Продукція > XP6

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
XP6-1-1-6-1ExeltechDescription: DC TO AC POWER INVERTER, 600WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 12VDC
AC Outlets: 2
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R (2)
Connector - Voltage Input: Wire Leads
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+53383.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6-1-2-6-1ExeltechDescription: DC TO AC POWER INVERTER, 600WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 24VDC
AC Outlets: 2
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R (2)
Connector - Voltage Input: Wire Leads
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+53383.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6-1-4-6-1ExeltechDescription: DC TO AC POWER INVERTER, 600WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 48VDC
AC Outlets: 2
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R (2)
Connector - Voltage Input: Wire Leads
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6-1-E-6-1ExeltechDescription: DC TO AC POWER INVERTER, 600WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 66VDC
AC Outlets: 2
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R (2)
Connector - Voltage Input: Wire Leads
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6-1-I-6-1ExeltechDescription: DC TO AC POWER INVERTER, 600WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 108VDC
AC Outlets: 2
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R (2)
Connector - Voltage Input: Wire Leads
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+53383.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6-3-1-5-1ExeltechDescription: INVERTER 600WATT 230VAC 12VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 12VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+53383.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6-3-2-5-1ExeltechDescription: INVERTER 600WATT 230VAC 24VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 24VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+53383.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6-3-4-5-1ExeltechDescription: INVERTER 600WATT 230VAC 48VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 48VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+53383.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6-3-I-5-1ExeltechDescription: INVERTER 600WATT 230VAC 108VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 108VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 600 W
Power - Output Surge: 1100 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+53383.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP600Apex Tool GroupDescription: SCREWDRIVER SET PHIL W/CASE 6PC
Packaging: Bulk
Features: Black Tip, ESD Safe, Free Turning Cap
Type: Screwdriver Set
Includes: Plastic Case
Tip Type: Phillips, Slotted
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4298.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP600WELLER XCELITEDescription: WELLER XCELITE - XP600 - Schraubendreher, ESD-sicher, Präzisions-Schraubendreher, Schlitz, Phillips, 6-teiliger Satz
tariffCode: 82054000
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Lieferumfang des Kits: 6 ESD-sichere Schraubendreher: 1.5mm, 2mm, 2.5mm, 3mm Schlitz, #0, #00 Phillips, Tasche
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4263.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP600Xcelite6-Piece Precision Slotted And Phillips Screwdriver Set
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6405.78 грн
5+6117.29 грн
10+5956.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP600Weller6-Piece Precision Slotted And Phillips Screwdriver Set
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP600Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Xcelite Scrwdrvr Set 6 pc Slottd/Phillip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60AN750INYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 600V 10A TO-220CFM-NL
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.40 грн
10+66.43 грн
100+55.78 грн
500+48.89 грн
1000+46.70 грн
2500+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP60AN750INYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2688 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.06 грн
50+81.42 грн
100+73.23 грн
500+55.25 грн
1000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP60AN750INYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60AN750IN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60AN750 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.99 грн
12+67.87 грн
100+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP60AN750INX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+38.11 грн
500+36.54 грн
1000+35.97 грн
2000+34.21 грн
2500+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
XP60BM095ITX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60BM095WLYAGEO XSemiMOSFETs MOS N 600V 95mohm TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60BM115ITYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60BM115WLYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60BM125DT8X-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60BM160RX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60CM190EDT8X-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60CM190EHX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RENYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60PN72REN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.07 грн
500+9.76 грн
1000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RENX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+5.27 грн
3000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RENYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
на замовлення 5117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.76 грн
19+17.35 грн
100+9.56 грн
500+7.10 грн
1000+6.28 грн
3000+4.98 грн
6000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RENYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 100 V
на замовлення 4854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.65 грн
19+16.27 грн
100+10.28 грн
500+7.19 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60PN72REN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.53 грн
37+21.98 грн
100+11.07 грн
500+9.76 грн
1000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60PN72RLEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.89 грн
38+21.19 грн
100+9.88 грн
500+8.43 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLENYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.76 грн
19+17.35 грн
100+9.56 грн
500+7.10 грн
1000+6.28 грн
3000+5.26 грн
6000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLENYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60PN72RLEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60PN72 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.88 грн
500+8.43 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLENX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60PN72RLENYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.65 грн
19+16.27 грн
100+10.28 грн
500+7.19 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA115DIX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA115DPX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA115DRX-Semi (YAGEO)XP60SA115DR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA125DDT8X-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA180DITX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA180DPX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA180DRX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290ADITX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.94 грн
10+90.24 грн
100+61.33 грн
500+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DHX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+56.96 грн
1000+55.73 грн
3000+49.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SA290D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.34 грн
10+105.94 грн
100+74.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DHYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 600V 13. 3A TO-252
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.14 грн
10+96.58 грн
100+56.87 грн
500+45.40 грн
1000+44.58 грн
