НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
XP30-203002C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3000XS POWER BATTERIESDescription: 12V, 3,000A, 120 AH, RC: 240
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3002000-01RLantronix, Inc.Description: IC MOD DSTNI-EX 120MHZ 1.25MB
Packaging: Tray
Connector Type: RJ45
Size / Dimension: 0.650" L x 1.800" W (16.50mm x 45.70mm)
Speed: 120MHz
RAM Size: 1.25MB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Module/Board Type: MPU Core
Core Processor: DSTni-EX
Co-Processor: XPort AR
Flash Size: 4MB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3002000-01RLantronixNetworking Modules XPort AR Module
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200K-01LantronixNetworking Development Tools XPort AR Evaluation Kit
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200K-01Lantronix, Inc.Description: XPORT AR EVALUATION KIT
Packaging: Box
Function: Ethernet
Type: Interface
Utilized IC / Part: XPort AR
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200S-01RLantronixNetworking Modules XPort AR Sample PACKAGE ROHS COMPLI
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP300200S-01RLantronix, Inc.Description: XPORT AR SAMPLE EXTENDED TEMP -4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP30M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 30MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 30 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP31011Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: POTENTIOMETER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3132SIT4
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3132SIT4SOP8
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP32M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 32MHZ 30ppm,8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 32 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
XP3311PANASONIC09+
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP338300L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3389
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3389/DX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP34024Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: POTENTIOMETER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP34036Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: POTENTIOMETER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3470A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3601NYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.54 грн
10+63.21 грн
100+42.81 грн
500+36.25 грн
1000+31.00 грн
3000+26.29 грн
9000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.88 грн
500+27.00 грн
1000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.48 грн
10+57.10 грн
100+37.89 грн
500+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.39 грн
14+22.93 грн
100+12.84 грн
500+9.70 грн
1000+8.94 грн
3000+6.90 грн
6000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.25 грн
15+54.40 грн
100+36.88 грн
500+27.00 грн
1000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.57 грн
10+80.09 грн
100+54.28 грн
500+46.02 грн
1000+39.33 грн
3000+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.37 грн
14+58.55 грн
100+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 11A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.24 грн
10+57.55 грн
100+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.54 грн
10+32.69 грн
100+21.08 грн
500+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.75 грн
13+24.26 грн
100+13.45 грн
500+10.17 грн
1000+9.35 грн
3000+7.37 грн
6000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.36 грн
500+13.68 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.84 грн
10+67.21 грн
100+45.47 грн
500+38.58 грн
1000+31.34 грн
3000+29.50 грн
6000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3700YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.05 грн
29+28.36 грн
100+19.36 грн
500+13.68 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
XP380AO
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CDTYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMTYAGEO XSemiMOSFETs Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.45 грн
10+80.09 грн
100+46.84 грн
500+37.14 грн
1000+34.21 грн
3000+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.19 грн
10+94.79 грн
100+65.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMTXSemiMOSFET Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.92 грн
10+301.51 грн
100+215.07 грн
500+182.98 грн
1000+154.30 грн
3000+146.79 грн
6000+141.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP3832CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0642D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0642D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0642D-R/SOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-3846-0642D-R/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.5MM, 4.15MM L
tariffCode: 85366990
Achsmittenabstand: 0.5mm
productTraceability: No
Messanschlussspitze: Flach
Steckverbindertyp: Federbelasteter Tastkopf
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 250mA
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 4.15mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Federkraftarbeitsweg: -oz
usEccn: EAR99
Anfangsfederkraft: 15g
Produktpalette: XP3A Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1248.20 грн
5+1019.59 грн
10+963.03 грн
25+756.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0642D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0642D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0650D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 0.25A
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0650D-D/SOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-3846-0650D-D/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.5MM, 4.95MM L
tariffCode: 85366990
Achsmittenabstand: 0.5mm
productTraceability: No
Messanschlussspitze: Flach
Steckverbindertyp: Federbelasteter Tastkopf
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 250mA
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 4.95mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Federkraftarbeitsweg: -oz
usEccn: EAR99
Anfangsfederkraft: 15g
Produktpalette: XP3A Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1248.20 грн
5+1019.59 грн
10+963.03 грн
25+756.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0650D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0650D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0650D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0660D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0660D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0660D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0660D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0670D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0670D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 0.25A
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0670D-R/SOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-3846-0670D-R/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.5MM, 6.95MM L
tariffCode: 85366990
Achsmittenabstand: 0.5mm
productTraceability: No
Messanschlussspitze: Flach
Steckverbindertyp: Federbelasteter Tastkopf
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 250mA
