НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
XP30-203002C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3000XS POWER BATTERIESDescription: 12V, 3,000A, 120 AH, RC: 240
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3002000-01RLantronixEmbedded Processor 16bit T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3002000-01RLantronixNetworking Modules XPort AR Module
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3002000-01RLantronix, Inc.Description: IC MOD DSTNI-EX 120MHZ 1.25MB
Packaging: Tray
Connector Type: RJ45
Size / Dimension: 0.650" L x 1.800" W (16.50mm x 45.70mm)
Speed: 120MHz
RAM Size: 1.25MB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Module/Board Type: MPU Core
Core Processor: DSTni-EX
Co-Processor: XPort AR
Flash Size: 4MB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200K-01LantronixEmbedded Processor 16bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200K-01LantronixNetworking Development Tools XPort AR Evaluation Kit
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200K-01Lantronix, Inc.Description: XPORT AR EVALUATION KIT
Packaging: Box
Function: Ethernet
Type: Interface
Utilized IC / Part: XPort AR
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200S-01RLantronix, Inc.Description: XPORT AR SAMPLE EXTENDED TEMP -4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200S-01RLantronixEmbedded Processor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200S-01RLantronixNetworking Modules XPort AR Sample PACKAGE ROHS COMPLI
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP30M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 30MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 30 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP31011Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: POTENTIOMETER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3132SIT4SOP8
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3132SIT4
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP32M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 32MHZ 30ppm,8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 32 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP3311PANASONIC09+
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP338300L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3389
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3389/DX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP34024Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: POTENTIOMETER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP34036Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: POTENTIOMETER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3470A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3601NYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.63 грн
10+68.11 грн
100+46.13 грн
500+39.06 грн
1000+33.40 грн
3000+28.32 грн
9000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.23 грн
10+65.75 грн
100+43.61 грн
500+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.13 грн
14+63.22 грн
100+43.74 грн
500+32.19 грн
1000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.84 грн
10+64.55 грн
100+38.77 грн
500+30.75 грн
1000+30.09 грн
3000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.74 грн
500+32.19 грн
1000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.95 грн
14+60.66 грн
100+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.29 грн
10+86.30 грн
100+58.49 грн
500+49.58 грн
1000+42.38 грн
3000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.03 грн
10+66.21 грн
100+43.96 грн
500+32.28 грн
1000+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.70 грн
10+65.14 грн
100+39.06 грн
500+30.97 грн
1000+28.32 грн
3000+25.38 грн
6000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.26 грн
10+72.42 грн
100+49.00 грн
500+41.57 грн
1000+33.77 грн
3000+31.78 грн
6000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.50 грн
10+33.87 грн
100+21.84 грн
500+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.21 грн
11+75.93 грн
100+54.96 грн
500+43.30 грн
1000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.15 грн
11+33.25 грн
100+19.20 грн
500+14.86 грн
1000+14.57 грн
3000+11.62 грн
9000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.45 грн
500+16.02 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP380AO
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CDTYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMTXSemiMOSFET Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.35 грн
10+324.88 грн
100+231.74 грн
500+197.16 грн
1000+166.26 грн
3000+158.17 грн
6000+152.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMTYAGEO XSemiMOSFETs Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.93 грн
10+113.37 грн
100+68.34 грн
500+55.40 грн
1000+51.13 грн
3000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.45 грн
10+111.41 грн
100+77.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0642D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0642D-R/SOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-3846-0642D-R/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.5MM, 4.15MM L
tariffCode: 85366990
Achsmittenabstand: 0.5mm
productTraceability: No
Messanschlussspitze: Flach
Steckverbindertyp: Federbelasteter Tastkopf
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 250mA
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 4.15mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Federkraftarbeitsweg: -oz
usEccn: EAR99
Anfangsfederkraft: 15g
Produktpalette: XP3A Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1293.22 грн
5+1056.36 грн
10+997.77 грн
25+783.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0642D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0642D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0642D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0650D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0650D-D/SOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-3846-0650D-D/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.5MM, 4.95MM L
tariffCode: 85366990
Achsmittenabstand: 0.5mm
productTraceability: No
Messanschlussspitze: Flach
Steckverbindertyp: Federbelasteter Tastkopf
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 250mA
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 4.95mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Federkraftarbeitsweg: -oz
usEccn: EAR99
Anfangsfederkraft: 15g
Produktpalette: XP3A Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1293.22 грн
5+1056.36 грн
10+997.77 грн
25+783.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0650D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0650D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0650D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0660D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0660D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0660D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0660D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0670D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0670D-R/SOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-3846-0670D-R/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.5MM, 6.95MM L
tariffCode: 85366990
Achsmittenabstand: 0.5mm
productTraceability: No
Messanschlussspitze: Flach
Steckverbindertyp: Federbelasteter Tastkopf
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 250mA
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 6.95mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Federkraftarbeitsweg: -oz
usEccn: EAR99
Anfangsfederkraft: 15g
Produktpalette: XP3A Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1293.22 грн
5+1056.36 грн
10+997.77 грн
25+783.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0670D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0670D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0670D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0673D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0730D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0730D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0730D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0730D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0742D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0742D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0742D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0742D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+845.75 грн
70+782.12 грн
200+750.56 грн
400+676.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.018" (0.07mm ~ 0.046mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.018" (0.07mm ~ 0.046mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+845.75 грн
70+782.12 грн
200+750.56 грн
