Продукція > STU

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STU
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU-053A16AXNMB Technologies CorporationDescription: SWITCH TACTILE, SPST-NO, 0.02A 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU-057A23ACMitsumiTactile Switches Tactile Switch, Waterproof,SPST-NO, 0.02A, 15VDC, 2.25N, 0.15mm Travel, R-668127
на замовлення 19095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.17 грн
22+15.08 грн
100+10.70 грн
500+10.01 грн
1000+9.11 грн
2500+8.08 грн
20000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU-057A23AXMitsumi Electric Company LtdDescription: SWITCH TACTILE, SPST-NO, 0.02A 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU-057A23AXMitsumi Electric Company LtdDescription: SWITCH TACTILE, SPST-NO, 0.02A 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU-060A30AXMitsumiTactile Switches Tactile Switch, Waterproof,SPST-NO, 0.02A, 15VDC, 3N, 0.15mm Travel, R-668098
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU0190STSOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU10(PA)Omron Automation and SafetyDescription: TIME DELAY 40A 3N/O 20A 1N/O
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU10(RA)Omron Automation and SafetyDescription: TIME DELAY 40A 3N/O 20A 1N/O
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU10(SA)Omron Automation and SafetyDescription: TIME DELAY 40A 3N/O 20A 1N/O
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU10(TA)Omron Automation and SafetyDescription: TIME DELAY 40A 3N/O 20A 1N/O
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU10(UA)Omron Automation and SafetyDescription: TIME DELAY 40A 3N/O 20A 1N/O
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU1005NLДросель здвоєний (common) для вхідних фільтрів джерел живлення 30mH/0.2A, аналог на заміну PL10L-303Y0R2
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
11+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU100N3LF3
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU1030PL???TO252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU10N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
10+101.62 грн
100+75.94 грн
500+60.54 грн
1000+53.57 грн
3000+51.50 грн
6000+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU10NA50
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU10NB80STMAX220
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU10NC70Z
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU10NC70ZI
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU10NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU10NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.94 грн
10+188.15 грн
100+121.50 грн
500+102.17 грн
1000+94.58 грн
3000+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU10NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.41 грн
25+78.94 грн
75+71.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU10NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU10P6F6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 60V 0.13Ohm 10A STripFET VI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU10P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU11N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU11N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STU11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.69 грн
10+82.96 грн
100+74.50 грн
500+59.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU11N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.71 грн
10+146.87 грн
100+86.98 грн
500+80.08 грн
1000+71.11 грн
3000+57.44 грн
6000+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU11N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.43 Ohm, 9 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in IPAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU11NB60STMAX220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU11NC60STMAX220
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU11NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU1224N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU1255PL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU12L01
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU12N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU12N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU12N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.44 грн
10+116.70 грн
100+69.72 грн
500+58.40 грн
1000+51.71 грн
3000+48.88 грн
6000+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU12N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU13005NSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU13005NSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High Volt NPN Trans 700Vces 400Vceo 3A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU13005NSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 3A TO251
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 750mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
75+22.89 грн
150+20.27 грн
525+15.50 грн
1050+13.98 грн
2025+12.76 грн
5025+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU13N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+70.34 грн
100+54.81 грн
500+46.05 грн
1000+42.59 грн
3000+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.11 грн
75+65.17 грн
150+58.62 грн
525+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU13N65M2STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 3885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU13N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU13NB50STMAX220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU13NB60STM00+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU13NB60STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU13NC50
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU13NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU13NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 280 mOhm typ 11 A MDmesh II Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.74 грн
10+163.54 грн
100+113.91 грн
250+105.62 грн
500+95.27 грн
1000+81.46 грн
3000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU14NA50
на замовлення 23006 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU150N3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 30V STripFET 80A DEEPGATE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU150N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU1530PL
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU16N60M2STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU16N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU16N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU16N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.04 грн
10+116.70 грн
100+79.39 грн
500+66.48 грн
1000+56.06 грн
3000+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU16NB50
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU16NC50STMAX-220
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU1855PLS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU1955NL
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU1HN60K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 6.4 Ohm 1.2A SuperMesh3 IPAK
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU1HN60K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU2030NLSAMHOP07+ TO252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU2030PTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU2030PLS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU2071STPLCC28
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU2071B1ST
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU20N03L
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU2240NL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU2455PLS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU2555NL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU25N03L
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU25N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 25A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU2640NL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STU27N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 27A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU2LN60K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 600V 2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU2LN60K3STMMOSFET N-Ch 600 V 4 Ohm 2 A SuperMESH3, TO-251-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU2LN60K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 4 Ohm 2 A SuperMESH3
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.16 грн
10+61.21 грн
100+42.25 грн
500+35.83 грн
1000+29.13 грн
3000+27.41 грн
6000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N105K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 5721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.24 грн
10+84.95 грн
100+66.48 грн
500+55.85 грн
1000+49.22 грн
6000+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 7717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.82 грн
75+64.69 грн
150+62.78 грн
525+49.62 грн
1050+46.38 грн
2025+46.08 грн
5025+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N62K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.2A; 45W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V
на замовлення 4708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.68 грн
75+62.55 грн
150+56.28 грн
525+44.43 грн
1050+40.80 грн
2025+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STU2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.62 грн
11+76.67 грн
100+56.86 грн
500+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+58.19 грн
100+45.36 грн
500+37.97 грн
1000+32.10 грн
3000+29.13 грн
9000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
75+50.24 грн
150+45.05 грн
525+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+49.78 грн
100+41.14 грн
500+38.45 грн
1000+35.28 грн
3000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STU2N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+34.95 грн
462+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STU2NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.35 грн
75+61.39 грн
150+55.16 грн
525+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]