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 6.95mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Federkraftarbeitsweg: -oz
usEccn: EAR99
Anfangsfederkraft: 15g
Produktpalette: XP3A Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1248.20 грн
5+1019.59 грн
10+963.03 грн
25+756.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0670D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0670D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-3846-0673D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0730D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0730D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0730D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0730D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0742D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0742D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0742D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0742D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+816.30 грн
70+754.89 грн
200+724.43 грн
400+653.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 0.25A
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.018" (0.07mm ~ 0.046mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 0.25A
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.018" (0.07mm ~ 0.046mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+816.30 грн
70+754.89 грн
200+724.43 грн
400+653.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0750D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0760D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0760D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0760D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0760D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0770D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0770D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0770D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-4654-0770D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-D/SOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-5866-0725D-D/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.8MM, 2.45MM L
tariffCode: 85366990
Achsmittenabstand: 0.8mm
productTraceability: No
Messanschlussspitze: Flach
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 250mA
Steckverbinder: Federbelasteter Tastkopf
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 2.45mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Federkraftarbeitsweg: -
usEccn: EAR99
Anfangsfederkraft: 15g
Produktpalette: XP3A Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1599.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
Current Rating (Amps): 0.25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1109.91 грн
60+1026.64 грн
200+984.48 грн
300+887.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0725D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1109.91 грн
60+1026.64 грн
200+984.48 грн
300+887.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0730D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0730D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0730D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0730D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0742D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+816.30 грн
70+754.89 грн
200+724.43 грн
400+653.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0742D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE .6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0742D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0742D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0742D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0750D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0750D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0750D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0750D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0760D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0760D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0760D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0760D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0770D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE .6MM PITCH
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0770D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0770D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-5866-0770D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Maximum Working Height: 0.281" (7.15mm)
Recommended Working Height: 0.262" (6.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0825D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0825D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0825D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0825D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0830D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0830D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0830D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0830D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0842D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0842D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0842D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0842D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0850D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0850D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0850D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0850D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0860D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0860D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0860D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0860D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0870D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0870D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0870D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-7583-0870D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0825D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0825D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0825D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0825D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0830D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0830D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0830D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0830D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0842D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0842D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0842D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0842D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0850D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0850D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0850D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0850D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0860D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0860D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0860D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0860D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0870D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0870D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0870D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3A-9098-0870D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3012-3015 1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.046" (1.18mm)