400+676.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0760D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0760D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0760D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0760D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0770D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0770D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0770D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0770D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1149.94 грн
60+1063.67 грн
200+1019.99 грн
300+919.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1149.94 грн
60+1063.67 грн
200+1019.99 грн
300+919.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0730D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0730D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0730D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0730D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0742D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE .6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0742D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+845.75 грн
70+782.12 грн
200+750.56 грн
400+676.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0742D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0742D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0742D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0750D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0750D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0750D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0750D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0760D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0760D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0760D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0760D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0770D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE .6MM PITCH
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0770D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0770D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0770D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Maximum Working Height: 0.281" (7.15mm)
Recommended Working Height: 0.262" (6.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0825D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0825D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0825D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0825D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0830D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0830D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0830D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0830D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0842D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0842D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0842D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0842D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0850D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0850D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0850D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0850D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0860D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0860D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0860D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0860D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0870D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0870D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0870D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0870D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0825D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0825D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0825D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0825D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0830D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0830D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0830D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0830D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0842D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0842D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0842D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0842D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0850D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0850D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0850D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0850D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0860D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0860D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0860D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0860D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0870D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0870D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0870D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0870D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3012-3015 1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.046" (1.18mm)
Recommended Working Height: 0.039" (0.98mm)
Minimum Working Height: 0.037" (0.93mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.008" (0.08mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 8gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3012-3015-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE PIN .4MM PITCH
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.046" (1.18mm)
Recommended Working Height: 0.039" (0.98mm)
Minimum Working Height: 0.037" (0.93mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.008" (0.08mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 8gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Active
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C011HYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C011MYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.49 грн
10+49.75 грн
100+29.87 грн
500+23.76 грн
1000+21.78 грн
3000+19.13 грн
6000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.42 грн
16+53.07 грн
100+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.92 грн
10+134.52 грн
100+94.17 грн
500+77.25 грн
1000+64.30 грн
3000+59.88 грн
6000+57.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.37 грн
500+15.33 грн
1000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.25 грн
25+33.84 грн
100+22.12 грн
500+15.79 грн
1000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.59 грн
29+29.38 грн
100+21.95 грн
500+16.02 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.49 грн
500+8.74 грн
1000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.46 грн
29+28.88 грн
100+14.44 грн
500+13.03 грн
1000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.44 грн
500+13.03 грн
1000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N045ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.33 грн
28+30.29 грн
100+20.05 грн
500+14.41 грн
1000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 0.00105 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 0.00105 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.83 грн
10+186.51 грн
100+151.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.88 грн
10+89.43 грн
100+61.58 грн
500+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.49 грн
10+99.83 грн
100+59.66 грн
500+48.11 грн
1000+47.30 грн
3000+45.83 грн
6000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 0.00189 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00189ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 40.6 A PMPAK-5x6
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.57 грн
10+73.01 грн
100+43.63 грн
500+34.72 грн
1000+34.14 грн
3000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 0.00189 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00189ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.51 грн
12+71.55 грн
100+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.48 грн
10+78.47 грн
100+61.02 грн
500+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.60 грн
10+59.47 грн
100+46.25 грн
500+36.79 грн
1000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 0.0028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.29 грн
17+50.18 грн
100+33.09 грн
500+23.83 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 0.0028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.09 грн
500+23.83 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTXSemiMOSFET N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.25 грн
10+62.27 грн
100+42.15 грн
500+35.75 грн
1000+30.53 грн
3000+25.90 грн
9000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 0.005 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.60 грн
10+90.35 грн
100+70.23 грн
500+55.87 грн
1000+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.82 грн
10+36.38 грн
100+21.11 грн
500+16.33 грн
1000+14.79 грн
3000+12.95 грн
9000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 0.005 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.52 грн
