НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
XP30-203002C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3000XS POWER BATTERIESDescription: 12V, 3,000A, 120 AH, RC: 240
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3002000-01RLantronix, Inc.Description: IC MOD DSTNI-EX 120MHZ 1.25MB
Packaging: Tray
Connector Type: RJ45
Size / Dimension: 0.650" L x 1.800" W (16.50mm x 45.70mm)
Speed: 120MHz
RAM Size: 1.25MB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Module/Board Type: MPU Core
Core Processor: DSTni-EX
Co-Processor: XPort AR
Flash Size: 4MB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3002000-01RLantronixEmbedded Processor 16bit T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3002000-01RLantronixNetworking Modules XPort AR Module
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200K-01LantronixNetworking Development Tools XPort AR Evaluation Kit
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200K-01Lantronix, Inc.Description: XPORT AR EVALUATION KIT
Packaging: Box
Function: Ethernet
Type: Interface
Utilized IC / Part: XPort AR
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200K-01LantronixEmbedded Processor 16bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200S-01RLantronix, Inc.Description: XPORT AR SAMPLE EXTENDED TEMP -4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200S-01RLantronixEmbedded Processor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200S-01RLantronixNetworking Modules XPort AR Sample PACKAGE ROHS COMPLI
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP30M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 30MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 30 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP31011Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: POTENTIOMETER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3132SIT4SOP8
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3132SIT4
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP32M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 32MHZ 30ppm,8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 32 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP3311PANASONIC09+
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP338300L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3389
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3389/DX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP34024Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: POTENTIOMETER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP34036Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: POTENTIOMETER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3470A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3601NYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.57 грн
500+30.43 грн
1000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.50 грн
10+64.37 грн
100+42.71 грн
500+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.59 грн
15+61.33 грн
100+41.57 грн
500+30.43 грн
1000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+44.17 грн
14+26.88 грн
100+15.05 грн
500+11.37 грн
1000+10.49 грн
3000+8.08 грн
6000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+92.08 грн
10+74.10 грн
100+50.19 грн
500+42.50 грн
1000+36.34 грн
3000+30.82 грн
9000+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.73 грн
10+93.89 грн
100+63.63 грн
500+53.95 грн
1000+46.10 грн
3000+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+80.45 грн
14+66.00 грн
100+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.37 грн
10+64.87 грн
100+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.12 грн
10+78.79 грн
100+53.31 грн
500+45.22 грн
1000+36.74 грн
3000+34.58 грн
6000+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.51 грн
29+31.97 грн
100+21.82 грн
500+15.42 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.48 грн
10+36.85 грн
100+23.76 грн
500+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.82 грн
500+15.42 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+46.60 грн
13+28.44 грн
100+15.77 грн
500+11.93 грн
1000+10.97 грн
3000+8.64 грн
6000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP380AO
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CDTYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMTXSemiMOSFET Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.68 грн
10+353.47 грн
100+252.14 грн
500+214.51 грн
1000+180.90 грн
3000+172.09 грн
6000+165.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.03 грн
10+106.85 грн
100+73.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMTYAGEO XSemiMOSFETs Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.50 грн
10+121.51 грн
100+71.56 грн
500+57.23 грн
1000+54.35 грн
3000+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0642D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0642D-R/SOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-3846-0642D-R/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.5MM, 4.15MM L
tariffCode: 85366990
Achsmittenabstand: 0.5mm
productTraceability: No
Messanschlussspitze: Flach
Steckverbindertyp: Federbelasteter Tastkopf
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 250mA
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 4.15mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Federkraftarbeitsweg: -oz
usEccn: EAR99
Anfangsfederkraft: 15g
Produktpalette: XP3A Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1407.04 грн
5+1149.33 грн
10+1085.58 грн
25+852.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0642D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0642D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0642D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0650D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 0.25A
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0650D-D/SOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-3846-0650D-D/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.5MM, 4.95MM L
tariffCode: 85366990
Achsmittenabstand: 0.5mm
productTraceability: No
Messanschlussspitze: Flach
Steckverbindertyp: Federbelasteter Tastkopf
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 250mA
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 4.95mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Federkraftarbeitsweg: -oz
usEccn: EAR99
Anfangsfederkraft: 15g
Produktpalette: XP3A Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1407.04 грн
5+1149.33 грн
10+1085.58 грн
25+852.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0650D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0650D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0650D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0660D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0660D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0660D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0660D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0670D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0670D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 0.25A
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0670D-R/SOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-3846-0670D-R/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.5MM, 6.95MM L