Recommended Working Height: 0.039" (0.98mm)
Minimum Working Height: 0.037" (0.93mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.008" (0.08mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 8gf
Current Rating (Amps): 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3012-3015-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE PIN .4MM PITCH
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.046" (1.18mm)
Recommended Working Height: 0.039" (0.98mm)
Minimum Working Height: 0.037" (0.93mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.008" (0.08mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 8gf
Current Rating (Amps): 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-D/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/DOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3B-3029-5050-1-R/D - Kontakt, Federkontakt, 0.4 mm, 2 A, 2.85 mm, 25 g
tariffCode: 85366990
Gesamtlänge: 2.85mm
Achsmittenabstand: 0.4mm
rohsCompliant: YES
Federkraftarbeitsweg: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Nennstrom: 2A
Anfangsfederkraft: 25g
Messanschlussspitze: -
euEccn: NLR
Steckverbinder: Federkontakt
Produktpalette: XP3B Series
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Active
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-R/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-S/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3029-5050-1-T/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 2A
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C011HYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C011MYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.01 грн
10+38.47 грн
100+21.78 грн
500+16.73 грн
1000+15.43 грн
3000+12.97 грн
6000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.48 грн
19+42.85 грн
100+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.99 грн
10+124.84 грн
100+87.39 грн
500+71.69 грн
1000+59.67 грн
3000+55.58 грн
6000+53.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.85 грн
28+28.52 грн
100+18.64 грн
500+13.46 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.64 грн
500+13.46 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 10A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.11 грн
18+18.22 грн
100+10.04 грн
500+7.51 грн
1000+6.90 грн
3000+5.19 грн
6000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.16 грн
500+8.43 грн
1000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028ENYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 5.4A SOT-23S
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.11 грн
18+17.90 грн
100+7.31 грн
1000+6.90 грн
3000+4.30 грн
6000+4.03 грн
9000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.42 грн
29+28.36 грн
100+21.19 грн
500+15.46 грн
1000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035NYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 4.5A SOT-23S
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.03 грн
13+25.75 грн
100+10.38 грн
500+9.90 грн
3000+6.76 грн
6000+6.55 грн
9000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.36 грн
500+9.17 грн
1000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.38 грн
36+22.38 грн
100+10.36 грн
500+9.17 грн
1000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N045ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.01 грн
500+11.54 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N045ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.12 грн
33+24.29 грн
100+16.01 грн
500+11.54 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.11 грн
10+86.32 грн
100+59.43 грн
500+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.24 грн
10+87.62 грн
100+60.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.86 грн
10+79.30 грн
100+46.09 грн
500+36.46 грн
1000+34.55 грн
3000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.01 грн
10+75.74 грн
100+58.89 грн
500+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 40.6 A PMPAK-5x6
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.98 грн
10+67.76 грн
100+40.49 грн
500+32.23 грн
1000+31.68 грн
3000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.04 грн
100+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.97 грн
10+57.40 грн
100+44.64 грн
500+35.51 грн
1000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.28 грн
22+36.96 грн
100+25.09 грн
500+18.05 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTXSemiMOSFET N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.69 грн
10+57.79 грн
100+39.12 грн
500+33.18 грн
1000+28.33 грн
3000+24.03 грн
9000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.09 грн
500+18.05 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.66 грн
11+30.62 грн
100+17.41 грн
500+13.25 грн
1000+11.81 грн
3000+9.83 грн
6000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.61 грн
10+87.21 грн
100+67.79 грн
500+53.92 грн
1000+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.91 грн
28+28.68 грн
100+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.24 грн
12+27.48 грн
100+15.29 грн
500+11.61 грн
1000+10.45 грн
3000+8.53 грн
6000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.11 грн
26+31.30 грн
100+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.86 грн
18+45.64 грн
100+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0HYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 62A TO-252
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.95 грн
11+29.37 грн
100+16.45 грн
500+12.49 грн
1000+11.47 грн
3000+9.29 грн
6000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.19 грн
18+45.24 грн
100+30.75 грн
500+23.30 грн
1000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0MYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 17.4 A SO-8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.24 грн
12+27.64 грн
100+15.36 грн
500+12.36 грн
1000+10.72 грн
3000+8.60 грн
6000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.75 грн
500+23.30 грн
1000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 0.0095 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.98 грн
11+73.36 грн
100+51.38 грн
500+38.61 грн
1000+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.36 грн
10+74.26 грн
100+49.84 грн
500+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 0.0095 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.18 грн
500+37.72 грн
1000+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 38.5 A TO-252
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.52 грн
10+76.08 грн
100+45.34 грн
500+36.25 грн
1000+35.64 грн
3000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.20 грн
10+57.03 грн
100+44.36 грн
500+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.85 грн
26+30.99 грн
100+20.55 грн
500+14.20 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.55 грн
500+14.20 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.07 грн
500+14.42 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 38.7 A PMPAK-3x3
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.53 грн
16+20.34 грн
100+11.47 грн
500+8.47 грн
1000+7.58 грн
3000+5.94 грн
6000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.33 грн
27+30.35 грн
100+20.07 грн
500+14.42 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 2400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.73 грн
20+40.78 грн
100+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.50 грн
10+42.16 грн
100+23.96 грн
500+18.43 грн
