Продукція > NEXPERIA USA INC. > Всі товари виробника NEXPERIA USA INC. (31403) > Сторінка 110 з 524

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 52 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 156 208 260 312 364 416 468 520 524  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN8R0-40BS,118 PSMN8R0-40BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN8R0-40BS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN8R7-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN9R5-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.82 грн
1600+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118 BUK765R0-100E,118 Nexperia USA Inc. BUK765R0-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R5-60E,118 BUK962R5-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK962R5-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.89 грн
1600+114.50 грн
2400+111.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R8-100E,118 BUK965R8-100E,118 Nexperia USA Inc. BUK965R8-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+100.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-25MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R8-25MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2432 pF @ 12.5 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.44 грн
3000+31.55 грн
4500+30.24 грн
7500+27.00 грн
10500+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN3R0-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.07 грн
3000+19.51 грн
4500+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-25MLC,115 PSMN3R9-25MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN3R9-25MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1524 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115 PSMN4R4-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN4R4-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.65mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30MLC,115 PSMN7R0-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN7R0-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.82 грн
3000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115 PSMN9R0-25MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN9R0-25MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.65mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-30MLC,115 PSMN9R8-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN9R8-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118 BUK765R0-100E,118 Nexperia USA Inc. BUK765R0-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.50 грн
10+225.43 грн
100+160.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R5-60E,118 BUK962R5-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK962R5-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.50 грн
10+218.32 грн
100+155.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R8-100E,118 BUK965R8-100E,118 Nexperia USA Inc. BUK965R8-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.45 грн
10+177.39 грн
100+124.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.42 грн
10+31.62 грн
100+20.34 грн
500+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-25MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R8-25MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2432 pF @ 12.5 V
на замовлення 14585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.76 грн
10+74.28 грн
100+49.76 грн
500+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN3R0-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.13 грн
10+48.41 грн
100+31.84 грн
500+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-25MLC,115 PSMN3R9-25MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN3R9-25MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1524 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.06 грн
10+41.61 грн
100+27.82 грн
500+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115 PSMN4R4-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN4R4-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.65mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30MLC,115 PSMN7R0-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN7R0-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.56 грн
10+35.48 грн
100+24.27 грн
500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115 PSMN9R0-25MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN9R0-25MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.65mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.28 грн
10+48.49 грн
100+32.14 грн
500+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-30MLC,115 PSMN9R8-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN9R8-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.06 грн
10+32.91 грн
100+22.54 грн
500+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40XY,115 BAS40XY,115 Nexperia USA Inc. BAS40XY.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 40V 120MA 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC)
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 24437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.78 грн
23+13.31 грн
100+8.31 грн
500+5.78 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7109-75ATE,118 BUK7109-75ATE,118 Nexperia USA Inc. BUK7109-75ATE.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 75A SOT426
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK72150-55A,118 BUK72150-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK72150-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 322 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.91 грн
10+55.68 грн
100+36.76 грн
500+26.85 грн
1000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7222-55A,118 BUK7222-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK7222-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 48A DPAK
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.41 грн
10+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7240-100A,118 BUK7240-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK7240-100A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2293 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.82 грн
10+106.66 грн
50+80.78 грн
100+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7275-100A,118 BUK7275-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK7275-100A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-55A,118 BUK7608-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK7608-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4352 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 0 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7609-75A,118 BUK7609-75A,118 Nexperia USA Inc. BUK7609-75A.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-100A,118 BUK7635-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK7635-100A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9219-55A,118 BUK9219-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9219-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.48 грн
10+91.08 грн
100+70.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9226-75A,118 BUK9226-75A,118 Nexperia USA Inc. BUK9226-75A.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.82 грн
10+106.66 грн
50+80.78 грн
