грн
1000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTRROHMDescription: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.1 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.65 грн
16+50.74 грн
100+34.39 грн
500+25.50 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTRROHM SemiconductorMOSFET Pch -20V -2.5A Small Signal MOSFET - RTQ025P02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.43 грн
10+45.89 грн
100+27.20 грн
500+22.78 грн
1000+19.40 грн
3000+17.53 грн
6000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+40.43 грн
366+38.81 грн
500+37.41 грн
1000+34.89 грн
2500+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02TL
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02TRROHM SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.67 грн
10+39.62 грн
100+23.47 грн
500+19.67 грн
1000+16.78 грн
3000+14.84 грн
6000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02TRROH07+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ025P02TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ030902ROHM
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ030P02ROHMSOT163
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ030P02-TRROHM
на замовлення 24200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ030P02TR
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ030P02TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ030P02TRROHM SemiconductorMOSFET P-CH 20V 3A TSMT6
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.18 грн
10+48.98 грн
100+40.32 грн
500+31.69 грн
1000+24.51 грн
3000+13.39 грн
9000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ030P02TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035N03ROHM
на замовлення 308000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035N03FRATRROHMDescription: ROHM - RTQ035N03FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.038 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035N03FRATRROHMDescription: ROHM - RTQ035N03FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.038 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035N03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.73 грн
6000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035N03HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs Nch 30V 3.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.65 грн
10+49.22 грн
100+28.03 грн
500+21.68 грн
1000+19.67 грн
3000+16.91 грн
6000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035N03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.09 грн
100+31.44 грн
500+22.82 грн
1000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035N03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035N03TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+28.00 грн
526+26.99 грн
1000+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035N03TRROHM
на замовлення 342200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035N03TRROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035N03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+45.62 грн
100+29.78 грн
500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035N03TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1307+10.85 грн
1369+10.36 грн
1391+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 1307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02ROHM07+ SOT-163
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02 TRROHM
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+53.32 грн
100+36.93 грн
500+28.96 грн
1000+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+33.42 грн
457+31.07 грн
459+30.95 грн
543+25.18 грн
1000+22.05 грн
2000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTRROHMDescription: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.61 грн
500+25.35 грн
1000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs Automotive Pch -20V -3.5A Small Signal MOSFET. RTQ035P02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.16 грн
10+50.09 грн
100+33.27 грн
500+28.37 грн
1000+24.16 грн
3000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+50.30 грн
294+48.29 грн
500+46.54 грн
1000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02HZGTRROHMDescription: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.55 грн
16+51.14 грн
100+37.61 грн
500+25.35 грн
1000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02TRROHM SemiconductorMOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02TRROHM06+ SOT-163
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ040P02
на замовлення 8852 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ040P02TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ040P02TRROHM SemiconductorMOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ040P02TRROHM10+ SOT-163
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ040P02TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03ROHM09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03-TLB
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03/QM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTRROHMDescription: ROHM - RTQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.043 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.02 грн
21+39.14 грн
100+29.80 грн
500+21.31 грн
1000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+78.91 грн
279+50.94 грн
500+37.99 грн
1000+36.45 грн
3000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTRROHMDescription: ROHM - RTQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.043 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.80 грн
500+21.31 грн
1000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+42.78 грн
100+30.09 грн
500+23.17 грн
1000+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
366+38.80 грн
374+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs Automotive Nch 30V 4.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.96 грн
10+50.02 грн
100+29.41 грн
500+22.71 грн
1000+20.57 грн
3000+18.02 грн
6000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TRROHMSOT163
на замовлення 18938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TR
Код товару: 210479
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TRROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V 4.5A TSMT6
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.56 грн
10+47.87 грн
100+27.34 грн
500+21.19 грн
1000+19.19 грн
3000+17.19 грн
9000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 5473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+44.05 грн
100+30.04 грн
500+23.06 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TR/QM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ1741AGQWRichtek USA Inc.Description: IC BUCK-BOOST 4A WDFN-14A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ1741AGQWRichtek USA Inc.Description: IC BUCK-BOOST 4A WDFN-14A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]