1000+16.66 грн
3000+14.41 грн
6000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.08 грн
10+121.53 грн
100+96.75 грн
500+76.83 грн
1000+65.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 2400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.84 грн
10+87.50 грн
100+69.66 грн
500+55.32 грн
1000+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.24 грн
23+36.16 грн
100+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 29.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.09 грн
10+33.13 грн
100+18.64 грн
500+14.20 грн
1000+13.11 грн
3000+10.72 грн
6000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.60 грн
10+34.00 грн
100+19.12 грн
500+14.61 грн
1000+13.18 грн
3000+10.65 грн
6000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 7200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.77 грн
10+32.10 грн
100+20.78 грн
500+14.91 грн
1000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 7200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.91 грн
28+29.47 грн
100+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -30V 18.5A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010AMTYAGEO XSemiMOSFETs MOS P -30V -18.5A 10mOhm PMPAK5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010HYAGEO XSemiMOSFETs MOS P -30V 10mOhm TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010HYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -30V 18.5A TO-252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010IYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.65 грн
10+48.60 грн
100+31.99 грн
500+23.33 грн
1000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010MX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.70 грн
22+37.68 грн
100+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010MYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -13 .3A SO-8
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.30 грн
10+36.90 грн
100+20.82 грн
500+15.98 грн
1000+14.47 грн
3000+12.36 грн
6000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.98 грн
10+37.72 грн
100+24.56 грн
500+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.96 грн
21+39.75 грн
100+27.16 грн
500+18.27 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.16 грн
500+18.27 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YTYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.36 грн
10+39.10 грн
100+23.28 грн
500+18.23 грн
1000+15.23 грн
3000+12.84 грн
6000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P010YTX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P011YTYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.57 грн
25+32.50 грн
100+21.91 грн
500+14.72 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020MYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -9. 3A SO-8
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
15+21.98 грн
100+12.49 грн
500+9.42 грн
1000+8.47 грн
3000+6.49 грн
6000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.78 грн
12+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.91 грн
500+14.72 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020MX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P020MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P050AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.1 A, 0.05 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.85 грн
11+28.03 грн
100+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P050AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.1 A, 0.05 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.09 грн
24+33.22 грн
100+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AGYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -4. 1A SOT-89
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.76 грн
18+17.51 грн
100+9.63 грн
500+7.44 грн
1000+6.55 грн
2000+5.67 грн
5000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -5. 8A SO-8
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.47 грн
18+17.74 грн
100+9.83 грн
500+7.37 грн
1000+6.69 грн
3000+4.98 грн
6000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P050AM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.32 грн
500+17.97 грн
1000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.52 грн
10+38.76 грн
100+25.24 грн
500+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P050AM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.41 грн
20+41.82 грн
100+27.32 грн
500+17.97 грн
1000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P055N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.055 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P055 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.24 грн
500+7.69 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055NYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.90 грн
16+19.94 грн
100+9.42 грн
500+8.26 грн
1000+7.58 грн
3000+6.08 грн
6000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.49 грн
16+18.86 грн
100+11.95 грн
500+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P055N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.055 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P055 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.12 грн
47+17.29 грн
100+9.24 грн
500+7.69 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
16+19.08 грн
100+12.11 грн
500+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.24 грн
500+7.77 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080NYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -3. 2A SOT-23S
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.53 грн
16+20.18 грн
100+9.29 грн
500+8.33 грн
1000+7.72 грн
3000+6.69 грн
6000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1296 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P080NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.68 грн
46+17.52 грн
100+9.24 грн
500+7.77 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.74 грн
10+66.74 грн
100+38.71 грн
500+31.54 грн
1000+28.40 грн
3000+25.13 грн
6000+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.03 грн
10+119.82 грн
100+82.66 грн
500+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 3000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 3000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.60 грн
14+57.75 грн
100+51.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.76 грн
500+28.85 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMX-Semi (YAGEO)P-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.88 грн
10+48.08 грн
100+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.60 грн
14+57.35 грн
100+37.76 грн
500+28.85 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -30V -15 .5A SO-8
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.07 грн
10+47.03 грн
100+26.83 грн
500+21.17 грн
1000+19.19 грн
3000+16.25 грн
6000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -30V 22A PMPAK5X6
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3P7R0EMTYAGEO XSemiMOSFETs MOS P -30V -22A 7mOhm PMPAK5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3R303GMT-LYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3R303GMT-LYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3R303GMT-LYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 31A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.72 грн
10+129.55 грн
100+89.44 грн
250+82.61 грн
500+75.10 грн
1000+64.11 грн
3000+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.