3000+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DIYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DIX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DITYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 600V 13.3A TO-220CF
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DITYAGEO XSemiMOSFETs MOS N 600V 290mohm TO-220CFM-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DPX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DPYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DSYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DWLX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA290DWLYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA380DHX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA380DIX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA380DINX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA380DITYAGEO XSemiMOSFETs MOS N 600V 380mohm TO-220CFM-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SA380DITX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC060ADPX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC060ADTLX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC065DDT8X-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC085DDT8X-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC095DITX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC095DPX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC099DDT8X-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC120DRX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC160DITX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC180UDITX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC200DHX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC280ADITX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC280DHX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC320DHX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC320DITX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC380DHX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC380DHYAGEO XSemiMOSFETs MOS N 600V 380mohm TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC380DIX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SC600DHX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SE150DHX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DRX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.02 грн
100+149.78 грн
500+132.78 грн
1000+121.18 грн
2000+110.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DRYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 100 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.42 грн
50+145.30 грн
100+132.01 грн
500+102.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DRYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 600V 28A TO-262
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.88 грн
10+155.46 грн
100+122.21 грн
500+105.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DRYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60SL115DR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.115 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL115D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.15 грн
10+133.02 грн
100+125.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL115DSX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL160DITX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL160DPX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL160DSX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DHXSemiMOSFET N-CH 600V 7A TO-252
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.70 грн
10+185.30 грн
100+131.77 грн
500+111.97 грн
1000+94.90 грн
3000+89.44 грн
6000+86.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DHX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.79 грн
10+93.20 грн
100+90.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.45 грн
10+70.05 грн
100+46.83 грн
500+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DHYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 600V 7A TO-252
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.67 грн
10+96.58 грн
3000+64.79 грн
6000+63.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL600DINX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP60SL650AFHX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6112-TXPANASONIC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6114Panasonic
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6114/CK
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6115-(TX)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6115-(TX)(6X)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP611FHPanasonic
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6206P332MR
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6210-(TX)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6210-(TX)/CR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6211
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6211-(TX)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6212-TXPANASONIC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6213-(TX)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6213-TXPANASONIC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6214PANASONIC
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6214-(TX)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6214-(TX)(AA)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6215
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6215-TXPANASONIC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6215/8X
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6216
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6216-(TX)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP626AOYAMAHA09+ .
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP62FP1502PR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6401PANASONIC
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6401PANAS0NIC03+
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6401-(TX)
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6401-TX
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6401-WPANASONICSOT26/
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6401/50
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6435-(TX)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6501PanasonicSOT363
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6501Panasonic
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6501PAN07+ SOT-363
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6501 / 5NPanasonic
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6501-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6501-(TX)/5N
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6501-TX
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6501/5NPANASONIC09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6534
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6534-TX
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6534-TX/7F
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6534-W
на замовлення 14324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6543PANASONICSOT-563
на замовлення 780000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6543PAN07+ SOT-363
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6543-(TX)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6543-Q
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6543-Q(TX)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6543-R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6543-R(TX)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6543-R(TX).TD/XP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6543-TX
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2IYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2INYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2ITYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.75 грн
50+60.06 грн
100+54.56 грн
500+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2ITYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 650V 7A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.60 грн
10+80.09 грн
100+63.02 грн
500+51.62 грн
1000+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2ITYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP65AN1K2IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65AN1K2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.97 грн
10+82.84 грн