tariffCode: 85366990
Achsmittenabstand: 0.5mm
productTraceability: No
Messanschlussspitze: Flach
Steckverbindertyp: Federbelasteter Tastkopf
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 250mA
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 6.95mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Federkraftarbeitsweg: -oz
usEccn: EAR99
Anfangsfederkraft: 15g
Produktpalette: XP3A Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1407.04 грн
5+1149.33 грн
10+1085.58 грн
25+852.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0670D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0670D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0673D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0730D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0730D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0730D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0730D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0742D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0742D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0742D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0742D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+920.18 грн
70+850.96 грн
200+816.62 грн
400+736.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 0.25A
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.018" (0.07mm ~ 0.046mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 0.25A
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.018" (0.07mm ~ 0.046mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+920.18 грн
70+850.96 грн
200+816.62 грн
400+736.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0760D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0760D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0760D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0760D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0770D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0770D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0770D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0770D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
Current Rating (Amps): 0.25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-D/SOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-5866-0725D-D/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.8MM, 2.45MM L
tariffCode: 85366990
Achsmittenabstand: 0.8mm
productTraceability: No
Messanschlussspitze: Flach
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 250mA
Steckverbinder: Federbelasteter Tastkopf
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 2.45mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Federkraftarbeitsweg: -
usEccn: EAR99
Anfangsfederkraft: 15g
Produktpalette: XP3A Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1803.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1251.15 грн
60+1157.29 грн
200+1109.76 грн
300+1000.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1251.15 грн
60+1157.29 грн
200+1109.76 грн
300+1000.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0730D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0730D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0730D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0730D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0742D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+920.18 грн
70+850.96 грн
200+816.62 грн
400+736.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0742D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE .6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0742D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0742D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0742D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0750D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0750D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0750D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0750D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0760D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0760D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0760D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0760D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0770D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE .6MM PITCH
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0770D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0770D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0770D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Maximum Working Height: 0.281" (7.15mm)
Recommended Working Height: 0.262" (6.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0825D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0825D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0825D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0825D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0830D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0830D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0830D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0830D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0842D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0842D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0842D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0842D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0850D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0850D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0850D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0850D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0860D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0860D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0860D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0860D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0870D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0870D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0870D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0870D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0825D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0825D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0825D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0825D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0830D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0830D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0830D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0830D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0842D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0842D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0842D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0842D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0850D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0850D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0850D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0850D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0860D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0860D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0860D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0860D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0870D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0870D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0870D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0870D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3012-3015 1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.046" (1.18mm)