23+37.47 грн
100+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.57 грн
10+84.60 грн
100+57.75 грн
500+48.92 грн
1000+39.87 грн
3000+37.52 грн
6000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 0.005 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 0.005 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.49 грн
23+36.97 грн
100+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.05 грн
18+47.29 грн
100+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0HYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 62A TO-252
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.74 грн
10+99.83 грн
100+67.83 грн
500+57.46 грн
1000+46.79 грн
3000+44.07 грн
6000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.18 грн
19+44.15 грн
100+30.12 грн
500+23.37 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0MYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 17.4 A SO-8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.12 грн
10+60.83 грн
100+35.83 грн
500+28.40 грн
1000+25.90 грн
3000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.12 грн
500+23.37 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 0.0095 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.51 грн
11+76.01 грн
100+53.23 грн
500+40.00 грн
1000+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.74 грн
10+76.94 грн
100+51.64 грн
500+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 0.0095 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.99 грн
500+39.08 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 38.5 A TO-252
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.16 грн
10+81.98 грн
100+48.85 грн
500+39.06 грн
1000+38.40 грн
3000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.03 грн
500+16.55 грн
1000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.81 грн
10+59.08 грн
100+45.96 грн
500+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.42 грн
24+34.66 грн
100+23.03 грн
500+16.55 грн
1000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.80 грн
500+14.94 грн
1000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 38.7 A PMPAK-3x3
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.52 грн
11+32.06 грн
100+18.47 грн
500+14.27 грн
1000+12.80 грн
3000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.90 грн
27+31.44 грн
100+20.80 грн
500+14.94 грн
1000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.65 грн
10+52.28 грн
100+30.68 грн
500+24.13 грн
1000+21.92 грн
3000+20.97 грн
6000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 0.0024 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.57 грн
10+125.91 грн
100+100.24 грн
500+79.60 грн
1000+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 0.0024 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.65 грн
25+33.01 грн
100+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 0.0034 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 0.0034 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.03 грн
18+47.70 грн
100+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 29.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.61 грн
10+47.46 грн
100+27.29 грн
500+21.19 грн
1000+19.20 грн
3000+17.58 грн
6000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.80 грн
10+90.66 грн
100+72.17 грн
500+57.31 грн
1000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.31 грн
10+72.57 грн
100+56.45 грн
500+44.90 грн
1000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.56 грн
10+80.29 грн
100+54.73 грн
500+46.42 грн
1000+37.74 грн
3000+35.61 грн
6000+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 0.0072 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 0.0072 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.66 грн
22+38.46 грн
100+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -30V 18.5A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010HYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -30V 18.5A TO-252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010IYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010MYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -13 .3A SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.40 грн
10+55.58 грн
100+32.66 грн
500+25.75 грн
1000+23.47 грн
3000+21.48 грн
6000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.10 грн
17+49.10 грн
100+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010MXSEMIDescription: XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOIC
usEccn: EAR99
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YTYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.23 грн
10+42.89 грн
100+24.94 грн
500+19.50 грн
1000+17.66 грн
3000+16.26 грн
9000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.97 грн
20+42.09 грн
100+28.14 грн
500+20.38 грн
1000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+18.93 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P011YTYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020MYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -9. 3A SO-8
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.40 грн
10+33.93 грн
100+20.16 грн
1000+12.07 грн
3000+10.37 грн
9000+8.46 грн
24000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.70 грн
500+16.86 грн
1000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P050AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.1 A, 0.05 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.15 грн
500+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
10+30.88 грн
100+20.61 грн
500+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AGYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -4. 1A SOT-89
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.63 грн
10+56.43 грн
100+33.47 грн
500+27.88 грн
1000+23.76 грн
2000+21.56 грн
5000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P050AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.1 A, 0.05 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.07 грн
27+31.03 грн
100+20.55 грн
500+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P050AM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.76 грн
19+45.31 грн
100+29.96 грн
500+21.61 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -5. 8A SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.28 грн
10+50.34 грн
100+29.87 грн
500+24.94 грн
1000+21.85 грн
3000+18.54 грн
6000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P050AM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.57 грн
500+19.46 грн
1000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.32 грн
10+44.60 грн
100+30.87 грн
500+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055NYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.56 грн
12+28.60 грн
100+18.54 грн
500+14.57 грн
1000+11.26 грн
3000+10.30 грн
9000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P055N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.055 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P055 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.27 грн
40+20.63 грн
100+10.32 грн
500+9.50 грн
1000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
18+17.17 грн
100+11.55 грн
500+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
18+17.40 грн
100+11.71 грн
500+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.27 грн
40+20.96 грн
100+10.48 грн
500+9.66 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.48 грн
500+9.66 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 0.003 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.14 грн
10+133.50 грн
100+94.36 грн
500+71.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.99 грн
10+139.60 грн
100+86.07 грн
500+69.82 грн
1000+68.86 грн
3000+65.55 грн
6000+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 0.003 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.72 грн
10+137.00 грн
100+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -15 .5A SO-8
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.60 грн
10+55.50 грн
100+32.88 грн
500+32.81 грн
3000+27.81 грн
9000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.40 грн
16+54.30 грн
100+37.06 грн
500+34.33 грн
1000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMXSEMIDescription: XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.93 грн
500+45.90 грн
1000+36.29 грн
3000+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -30V 22A PMPAK5X6
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3R303GMT-LYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.38 грн
10+44.37 грн
100+29.79 грн
500+22.72 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3R303GMT-LYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3R303GMT-LYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 31A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.94 грн
10+139.60 грн
100+96.37 грн
250+89.02 грн
500+80.92 грн
1000+69.08 грн
3000+65.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.