100+75.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2JYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2PYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP65AN1K2SYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL190DIYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL190D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.02 грн
10+143.38 грн
100+131.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL190DIYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3312 pF @ 100 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.75 грн
50+135.30 грн
100+122.66 грн
500+94.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL190DIYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 650V 20A TO-220CFM
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.00 грн
10+114.64 грн
100+86.71 грн
500+73.06 грн
1000+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL380DHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.70 грн
10+110.72 грн
100+77.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL380DHYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 650V 10A TO-252
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.94 грн
10+97.36 грн
100+57.15 грн
500+45.61 грн
1000+44.86 грн
3000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP65SL380DHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6677GHYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -60 A TO-252
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.14 грн
10+162.53 грн
100+113.34 грн
250+104.46 грн
500+94.90 грн
1000+80.57 грн
3000+77.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP6677GHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6677GHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6677 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.11 грн
10+104.35 грн
100+71.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP6677GHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.26 грн
10+152.89 грн
100+121.71 грн
500+96.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP6677GHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6677 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP686AOYAMAHA
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP687A0
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP687ADYAMAHADIP
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP687AO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP6932MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET 2N-CH 30V 14.2A 8PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.78W (Ta), 2.08W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 28A (Tc), 22.9A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1712pF @ 15V, 3920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 14A, 10V, 2.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6A100MYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6N090NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6N090NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6N090 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.28 грн
39+20.71 грн
100+11.71 грн
500+6.77 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
XP6N090NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.96 грн
12+25.15 грн
100+17.46 грн
500+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
XP6N090NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6N090 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.77 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R4CXTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.93 грн
10+127.98 грн
100+77.15 грн
500+63.43 грн
1000+61.04 грн
3000+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R4CXTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R4CXTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 1450 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.73 грн
10+137.01 грн
100+97.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R4CXTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+576.08 грн
10+475.52 грн
100+396.27 грн
500+328.13 грн
1000+295.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R4CXTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 1450 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R7CMTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.01 грн
10+97.86 грн
100+69.71 грн
500+53.70 грн
1000+49.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R7CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R7CMTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R7CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.43 грн
10+92.40 грн
100+64.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA1R7CMTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.07 грн
10+106.78 грн
100+63.43 грн
500+50.52 грн
1000+48.41 грн
3000+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA2R4ITYAGEO XSemiMOSFET N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.50 грн
10+526.85 грн
25+415.80 грн
100+382.34 грн
250+359.13 грн
500+337.28 грн
1000+303.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA2R4ITYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.03 грн
50+466.32 грн
100+417.24 грн
500+345.50 грн
1000+310.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA2R4ITYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA2R4IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93 A, 2400 µohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.31 грн
10+84.43 грн
100+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R0HYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 60V 75A TO-252
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.47 грн
10+77.65 грн
100+45.06 грн
500+35.64 грн
1000+33.52 грн
3000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 3000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.02 грн
10+104.35 грн
100+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 3000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R5ITYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 60V 72A TO220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.07 грн
50+285.43 грн
100+244.66 грн
500+204.09 грн
1000+174.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R5ITYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA3R5IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 3500 µohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.61 грн
10+87.62 грн
100+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R5ITYAGEO XSemiMOSFET N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.73 грн
10+317.99 грн
25+261.50 грн
100+223.94 грн
250+211.66 грн
500+198.68 грн
1000+170.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA3R8HYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 6500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 6500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA6R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.12 грн
10+100.37 грн
100+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5HYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 60V 66A TO-252
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.96 грн
10+99.72 грн
100+60.08 грн
500+48.54 грн
1000+47.79 грн
3000+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XP6NA6R5LMT-LYAGEOArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P025HYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -60V 40A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250NYAGEO XSemiMOSFETs P-CH -60V -1. 6A SOT-23S
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.38 грн
10+32.11 грн
100+18.84 грн
500+14.75 грн
1000+12.97 грн
3000+9.01 грн
6000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.10 грн
10+70.34 грн
100+54.73 грн
500+43.53 грн
1000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.53 грн
31+25.89 грн
100+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP6P250NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XP6RCOASTDescription: COAST - XP6R - Taschenlampe, Handtaschenlampe, LED, 400lm, 180m, Lithium-Ionen-Akku, CR123-Zelle
tariffCode: 85131000
Strahlreichweite: 180m
productTraceability: No
Taschenlampe: Handtaschenlampe
rohsCompliant: NA
Stromquelle: Akku, CR123-Lithiumbatterien x 1 (nicht im Lieferumfang enthalten)
Material des Taschenlampengehäuses: -
Lichtquelle: LED
euEccn: NLR
Lumenpaket: 400lm
isCanonical: Y
hazardous: true
hazardCode: 3481
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5180.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.