100+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9240-100A,118 BUK9240-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK9240-100A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3072 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.82 грн
10+106.66 грн
50+80.78 грн
100+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55A,118 BUK9606-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9606-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-75A,118 BUK9609-75A,118 Nexperia USA Inc. BUK9609-75A.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9620-55A,118 BUK9620-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9620-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9624-55A,118 BUK9624-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9624-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 46A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.19 грн
10+96.37 грн
100+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628-55A,118 BUK9628-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9628-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9635-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.12 грн
10+76.10 грн
100+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9660-100A,118 BUK9660-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK9660-100A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-100A,118 BUK9675-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK9675-100A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1704 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.33 грн
10+96.22 грн
100+65.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB20NQ20T,118 PHB20NQ20T,118 Nexperia USA Inc. PHB20NQ20T.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PML260SN,118 PML260SN,118 Nexperia USA Inc. PML260SN.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 8.8A DFN3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118 PSMN012-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN012-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
на замовлення 5069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.25 грн
10+105.98 грн
100+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN015-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V
на замовлення 8446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.12 грн
10+83.14 грн
100+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-80BS,118 PSMN017-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN017-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
на замовлення 4164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.54 грн
10+102.35 грн
50+77.46 грн
100+65.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100BS,118 PSMN027-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN027-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100BS,118 PSMN034-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN034-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.33 грн
10+89.57 грн
100+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN6R5-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.73 грн
10+165.29 грн
50+126.89 грн
100+107.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100BS,118 PSMN7R0-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN7R0-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6686 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 269W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.59 грн
10+163.93 грн
50+126.15 грн
100+106.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN7R6-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.47 грн
10+98.42 грн
100+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN8R7-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.04 грн
10+106.51 грн
100+72.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R8-40YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R8-40YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.66 грн
3000+44.46 грн
4500+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R6-60E,127 BUK7E2R6-60E,127 Nexperia USA Inc. BUK7E2R6-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-60E,118 BUK7613-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK7613-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.22 грн
1600+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R9-40E,118 BUK762R9-40E,118 Nexperia USA Inc. BUK762R9-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40BS,118 PSMN8R0-40BS.pdf
PSMN8R0-40BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100BS.pdf
PSMN9R5-100BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+82.82 грн
1600+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118 BUK765R0-100E.pdf
BUK765R0-100E,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+131.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R5-60E,118 BUK962R5-60E.pdf
BUK962R5-60E,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+126.89 грн
1600+114.50 грн
2400+111.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R8-100E,118 BUK965R8-100E.pdf
BUK965R8-100E,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+100.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-25MLC.pdf
PSMN2R8-25MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2432 pF @ 12.5 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+35.44 грн
3000+31.55 грн
4500+30.24 грн
7500+27.00 грн
10500+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC.pdf
PSMN3R0-30MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+22.07 грн
3000+19.51 грн
4500+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-25MLC,115 PSMN3R9-25MLC.pdf
PSMN3R9-25MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1524 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115 PSMN4R4-30MLC.pdf
PSMN4R4-30MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.65mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30MLC,115 PSMN7R0-30MLC.pdf
PSMN7R0-30MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+19.82 грн
3000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115 PSMN9R0-25MLC.pdf
PSMN9R0-25MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.65mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-30MLC,115 PSMN9R8-30MLC.pdf
PSMN9R8-30MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK765R0-100E,118 BUK765R0-100E.pdf
BUK765R0-100E,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+353.50 грн
10+225.43 грн
100+160.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK962R5-60E,118 BUK962R5-60E.pdf
BUK962R5-60E,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+342.50 грн
10+218.32 грн
100+155.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R8-100E,118 BUK965R8-100E.pdf
BUK965R8-100E,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17460 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+280.45 грн
10+177.39 грн
100+124.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+53.42 грн
10+31.62 грн
100+20.34 грн
500+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-25MLC.pdf
PSMN2R8-25MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2432 pF @ 12.5 V
на замовлення 14585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+121.76 грн
10+74.28 грн
100+49.76 грн
500+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC.pdf
PSMN3R0-30MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+80.13 грн