Recommended Working Height: 0.039" (0.98mm)
Minimum Working Height: 0.037" (0.93mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.008" (0.08mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 8gf
Current Rating (Amps): 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3012-3015-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE PIN .4MM PITCH
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.046" (1.18mm)
Recommended Working Height: 0.039" (0.98mm)
Minimum Working Height: 0.037" (0.93mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.008" (0.08mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 8gf
Current Rating (Amps): 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/DOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3B-3029-5050-1-R/D - Kontakt, Federkontakt, 0.4 mm, 2 A, 2.85 mm, 25 g
tariffCode: 85366990
Gesamtlänge: 2.85mm
Achsmittenabstand: 0.4mm
rohsCompliant: YES
Federkraftarbeitsweg: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Nennstrom: 2A
Anfangsfederkraft: 25g
Messanschlussspitze: -
euEccn: NLR
Steckverbinder: Federkontakt
Produktpalette: XP3B Series
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Active
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 2A
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C011HYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C011MYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.87 грн
10+45.10 грн
100+25.53 грн
500+19.61 грн
1000+18.01 грн
3000+15.21 грн
6000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.42 грн
19+48.31 грн
100+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.29 грн
10+146.36 грн
100+102.45 грн
500+84.04 грн
1000+69.96 грн
3000+65.15 грн
6000+62.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.01 грн
500+15.17 грн
1000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+48.31 грн
28+32.15 грн
100+21.01 грн
500+15.17 грн
1000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+36.55 грн
29+31.97 грн
100+23.88 грн
500+17.43 грн
1000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.33 грн
500+9.51 грн
1000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028ENYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 5.4A SOT-23S
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.30 грн
18+20.99 грн
100+8.56 грн
1000+8.08 грн
3000+5.04 грн
6000+4.72 грн
9000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035NYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 4.5A SOT-23S
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.76 грн
13+30.19 грн
100+12.17 грн
500+11.61 грн
3000+7.92 грн
6000+7.68 грн
9000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.62 грн
36+25.23 грн
100+11.67 грн
500+10.34 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.67 грн
500+10.34 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N045ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.05 грн
500+13.01 грн
1000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N045ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+41.84 грн
33+27.39 грн
100+18.05 грн
500+13.01 грн
1000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+144.56 грн
10+98.77 грн
100+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.93 грн
10+97.30 грн
100+66.99 грн
500+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.55 грн
10+108.62 грн
100+64.91 грн
500+52.35 грн
1000+51.47 грн
3000+49.87 грн
6000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.23 грн
10+85.38 грн
100+66.39 грн
500+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.49 грн
100+90.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 40.6 A PMPAK-5x6
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.86 грн
10+79.44 грн
100+47.47 грн
500+37.78 грн
1000+37.14 грн
3000+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTXSemiMOSFET N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.04 грн
10+67.75 грн
100+45.86 грн
500+38.90 грн
1000+33.22 грн
3000+28.18 грн
9000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+52.17 грн
22+41.66 грн
100+28.28 грн
500+20.34 грн
1000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.26 грн
10+64.70 грн
100+50.32 грн
500+40.03 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.28 грн
500+20.34 грн
1000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.99 грн
28+32.32 грн
100+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.68 грн
10+98.30 грн
100+76.42 грн
500+60.79 грн
1000+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.55 грн
10+39.58 грн
100+22.97 грн
500+17.77 грн
1000+16.09 грн
3000+14.09 грн
9000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.86 грн
10+92.05 грн
100+62.83 грн
500+53.23 грн
1000+43.38 грн
3000+40.82 грн
6000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+54.23 грн
26+35.29 грн
100+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+68.60 грн
18+51.45 грн
100+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0HYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 62A TO-252
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.54 грн
10+108.62 грн
100+73.80 грн
500+62.51 грн
1000+50.91 грн
3000+47.95 грн
6000+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.66 грн
500+26.26 грн
1000+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0MYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 17.4 A SO-8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.05 грн
10+66.18 грн
100+38.98 грн
500+30.90 грн
1000+28.18 грн
3000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+74.62 грн
18+51.00 грн
100+34.66 грн
500+26.26 грн
1000+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 38.5 A TO-252
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.74 грн
10+89.20 грн
100+53.15 грн
500+42.50 грн
1000+41.78 грн
3000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 0.0095 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.57 грн
500+42.52 грн
1000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.80 грн
10+83.71 грн
100+56.18 грн
500+41.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 0.0095 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+110.44 грн
11+82.70 грн
100+57.92 грн
500+43.52 грн
1000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.17 грн
500+16.01 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+50.55 грн
26+34.93 грн
100+23.17 грн
500+16.01 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.39 грн
10+64.28 грн
100+50.01 грн
500+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+48.85 грн
27+34.21 грн
100+22.63 грн
500+16.26 грн
1000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 38.7 A PMPAK-3x3
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.61 грн
11+34.89 грн
100+20.09 грн
500+15.53 грн
1000+13.93 грн
3000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.63 грн
500+16.26 грн
1000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.39 грн
10+56.89 грн
100+33.38 грн
500+26.25 грн
1000+23.85 грн
3000+22.81 грн
6000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 2400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+59.44 грн