10+48.41 грн
100+31.84 грн
500+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-25MLC,115 PSMN3R9-25MLC.pdf
PSMN3R9-25MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1524 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+62.06 грн
10+41.61 грн
100+27.82 грн
500+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115 PSMN4R4-30MLC.pdf
PSMN4R4-30MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.65mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30MLC,115 PSMN7R0-30MLC.pdf
PSMN7R0-30MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.56 грн
10+35.48 грн
100+24.27 грн
500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R0-25MLC,115 PSMN9R0-25MLC.pdf
PSMN9R0-25MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.65mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+50.28 грн
10+48.49 грн
100+32.14 грн
500+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-30MLC,115 PSMN9R8-30MLC.pdf
PSMN9R8-30MLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.06 грн
10+32.91 грн
100+22.54 грн
500+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40XY,115 BAS40XY.pdf
BAS40XY,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ARR SCHOT 40V 120MA 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC)
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 24437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.78 грн
23+13.31 грн
100+8.31 грн
500+5.78 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7109-75ATE,118 BUK7109-75ATE.pdf
BUK7109-75ATE,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 75A SOT426
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK72150-55A,118 BUK72150-55A.pdf
BUK72150-55A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 322 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.91 грн
10+55.68 грн
100+36.76 грн
500+26.85 грн
1000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7222-55A,118 BUK7222-55A.pdf
BUK7222-55A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 48A DPAK
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+97.41 грн
10+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7240-100A,118 BUK7240-100A.pdf
BUK7240-100A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2293 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.82 грн
10+106.66 грн
50+80.78 грн
100+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7275-100A,118 BUK7275-100A.pdf
BUK7275-100A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-55A,118 BUK7608-55A.pdf
BUK7608-55A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4352 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 0 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7609-75A,118 BUK7609-75A.pdf
BUK7609-75A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7635-100A,118 BUK7635-100A.pdf
BUK7635-100A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9219-55A,118 BUK9219-55A.pdf
BUK9219-55A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+115.48 грн
10+91.08 грн
100+70.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9226-75A,118 BUK9226-75A.pdf
BUK9226-75A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.82 грн
10+106.66 грн
50+80.78 грн
100+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9240-100A,118 BUK9240-100A.pdf
BUK9240-100A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3072 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.82 грн
10+106.66 грн
50+80.78 грн
100+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55A,118 BUK9606-55A.pdf
BUK9606-55A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+279.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-75A,118 BUK9609-75A.pdf
BUK9609-75A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9620-55A,118 BUK9620-55A.pdf
BUK9620-55A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9624-55A,118 BUK9624-55A.pdf
BUK9624-55A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 46A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.19 грн
10+96.37 грн
100+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9628-55A,118 BUK9628-55A.pdf
BUK9628-55A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55A,118 BUK9635-55A.pdf
BUK9635-55A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.12 грн
10+76.10 грн
100+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9660-100A,118 BUK9660-100A.pdf
BUK9660-100A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-100A,118 BUK9675-100A.pdf
BUK9675-100A,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1704 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+156.33 грн
10+96.22 грн
100+65.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB20NQ20T,118 PHB20NQ20T.pdf
PHB20NQ20T,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PML260SN,118 PML260SN.pdf
PML260SN,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 8.8A DFN3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118 PSMN012-80BS.pdf
PSMN012-80BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
на замовлення 5069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+171.25 грн
10+105.98 грн
100+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
PSMN015-60BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V
на замовлення 8446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.12 грн
10+83.14 грн
100+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-80BS,118 PSMN017-80BS.pdf
PSMN017-80BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
на замовлення 4164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+166.54 грн
10+102.35 грн
50+77.46 грн
100+65.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100BS,118 PSMN027-100BS.pdf
PSMN027-100BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100BS,118 PSMN034-100BS.pdf
PSMN034-100BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+145.33 грн
10+89.57 грн
100+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80BS.pdf
PSMN6R5-80BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+264.73 грн
10+165.29 грн
50+126.89 грн
100+107.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100BS,118 PSMN7R0-100BS.pdf
PSMN7R0-100BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6686 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 269W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+261.59 грн
10+163.93 грн
50+126.15 грн
100+106.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS.pdf
PSMN7R6-60BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+159.47 грн
10+98.42 грн
100+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.04 грн
10+106.51 грн
100+72.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R8-40YLC.pdf
PSMN1R8-40YLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+49.66 грн
3000+44.46 грн
4500+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R6-60E,127 BUK7E2R6-60E.pdf
BUK7E2R6-60E,127
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-60E,118 BUK7613-60E.pdf
BUK7613-60E,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+65.22 грн
1600+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R9-40E,118 BUK762R9-40E.pdf
BUK762R9-40E,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 52 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 156 208 260 312 364 416 468 520 524  [ Наступна Сторінка >> ]