20+45.97 грн
100+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 2400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+171.44 грн
10+136.99 грн
100+109.07 грн
500+86.60 грн
1000+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+63.39 грн
23+40.77 грн
100+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.82 грн
10+98.64 грн
100+78.53 грн
500+62.36 грн
1000+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 29.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.00 грн
10+51.64 грн
100+29.70 грн
500+23.05 грн
1000+20.89 грн
3000+19.13 грн
6000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.61 грн
10+36.19 грн
100+23.43 грн
500+16.80 грн
1000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 7200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.99 грн
28+33.22 грн
100+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.63 грн
10+39.86 грн
100+22.41 грн
500+17.13 грн
1000+15.45 грн
3000+12.49 грн
6000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 7200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -30V 18.5A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010AMTYAGEO XSemiMOSFETs MOS P -30V -18.5A 10mOhm PMPAK5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010HYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -30V 18.5A TO-252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010HYAGEO XSemiMOSFETs MOS P -30V 10mOhm TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010IYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+72.01 грн
19+49.12 грн
100+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.91 грн
10+54.78 грн
100+36.06 грн
500+26.29 грн
1000+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010MYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -13 .3A SO-8
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.50 грн
10+58.82 грн
100+34.50 грн
500+26.81 грн
1000+24.33 грн
3000+21.13 грн
6000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010MX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.08 грн
500+19.68 грн
1000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YTYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.41 грн
10+46.67 грн
100+26.49 грн
500+20.41 грн
1000+18.41 грн
3000+17.13 грн
6000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YTX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.69 грн
20+45.97 грн
100+30.08 грн
500+19.68 грн
1000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.00 грн
10+42.52 грн
100+27.69 грн
500+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P011YTYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020MX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+49.35 грн
12+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+59.26 грн
25+36.64 грн
100+24.69 грн
500+16.59 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020MYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -9. 3A SO-8
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.38 грн
11+33.78 грн
100+19.85 грн
500+14.33 грн
1000+12.17 грн
3000+9.61 грн
6000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.69 грн
500+16.59 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P050AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.1 A, 0.05 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+48.58 грн
24+37.44 грн
100+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AGYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -4. 1A SOT-89
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.76 грн
11+34.79 грн
100+19.45 грн
500+14.81 грн
1000+13.21 грн
2000+9.77 грн
5000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.82 грн
11+31.60 грн
100+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P050AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.1 A, 0.05 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P050AM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+59.08 грн
20+47.14 грн
100+30.80 грн
500+20.26 грн
1000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.73 грн
10+43.69 грн
100+28.46 грн
500+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -5. 8A SO-8
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.07 грн
10+48.05 грн
100+27.29 грн
500+20.97 грн
1000+19.37 грн
3000+13.77 грн
9000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P050AM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.80 грн
500+20.26 грн
1000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P055N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.055 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P055 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.42 грн
500+8.67 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055NYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.57 грн
16+23.38 грн
100+11.05 грн
500+9.69 грн
1000+8.88 грн
3000+7.12 грн
6000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P055N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.055 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P055 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+31.70 грн
47+19.48 грн
100+10.42 грн
500+8.67 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.50 грн
16+21.26 грн
100+13.47 грн
500+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+32.32 грн
46+19.75 грн
100+10.42 грн
500+8.75 грн
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.42 грн
500+8.75 грн
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.37 грн
16+21.51 грн
100+13.65 грн
500+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080NYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -3. 2A SOT-23S
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
16+23.66 грн
100+10.89 грн
500+9.77 грн
1000+9.04 грн
3000+7.84 грн
6000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.46 грн
10+135.07 грн
100+93.17 грн
500+72.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 3000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.58 грн
10+123.91 грн
100+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.52 грн
10+148.20 грн
100+89.65 грн
500+77.08 грн
1000+75.72 грн
3000+62.43 грн
6000+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 3000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.26 грн
14+64.65 грн
100+42.56 грн
500+32.52 грн
1000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -15 .5A SO-8
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.18 грн
10+59.65 грн
100+34.18 грн
500+28.10 грн
3000+23.85 грн
9000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.05 грн
10+54.20 грн
100+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.56 грн
500+32.52 грн
1000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMTYAGEO XSemiMOSFETs MOS P -30V -22A 7mOhm PMPAK5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -30V 22A PMPAK5X6
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3R303GMT-LYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 31A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.90 грн
10+151.88 грн
100+104.86 грн
250+96.85 грн
500+88.05 грн
1000+75.16 грн
3000+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3R303GMT-LYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3R303GMT-LYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.